Ремонт принтеров, сканнеров, факсов и остальной офисной техники


назад Оглавление вперед




[0]

Разработка и применение высокоскоростных схем управления силовыми

полевыми транзисторами.

1. Введение

Сегодня большинство высокочастотных схем силовой электроники построено на основе полевых транзисторов с изолированным затвором (MOSFET - Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor). Любопытно, но технология полевых транзисторов была впервые предложена в 1930 году, примерно на 20 лет раньше появления биполярных транзисторов. Первые сигнальные полевые транзисторы появились в конце 50-х годов, а вот полевые транзисторы, практически пригодные для силовых устройств, оказались доступны только с середины 70-х годов. Сегодня полевые транзисторы стали одними из самых распространенных элементов электронной индустрии и входят в состав широчайшего круга изделий - от микропроцессоров до силовых интегральных схем.

Акцент этой статьи сделан на требованиях к схемам управления силовыми полевыми транзисторами в различных вариантах их применений в импульсных источниках питания. Как и любая другая книга, эта статья требует последовательного чтения, поскольку каждая последующая глава включает в себя сведения, обсуждаемые в предыдущих.

Эпитаксиальный слой

Подложка Сток

(а) Транзистор с двойной диффузией

2. Технология полевых транзисторов

Принцип работы полевых и биполярных транзисторов один и тот же. По большому счету оба типа транзисторов являются устройствами, управляемыми зарядом, то есть их выходной ток пропорционален заряду в полупроводнике управляющего электрода. При использовании в ключевом режиме оба типа транзисторов должны управляться от низкоимпедансного источника, способного как отдавать, так и принимать достаточное количество тока для быстрого изменения заряда на управляющем электроде. С этой точки зрения полевые транзисторы требуют той же мощности переключения, что и биполярные, но только на время их скоростного включения и выключения. Теоретически, скорость переключения полевого и биполярного транзисторов близки, и определяется временем переноса заряда в/из области полупроводника. Типовая величина этого времени в силовых компонентах составляет порядка 20-200 пикосекунд, и зависит от размеров устройства.

В цифровых и силовых устройствах использование полевых транзисторов более популярно, и это можно объяснить двумя факторами. Во-первых, полевыми транзисторами гораздо легче управлять - их управляющий электрод изолирован от области переноса тока, и для поддержания его в открытом состоянии энергии не требуется вообще. Как только полевой транзистор включился, его управляющий ток практически равен нулю. Кроме того, заряд, необходимый для переключения, значительно снижен и, соответственно, снижено время его переноса. Это в огромной степени снижает проблемы с излишним падением напряжения на приборе в статическом режиме - оно обратно пропорционально избытку управляющего заряда - и резко уменьшает время выключения транзистора. В результате, использование полевых транзисторов оказывается значительно более выгодным в плане простоты и эффективности схем управления.

Второй фактор - особенно важный для силовой электроники - заключается в том, что канал полевого транзистора ведет себя как резистор, то есть падение напряжения между стоком и истоком изменяется линейно от протекающего через канал тока. Это линейное соотношение характеризуется сопротивлением канала в открытом состоянии RDS(on), и оно является константой при заданном напряжении на ключе и температуре кристалла. В противоположность p-n переходу с его отрицательным температурным коэффициентом -2,2mV/°C, сопротивление открытого канала полевого транзистора имеет положительный температурный

Эпитаксиальный слой

Подложка

(b) Транзистор с V-образной канавкой

( Затвор

p Подложка

(b) Транзистор с горизонтальной структурой

Рис. 1 Разновидности полевых транзисторов


коэффициент примерно от 0.7%/°C до 1%/°C, что позволяет очень легко параллелить их в мощных устройствах, когда использование одиночных компонентов не оправданно с практической точки зрения, или вообще невозможно. Из-за положительного температурного коэффициента, работающего как медленная отрицательная обратная связь, происходит автоматическое выравнивание токов через отдельные ключи - транзистор, ток через который больше, и нагревается больше, а поскольку напряжение на всех ключах одинаковое, то это приводит к уменьшению тока через его канал. В результате достигается равновесие, когда ток через все параллельно включенные транзисторы одинаков. Начальный разброс сопротивлений открытого ключа и различные тепловые сопротивления переход -окружающая среда могут приводить к значительному - до 30% - разбросу в распределении токов.

Типы полевых транзисторов

Почти все производители полевых транзисторов используют свои уникальные хитрости в технологии построении силовых транзисторов, но все представленные на рынке типы ключей можно свести всего к трем вариантам, показанным на рис. 1.

Силовые полевые транзисторы с двойной диффузией были предложены в 1970-х годах, и с тех пор непрерывно развивались. Использование структуры затвора на основе поликристаллического кремния и самовыравнивающихся процессов позволило добиться высокой степени интеграции и существенного снижения паразитных емкостей.

Следующий рывок в плане дальнейшего увеличения плотности ячеек силовых полевых транзисторов произошел при внедрении технологии использования V-образных канавок (Trench технология). Тем не менее, улучшение характеристик и увеличение плотности энергии оказались не бесплатными - такие транзисторы оказались значительно сложнее в изготовлении и, соответственно, дороже.

Наконец, существуют силовые полевые транзисторы с горизонтальной структурой. Этот тип транзистора характеризуется небольшими значениями предельных токов и напряжений - эффективно разместить его кристалл в корпусе не удается. Тем не менее, они оказались весьма полезными в устройствах с низкими рабочими напряжениями, например в DC-DC конверторах для микропроцессорных систем и в синхронных выпрямителях. Полевые транзисторы с горизонтальной структурой имеют значительно более низкие паразитные емкости, поэтому скорости их переключения значительно выше, и они не требуют мощных схем управления.

Модели полевых транзисторов

Для анализа работы полевых транзисторов существует множество моделей, и, тем не менее, адекватное описание их работы может оказаться весьма проблематичным. Большинство производителей полевых транзисторов предлагают Spice и/или Saber модели для своих изделий, но они говорят слишком мало о ловушках, подстерегающих разработчика при практическом их применении. Эти модели предлагают, как правило, несколько способов разрешения наиболее общих вопросов.

(a)(b)(c)

Рис. 2 Модели полевых транзисторов

Действительно полезная модель полевого транзистора, способная описать все наиболее важные свойства прибора с практической точки зрения, очень сложна. С другой стороны, если ограничиться только узким кругом интересующих нас проблем, то можно использовать очень простую и понятную модель.

Первая модель на рис. 2 основана на действительной структуре полевого транзистора и, в основном, может применяться для анализа работы на постоянном токе. Символ полевого транзистора на рис. 2a показывает сопротивление канала, а канальный полевой транзистор эмулирует сопротивление эпитаксиального слоя. Можно сказать, что сопротивление эпитаксиального слоя есть функция максимального напряжения устройства -высоковольтные полевые транзисторы требуют более толстого эпитаксиального слоя.


Модель на рис. 2b может весьма эффективно описывать режим пробоя полевого транзистора, вызванного резким изменением напряжения. Она показывает оба основных механизма пробоя - вызванные резким изменением напряжения открывание паразитного биполярного транзистора (он присутствует во всех силовых полевых транзисторах) и открывание канала из-за наличия импеданса затворного вывода. Правда, современные силовые полевые транзисторы практически не подвержены таким пробоям. Но эта модель должна напомнить и о другой роли паразитного биполярного транзистора - его коллекторный переход образует хорошо известный антипараллельный внутренний диод.

На рис. 2c изображена импульсная модель полевого транзистора. На ней показаны наиболее существенные паразитные компоненты, влияющие на частотные свойства транзистора. Их влияние будет рассмотрено в следующих главах, посвященным процессам силовых переключения полевых транзисторов.

Наиболее важные параметры полевых транзисторов

В ключевом режиме работы полевого транзистора основной целью является его переключение между состояниями с наибольшим и наименьшим сопротивлением за минимально возможное время. Фактическое время переключения полевого транзистора (примерно от 10 до 60 нс) как минимум на два порядка превышает теоретическое (примерно от 20 до 200 пс), и очень важно понять причину возникновения такой разницы. Снова оглядываясь на модель на рис. 2, заметим, что все модели включают в себя три паразитных конденсатора, включенные между выводами прибора, и, в конечном итоге, ключевые свойства полевого транзистора зависят от того, как быстро эти емкости могут перезаряжаться.

Следовательно, в устройствах с высокими скоростями переключения наиболее важными параметрами полевого транзистора являются характеристики этих паразитных конденсаторов. Два из них, CGS и CGD , связаны с геометрией ключа, в то время как CDS есть емкость коллекторного перехода паразитного биполярного транзистора.

Конденсатор CGS формируется при наложении затворного электрода на области истока и канала, соответственно, его величина зависит от геометрических размеров перекрытия и остается постоянным при любых условиях работы.

Конденсатор CGS образуется от наложения двух эффектов - от того же самого перекрытия области канала и затворного электрода плюс нелинейная емкость между областью канала и обедненной областью. Его эквивалентная емкость является функцией напряжения между стоком и истоком, и может быть аппроксимирована следующей формулой:

CGD » "---Ш=

1 + K1 vds

Конденсатор CDS так же нелинеен, поскольку он образован емкостью перехода паразитного биполярного транзистора, и зависимость его величины от напряжения может быть описана как:

1+K2•VvDS

К сожалению, ни одна из перечисленных выше величин паразитных емкостей прямо не приводится в документации на транзистор, но их величины могут быть получены косвенным путем из приводимых величин CISS ,

CRSS и COSS по формулам:

CGD = CRSS CGS = CISS - CRSS CDS = COSS - CRSS

Дальнейшее усложнение связано с тем, что в ключевом режиме емкость CGD образует отрицательную обратную связь между входом и выходом прибора. Поэтому в этом случае его эффективная величина может быть гораздо выше, и зависеть от напряжения сток-исток полевого транзистора. Этот феномен известен как эффект Миллера, и может быть выражен как:

CGDeqv = (1 + gfs RL) CGD

Поскольку емкости CGD и CDS зависят от напряжения на транзисторе, их величины, приводимые в документации, верны только для условий тестирования. Подходящие для конкретного случая емкости могут быть рассчитаны,



[стр.Начало] [стр.1] [стр.2] [стр.3] [стр.4] [стр.5] [стр.6] [стр.7] [стр.8] [стр.9] [стр.10] [стр.11] [стр.12] [стр.13] [стр.14] [стр.15] [стр.16]