Ремонт принтеров, сканнеров, факсов и остальной офисной техники


назад Оглавление вперед




[34]

Выбор SMCLK. Эти биты позволяют выбрать источник для SMCLK.

0- DCOCLK

1- XT2CLK, когда XT2 имеется в микросхеме. LFXT1CLK, когда XT2 отсутствует.

Делитель для SMCLK

00 - /1

Биты 2-1

01 - /2

10 - /4

11 - /8

Выбор резистора для DCO.

0- Внутренний резистор

1- Внешний резистор

IE1, регистр 1 разрешения прерываний

7654321О

Биты 7-2

Эти биты могут быть использованы другими модулями. См. справочное руководство конкретной микросхемы.

Разрешение прерывания при возникновении ошибки осциллятора. Этот бит разрешает прерывание OFIFG. Поскольку другие биты в регистре IE1 могут использоваться для других устройств, рекомендуется вместо команд mov.b или clr.b применять команды bis.b или bic.b.

0- Прерывание запрещено

1- Прерывание разрешено

Этот бит может быть использован другими модулями. См. справочное руководство конкретной микросхемы.

IFG1, регистр 1 флагов прерываний

7 6 5 4

3 2 10

Биты 7-2

Эти биты могут быть использованы другими модулями. См. справочное руководство конкретной микросхемы.

Флаг прерывания при возникновении ошибки осциллятора. Поскольку остальные биты в регистре IFG1 могут использоваться для других устройств, рекомендуется вместо команд mov.b или clr.b применять команды bis.b или bic.b.

0- Прерывание не ожидается

1- Прерывание ожидается

Этот бит может быть использован другими модулями. См. справочное руководство конкретной микросхемы.


Контроллер флэш-памяти

Раздел V.

Texas Instruments


Контроллер флэш-памяти

В этом разделе описывается работа контроллера флэш-памяти семейства MSP430.

5.1. Введение в флэш-память

Флэш-память в MSP430 адресуется побитно, побайтно или пословно и может перепрограммироваться. Модуль флэш-памяти имеет интегрированный контроллер, управляющий процессом стирания и программирования. Контроллер имеет три регистра, тактовый генератор и генератор напряжения для обеспечения напряжений стирания и программирования.

Флэш-память в MSP430 обладает следующими возможностями:

•внутренний генератор напряжения для программирования;

•программирование битов, байтов или слов;

•работа при ультранизком потреблении мощности;

•стирание сегмента или массовое (полное) стирание. Блок-схема флэш-памяти и контроллера показана на рис. 5.1.

Тактовый

генератор

Включение

"защелки"

Генератор

напряжения

программирования

Рис. 5-1. Блок-схема модуля флэш-памяти



[стр.Начало] [стр.1] [стр.2] [стр.3] [стр.4] [стр.5] [стр.6] [стр.7] [стр.8] [стр.9] [стр.10] [стр.11] [стр.12] [стр.13] [стр.14] [стр.15] [стр.16] [стр.17] [стр.18] [стр.19] [стр.20] [стр.21] [стр.22] [стр.23] [стр.24] [стр.25] [стр.26] [стр.27] [стр.28] [стр.29] [стр.30] [стр.31] [стр.32] [стр.33] [стр.34] [стр.35] [стр.36] [стр.37] [стр.38] [стр.39] [стр.40] [стр.41] [стр.42] [стр.43] [стр.44] [стр.45] [стр.46] [стр.47] [стр.48] [стр.49] [стр.50] [стр.51] [стр.52] [стр.53] [стр.54] [стр.55] [стр.56] [стр.57] [стр.58] [стр.59] [стр.60] [стр.61] [стр.62] [стр.63] [стр.64] [стр.65] [стр.66] [стр.67] [стр.68] [стр.69] [стр.70] [стр.71] [стр.72] [стр.73] [стр.74] [стр.75] [стр.76] [стр.77] [стр.78] [стр.79] [стр.80] [стр.81] [стр.82] [стр.83] [стр.84] [стр.85] [стр.86] [стр.87] [стр.88] [стр.89] [стр.90] [стр.91] [стр.92] [стр.93] [стр.94] [стр.95] [стр.96] [стр.97] [стр.98] [стр.99] [стр.100] [стр.101] [стр.102] [стр.103] [стр.104] [стр.105] [стр.106] [стр.107] [стр.108] [стр.109] [стр.110] [стр.111] [стр.112] [стр.113] [стр.114] [стр.115] [стр.116] [стр.117] [стр.118] [стр.119] [стр.120]