Ремонт принтеров, сканнеров, факсов и остальной офисной техники


назад Оглавление вперед




[8]

3 В скобках указаны размеры сечения.

4. В числителе указан минимальный ток стабилизации, в знаменателе - максимальный.

Стабилитроны цепей управления. В зависимости от целевого назначения стабилитронов, используемых в цепях управления, к ним предъявляют различные требования по разбросу напряжения стабилизации, температурной стабильности, дифференциального сопротивления и т. д.

Если необходимо обеспечить минимальный разброс UcT и максимальную температурную стабильность опорного напряжения стабилитрона, то следует применять прецизионные стабилитроны, лучше удовлетворяющие данным требованиям. В остальных случаях можно рекомендовать применение стабилитронов общего назначения, которые имеют более широкую номенклатуру. Это, в частности, позволяет подобрать стабилитроны с параметрами, оптимальными для конкретных областей применения.

В табл. 14 и 15 приведены характеристики некоторых типов стабилитронов, которые могут быть рекомендованы для изделий автомобильной электронной аппаратуры. Из сопоставления данных табл. 14 и 15 следует, что у прецизионных стабилитронов допустимый разброс UCJ в 2 раза меньше, а величина O,UCT на 1 - 2 порядка меньше, чем у стабилитронов общего назначения.

АКТИВНЫЕ КОМПЛЕКТУЮЩИЕ ЭЛЕМЕНТЫ

Транзисторы

В автомобильной электронной аппаратуре в основном применяются биполярные транзисторы [24, 32]. Поэтому в настоящем разделе рассматриваются характеристики и даются рекомендации по применению транзисторов только этого типа.

Свойства транзисторов характеризуются большим числом параметров, однако-!не все из них являются определяющими при выборе того или иного типа транзистора для автомобильной электронной аппаратуры. С учетом этого при рассмотрении транзисторов различного типа их оценку следует проводить по следующим параметрам:

максимально допустимым постоянному 1к max и импульсному 1К и тах токам коллектора; максимально допустимому постоянному току базы 1Бтах;

напряжению насыщения коллектор - эмиттер икэ нас при заданном токе коллектора; напряжению насыщения база - эмиттер ивз нас при заданных токах коллектора и базы; максимально допустимому постоянному икэ max и импульсному икэ и тах напряжениям коллектор - эмиттер;

максимально допустимым постоянному икв max и импульсному икв,итах напряжениям коллектор - база; постоянному напряжению эмиттер - база U эб ;

обратному току коллектора 1КБО, который измеряется при отключенном эмиттере и подведении к переходу коллектор - база заданного напряжения обратной полярности;

обратному току эмиттера 1ЭБО, который измеряется при отключенном коллекторе и подведении к переходу эмиттер - база заданного напряжения обратной полярности;

обратным токам коллектор - эмиттер при отключенной базе 1кэо, при заданном сопротивлении в цепи база - эмиттер 1кэк и при непосредственном соединении между собой базы и эмиттера 1кэк. Эти токи измеряются при подведении к переходу эмиттер - коллектор заданного напряжения обратной полярности;

статическому коэффициенту передачи тока в схеме с общим эмиттером к21э , представляющему собой отношение постоянного тока коллектора к постоянному току базы при заданных постоянном напряжении коллектор - эмиттер икэ и токе эмиттера 1э;

максимально допустимой постоянной рассеиваемой мощности транзистора Ртах;

рабочему температурному диапазону.

В автомобильной электронной аппаратуре транзисторы используют в качестве элементов силовых цепей, усилительных устройств средней мощности, а также маломощных цепей управления. Соответственно этим условиям применения ниже рассматриваются транзисторы различных типов.

Транзисторы силовых цепей. К силовым цепям изделий автомобильной электронной аппаратуры относятся цепи с токами нагрузки порядка нескольких ампер. При использовании транзисторов для коммутации таких токов нагрузки необходимо снизить до минимума мощность, рассеиваемую в транзисторе, во избежание недопустимого его перегрева, а также для уменьшения размеров охлаждающего радиатора.

Для реализации этого требования необходимо обеспечить работу транзистора в режиме с минимальным падением напряжения в его переходе эмиттер - коллектор. Таким режимом является режим насыщения транзистора, поэтому при выборе типа транзистора для коммутации токов в силовых цепях, в первую очередь, следует оценивать величину икэнас. Следует, однако, иметь в виду, что в случае работы транзистора с высокой частотой коммутации тока, в особенности при растянутых фронтах его изменения, основным фактором, определяющим величину рассеиваемой мощности, являются потери энергии в периоды нарастания и уменьшения силы тока. Поэтому для данных условий работы транзистора наиболее важным его параметром является величина Ртах.


Выше уже отмечалось, что в бортовой сети автомобиля возможны значительные перенапряжения. Поэтому для транзисторов силовых цепей весьма важным параметром является напряжение Икэ, итах- Чем выше коэффициент кг1э транзистора, тем меньший ток необходимо подавать в его базу для обеспечения режима насыщения транзистора при заданном токе нагрузки (токе коллектора). Соответственно уменьшается и мощность, рассеиваемая в элементах цепи управления силовым транзистором. Это позволяет использовать в данной цепи управляющие элементы (в том числе транзисторы) меньшей мощности.

Транзисторы, предназначенные в основном для применения в силовых цепях, используют и в некоторых устройствах, где токи нагрузки не превышают десятых долей ампера, но где транзисторы должны работать в активном режиме со значительным падением напряжения в цепи эмиттер - коллектор. В этом случае лимитирующим параметром транзистора становится величина Ртах- Такой режим, в частности, характерен для выходных транзисторов стабилизаторов напряжения, а также мощных эмиттер-ных повторителей.

Автомобильная электронная аппаратура не должна выходить из строя в случае ошибочного ее включения под напряжение обратной полярности. Наиболее просто эта задача решается установкой в цепи питания аппаратуры полупроводникового диода. Однако в таком диоде имеется падение напряжения 0,8 - 1 В, что в некоторых случаях недопустимо. Кроме того, установка диода в силовой цепи приводит к значительному возрастанию мощности, рассеиваемой в аппаратуре, и, следовательно, увеличению ее нагрева.

Для обеспечения требуемой защиты элементов аппаратуры вместо диода может быть использован транзистор, переход эмиттер - коллектор которого включается в цепь питания аппаратуры. При правильно выбранных параметрах транзистора падение напряжения в его переходе эмиттер - коллектор может быть уменьшено до 0,2 - 0,3 В, а в некоторых случаях оказывается даже возможным совместить в транзисторе как основные его функции, так и функции защиты элементов цепей от напряжения обратной полярности. В обоих случаях обязательным условием является Применение транзисторов, у которых допустимое напряжение эмиттер - база не ниже напряжения источника питания аппаратуры.

В табл. 16 и 17 приведены характеристики некоторых типов мощных кремниевых транзисторов, которые могут быть рекомендованы для применения в силовых цепях, а также устройствах стабилизации напряжения и цепях усиления.

Транзисторы средней мощности. К этой группе условно могут быть отнесены транзисторы с максимальной силой постоянного тока 1ктах=0,3~0,8 А и рассеиваемой мощностью Ртах = 0,2ч-- l Вт. Их в основном применяют в качестве усилительных или коммутирующих элементов предвыходных каскадов усиления, а также в выходных цепях эмиттерных повторителей и стабилизаторов напряжения небольшой мощности. Для транзисторов данной группы наряду со значениями 1к max и Ртах наиболее важными параметрами являются напряжение насыщения коллектор - эмиттер икэ наг, постоянное напряжение эмиттер - база иЭБ, статический коэффициент передачи тока Ь21э, значения обратных токов 1КБО и 1ЭБО.

Если источником питания транзисторов является непосредственно бортовая сеть автомобиля, то к числу наиболее важных параметров транзисторов следует отнести величины икэ, и max и икэтах, которые должны быть не ниже возможных уровней перенапряжений в бортовой сети. В остальных случаях значение Икэтах должно быть по крайней мере не ниже напряжения источника питания транзисторов.

В табл. 18 приведены характеристики некоторых транзисторов, которые могут быть рекомендованы для применения в качестве усилительных и коммутирующих элементов устройств средней мощности.

Транзисторы малой мощности цепей управления. К данной группе условно можно отнести транзисторы с максимальной силой постоянного тока меньше 200 мА или с рассеиваемой мощностью ниже 250 мВт.

Для транзисторов этой группы наряду со значениями 1к max и Ртах наиболее важными являются следующие параметры: статический коэффициент передачи тока Ь21э, обратные токи 1кво и 1ЭБО; постоянное напряжение эмиттер - база U ЭБ ; напряжение насыщения коллектор - эмиттер Икэ наг и база - эмиттер Ивэ нас-

Номенклатура выпускаемых транзисторов малой мощности весьма широка. Это позволяет, исходя из конкретных условий применения, выбрать наиболее соответствующий по параметрам тип транзистора. Вместе с тем в автомобильной электронной аппаратуре все же рекомендуется использовать ограниченную номенклатуру таких транзисторов (см. табл. 18).

16. Характеристики транзисторов силовых цепей типа n-p-t

Тип транзистор а

«!

Температу

окружаю

щей среды, °С

Режим усиления

Я при 50°С, Вт

о и m нн

Диаметр, мм

Высота, мм

60 (30)

КТ805АМ


КТ808АМ

- 60 - +125

1,5/0,5

0,5/0,05

- 40 - +100

1,5/0,5

0,5/0,05

100/0,6

-40 - +100

+125 - 60 -

*2 7,8x11

0,5/0,2

100/2,4

- 60 - +125

0,5/0,2

- 60 - +125

100/1,5

1 При температуре 25еС. *2 Размеры сечения. Примечания: I. В числителе приведены максимально допустимые значения, в знаменателе - соответствующие режиму насыщения 2. В скобках указана рассеиваемая мощность при максимальной окружающей среды.

значения, температуре

17. Характеристики транзисторов силовых цепей типа

Тип транзи-

11эб. В

Температура окружающей среды, °С

Режим усиления

P. при 25° С, Вт

Размер ы

Высота, мм

сечения , мм

1,5/0,5

0,5/0,05

- 40-----[-100

1,5/0,5

0,5/0,05

100/0,6

- 40 - 1-100

- 60 - hi 25

- 60 - [-125

0,5/0,2

- 40 - [-100

39,2x26

0,5/0,2

- 40 - f 100

39,2x26

- 60 - 1-100

80 50 -

150 20 -

80 20 -

80 50 -

- 60 - hi 00

- /0,37

- 60 - hi 00

- 60 - hi 00

- 60 - 4-100

- 40 - [-85

Примечание. В числителе приведены максимально допустимые значения, в знаменателе режиму насыщения.

значения, соответствующие

18. Характеристики

транзистора

транзисторов средней и малой мощности для цепей управления

IK , мА

окружаю щей

среды, °С

усиления

1кбо, !эбо, 1кэя, \р ДиаВы-



[стр.Начало] [стр.1] [стр.2] [стр.3] [стр.4] [стр.5] [стр.6] [стр.7] [стр.8] [стр.9] [стр.10] [стр.11] [стр.12] [стр.13] [стр.14] [стр.15] [стр.16] [стр.17] [стр.18] [стр.19] [стр.20] [стр.21] [стр.22] [стр.23] [стр.24] [стр.25] [стр.26] [стр.27] [стр.28] [стр.29] [стр.30] [стр.31] [стр.32] [стр.33] [стр.34] [стр.35] [стр.36] [стр.37] [стр.38] [стр.39] [стр.40] [стр.41]