Ремонт принтеров, сканнеров, факсов и остальной офисной техники


назад Оглавление вперед




[35]

Примечание: Минимальное напряжение VCC во время записи или стирания флэш-памяти

Минимальное значение напряжения VCC во время записи или стирания флэш-памяти должно составлять 2,7 В. Если VCC падает ниже 2,7 В во время записи или стирания, результат записи или стирания будет непредсказуемым.

5.2.Сегментация флэш-памяти

Флэш-память в MSP430 разбита на сегменты. В неё может быть записан один бит, байт или слово, но сегмент - это минимальный размер флэш-памяти, который можно стереть. Три режима стирания позволяют стереть один сегмент, стереть все главные сегменты или стереть все сегменты (основные и информационные сегменты).

Флэш-память разделена на основной и информационный разделы памяти. Нет никаких различий в работе основного и информационного разделов памяти. Программный код или данные могут быть расположены в любом разделе. Различие между этими двумя разделами заключается в разных размерах сегмента и различных физических адресах.

Информационная память имеет два 128-байтных сегмента (в устройствах MSP430F1101 есть только один сегмент). Основная память имеет два или более 512-байтных сегмента. См. справочное руководство конкретного устройства для выяснения точной карты памяти.

На рис.5.2 показана сегментация памяти на основе примера 4 кБ флэш-памяти, имеющей восемь основных сегментов и оба информационных сегмента.

5.3.Функционирование флэш-памяти

Режим по умолчанию для флэш-памяти - режим чтения. В этом режиме флэш-память не может быть стерта или записана, тактовый генератор и генератор напряжения выключены - память работает подобно ПЗУ.

Флэш-память MSP430 поддерживает внутрисистемное программирование (ISP) и не нуждается в использовании дополнительного внешнего напряжения. ЦПУ может программировать собственную флэш-память. Приведенные ниже режимы записи/стирания флэш-памяти выбираются битами BLKWRT, WRT, MERAS, ERASE:

•запись байта/слова

•запись блока

•стирание сегмента

•массовое стирание (стирание всех сегментов основной памяти)

•полное стирание (стирание всех сегментов)


Флэш-память

FFFFh 4 KB + 256 byte

FOOOh 10FFh 1000h

4кБ основной флэш-памяти

256 байт информационной флэш-памяти

Рис. 5-2. Сегменты флэш-памяти, пример для 4кБ

Чтение или запись флэш-памяти во время программирования или стирания запрещены. Если требуется выполнение программы ЦПУ в течении записи или стирания, исполняемый код должен быть помещен в ОЗУ. Любое обновление флэш может инициироваться из флэш-памяти или ОЗУ.

53.1. Тактовый генератор флэш-памяти

Операции записи и стирания управляются тактовым генератором флэш-памяти, показанным на рис. 5.3. Рабочая частота f(FTG) тактового генератора

FN5 ........... FNOPUC ЕМЕХ

ACLK MCLK SMCLK SMCLK

00 01 10

Делитель 1-64

Тактовый генератор флэш

BUSY WAIT Рис. 5-3. Блок-схема тактового генератора флэш-памяти


должна лежать в диапазоне от ~ 257 кГц до ~ 476 кГц (точные данные см. в руководстве по конкретному устройству).

Тактовый генератор флэш-памяти может тактироваться от ACLK, SMCLK или MCLK. Тактовый сигнал выбранного источника должен быть поделен с помощью битов FNx для обеспечения необходимых требований к частоте f(FTG). Если появляется девиация (отклонение) частоты f(FTG) от требуемого значения в ходе записи или стирания, результат записи или стирания может быть непредсказуемым или же флэш-память окажется подвергнутой ударной перегрузке сверх допустимых пределов, гарантирующих надежную работу.

532. Стирание флэш-памяти

После стирания бит флэш-памяти читается как «1». Можно программировать индивидуально каждый бит, меняя его значение с «1» на «0», но перепрограммирование от «0» к «1» требует выполнения цикла стирания. Сегмент - это наименьшее количество флэш-памяти, которое можно стереть. Существует три режима стирания, которые могут быть выбраны с помощью битов ERASE и MERAS в соответствии с таблицей 5-1.

Таблица 5-1. Режимы стирания

Режим стирания

Стирание сегмента

Массовое стирание (стирание всех сегментов основной памяти)

Стирание всей флэш-памяти (основных и информационных сегментов)

Любое стирание инициируется фиктивной записью1 в адресный диапазон, который будет стерт. Фиктивная запись запускает тактовый генератор флэш-памяти и процедуру стирания. На рис. 5.4 показан временной цикл процесса стира-

Генерация

напряжения

программирования

Операция стирания

Снятие напряжения программирования

Время стирания, от VCC потребляется повышенный ток

-t- 5297/f t- 4819/f

(полное стирание) (массовое стирание)"(FTG)> (стирание сегмента) и 1 "(FTG)I

Рис. 5-4. Временная диаграмма цикла стирания

1 Имеется ввиду выполнение реальной команды записи в флэш-память любых незначащих данных для запуска процедуры стирания.



[стр.Начало] [стр.1] [стр.2] [стр.3] [стр.4] [стр.5] [стр.6] [стр.7] [стр.8] [стр.9] [стр.10] [стр.11] [стр.12] [стр.13] [стр.14] [стр.15] [стр.16] [стр.17] [стр.18] [стр.19] [стр.20] [стр.21] [стр.22] [стр.23] [стр.24] [стр.25] [стр.26] [стр.27] [стр.28] [стр.29] [стр.30] [стр.31] [стр.32] [стр.33] [стр.34] [стр.35] [стр.36] [стр.37] [стр.38] [стр.39] [стр.40] [стр.41] [стр.42] [стр.43] [стр.44] [стр.45] [стр.46] [стр.47] [стр.48] [стр.49] [стр.50] [стр.51] [стр.52] [стр.53] [стр.54] [стр.55] [стр.56] [стр.57] [стр.58] [стр.59] [стр.60] [стр.61] [стр.62] [стр.63] [стр.64] [стр.65] [стр.66] [стр.67] [стр.68] [стр.69] [стр.70] [стр.71] [стр.72] [стр.73] [стр.74] [стр.75] [стр.76] [стр.77] [стр.78] [стр.79] [стр.80] [стр.81] [стр.82] [стр.83] [стр.84] [стр.85] [стр.86] [стр.87] [стр.88] [стр.89] [стр.90] [стр.91] [стр.92] [стр.93] [стр.94] [стр.95] [стр.96] [стр.97] [стр.98] [стр.99] [стр.100] [стр.101] [стр.102] [стр.103] [стр.104] [стр.105] [стр.106] [стр.107] [стр.108] [стр.109] [стр.110] [стр.111] [стр.112] [стр.113] [стр.114] [стр.115] [стр.116] [стр.117] [стр.118] [стр.119] [стр.120]