Наибольший объем, как видно, занимают фильтры и каскады усиления, что объясняется сосредоточением в этих узлах наиболее громоздких и трудно поддающихся миниатюризации элементов - катушек индуктивности, электромагнитных реле, трансформаторов, конденсаторов, предназначенных для работы на больших уровнях сигнала. В этой связи миниатюризация элементов электронной техники и на сегодняшний день продолжает оставаться одним из эффективных направлений снижения габаритов радиопередающих устройств. Важнейшими задачами в этом направлении на современном этапе являются: расширение номенклатуры существующих и создание новых малогабаритных безвыводных конденсаторов на большие реактивные мощности; создание малогабаритных электронных коммутаторов, способных коммутировать большие мощности не только на высоких, но и на низких частотах; расширение диапазона частот, увеличение мощности и повышение степени интеграции монолитных модулей усилителей; создание единой унифицированной большой интегральной схемы цепи автоматики.

Однако решение этих задач даст значительный эффект в основном при конструировании усилителей с небольшой выходной мощностью - до 15 Вт. С увеличением выходной мощности, а следовательно, и мощности рассеивания эффективность рассматриваемого направления постепенно снижается из-за увеличения объема системы ствола тепла.

Наиболее простой путь решения тепловых вопросов заключается в сокращении времени непрерывной работы передатчика и увеличении длительности интервалов между включениями. Процесс охлаждения в таких устройствах состоит в использовании теплоемкости небольшого радиатора с последующим излучением тепла (конвекцией, теплоотдачей и частично лучеиспусканием) в окружающее пространство. Совершенствование этого направления привело к использованию заполненных плавящимся веществом (например, стеариновой кислотой, азотнокислым никелем, эвтектикой на основе висмута, олова, свинца и кадмия) радиаторов, которые за счет скрытой теплоты плавления- увеличивают длительность непрерывной работы.

При необходимости очень продолжительной непрерывной работы, например в течение суток, такой параметр, как теплоемкость, отступает на задний план, а первостепенным становится тепловое сопротивление корпус транзистора - окружающая среда. Это сопротивление, в свою очередь, состоит из трех последовательно включенных: сопротивления «корпус транзистора - радиатор», сопротивления растекания тепла по радиатору и сопротивления «радиатор - окружающая среда». Первое определяется чистотой обработки теплоотво-дяшей поверхности транзистора, обработкой радиатора и зазором между транзистором и радиатором. Этот зазор обычно заполняется пастой КПТ-8, снижающей тепловое сопротивление.

Тепловое сопротивление, связанное с растеканием тепла по радиатору, зависит от его материала и размеров. Обычно используемые материалы - это алюминий и его сплавы, реже - медь. Из размеров радиатора наиболее важна площадь его сечения в плоскости, перпендикулярной направлению теплового потока. Чем она больше, тем ниже рассматриваемое тепловое сопротивление.

Самый сложный вопрос - излучение тепла в окружающее пространство. Оно осуществляется, как правило, естественной конвекцией или принудительным воздушным либо жидкостным охлаждением. При естественной конвекции габариты радиатора существенно превышают габариты электрической части усилителя. Так, усилитель на 50 Вт диапазона 120 - 180 МГц, предназначенный для непрерывной круглосуточной работы, с радиатором игольчатого типа занимает объем 5 дм3, в то же время как объем его электрической части не превышает 0,65 дм3. При принудительном охлаждении габариты получаются меньшими, однако такое охлаждение не всегда возможно. 3 этой связи проблема повышения эффективности отвода тепла выступает на первый план в решении задачи дальнейшей миниатюризации усилителей с выходной мощностью более 15 Вт.

Решение этой проблемы представляется целесообразным вести параллельно со снижением мощности рассеивания, что при неизменной выходной мощности обеспечивается только путем повышения КПД

усилителей. Такой путь, как отмечалось, реализуется схемотехническими решениями, опирающимися на ключевой режим работы, одинаково пригодный как для усиления сигналов с неизменной или коммутируемой аплитудой, так и для усиления амплитудно-модулированных, в частности однополосных, сигналов. Для развития этого направления необходимы специальные ключевые приборы с большими значениями предельно допустимых токов и напряжений, характеризующиеся малой длительностью переходных процессов при включении и выключении, что особенно важно на высоких частотах. В этой связи, несмотря на значительные успехи в создании мощных ВЧ транзисторов, решивших проблему полной транзи-сторизации передающей аппаратуры практически с любым уровнем выходной мощности (по крайней мере, до десятков киловатт), продолжают оставаться актуальными вопросы разработки более мощных и в то же время более высокочастотных и широкополосных полупроводниковых приборов.

Итак, в настоящей главе, посвященной применению мощных транзисторов, были рассмотрены как общие вопросы, касающиеся основных характеристик, схем построения, вида используемых транзисторов и режимов работы усилительных устройств, так и специальные, касающиеся главным образом применения транзисторов в ВЧ усилителях мощности. Более того, усилителям мощности как одному из наиболее распространенных классов преобразователей энергии, сочетающему в себе все многообразие характеристик устройств этого типа, была посвящена значительная часть материала. В частности, было показано, что усилители мощности могут строиться по двум направлениям: прямому покаскадному усилению мощности и получению требуемой мощности сразу - от мощного автогенератора, управляемого усиливаемым сигналом с помощью системы фазовой автоподстройки частоты. Отмечено, что уеилители, использующие второе направление, эквивалентны узкополосным электронно-перестраиваемым мощным усилителям с высокой селективностью, которая необходима для качественной «очистки» сформированного ВЧ сигнала от посторонних сопутствующих сигналов, в том числе и шума. Отмечена также целесообразность использования этого направления при построении усилителей по методу раздельного усиления, позволяющая за счет введения корректирующей обратной связи по фазе сигнала наряду с отрицательной обратной связью по его амплитуде получить низкий уровнь комбинационных искажений. В то же время показано, что усилители на основе управляемых автогенераторов, за исключением некоторых частных случаев, уступают усилителям прямого усиления по энергетическим, массогабаритным и стоимостным характеристикам.

При анализе усилителей большое внимание уделялось рассмотрению путей получения высоких значений энергетических характеристик, особенно при работе на изменяющуюся нагрузку; изучению путей снижения уровней нежелательных колебаний, возникающих в усилителе под действием помех из тракта формирования сигнала, источника питания и антенны радиопередатчика; обеспечению широкой полосы частот; определению минимального уровня входного сигнала по величине шума на выходе и устойчивости усилителя; обеспечению высокой надежности работы усилителя путем соответствующих устройств деления и суммирования мощности, а также мер по защите транзисторов и автоматическому регулированию режима работы. Отмечено большое влияние на качество работы усилителя его конструкции и связанных с ней вопросов теплоотвода. Приведены примеры построения усилителей с выходной мощностью от 1,5 до 80 Вт, предназначенных для работы в различных участках диапазона частот от 2 до 150 МГц.

При освещении всех этих вопросов обращалось внимание на связь параметров используемых транзисторов с основными характеристиками устройств. В частности, отмечено, что эти характеристики получаются тем выше, чем меньше барьерная емкость коллекторного перехода Ск, поризведение r6 Си, паразитные индуктивности выводов и корпуса прибора, отклонение выходных характеристик от горизонтальных прямых, длительность переходных процессов при переключении и уровень собственного шума. В этой связи, безусловно, целесообразно проведение дальнейших работ по созданию мощных ВЧ транзисторов с улучшенными значениями этих параметров, а также с более высокими предельно допустимыми токами и напряжениями.

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1.Мазель Е. 3. Мощные транзисторы. - М.: Энергия, 1969. - 280 с,

2.Кремниевые планарные транзисторы/ Под ред. Я. А. Федотова. - М.: Советское радио, 1973. - 336 с.

3.Трутко А. Ф. Методы расчета транзисторов. - М.: Энергия,. 1971. - 272 с.

4.Van Vliet К. М. Theories of the p-n junction in the charge neutrality approximation. - Solid State Electronics, 1966, v 9, № 3r p. 185 - 201.

5.Кремниевые мощные меза-планарные транзисторы с мощностью-рассеяния 30 - 60 Вт и предельной частотой более 200 МГц/ Е. 3. Мазель и др. - Электронная техника. Сер. 2, 1966, вып. 2Г с. 203 - 212.

6.Кэрли, Макджаф и О. Брайен. Многоэмиттерный транзистор. - Электроника, 1965, № 17, с. 15 - 22.

7.Chen J. Т. С., Snapp С. P. Bipolar microwave linear power transistor design. - IEEE Transactions, 1979, v. 27, № 5, p. 423 - 430,

8.Шаффт. Вторичный пробой. - ТИИЭИР, 1967, 8 с. 33 - 51.

9.Hower P. L., Reddi V. G. K. Avalanche injection and second breakdown in transistors. - IEEE Transactions, 1970, v. ED-17, № 4,

10.Пат. 3358197 (США). Semiconductor device/ Scarlett R. M. И. Пат. 4157561 (США). High power transistor/ Yochiaki Nawata et al.

12.Мощные высокочастотные транзисторы для аппаратуры связи KB и УКВ диапазонов/ Е. 3. Мазель, А. П. Гуров, А. Ф. Бобров-ников, Е. А. Никольский. - Электронная техника. Сер. 2, 1983,-вып. 3, с. 162.

13.Отказы ВЧ транзисторов, которых не должно быть. - Электроника, 1977, № 10, с. 99 - 101.

14.Sze S. М., Gibbons G. Effect of junction curvature on breakdown voltage in semiconductors. - Solid State Electronics, 1966, v 9r № 9, p. 831 - 845.

15.Kao, Уоллей. Высоковольтные планарные р-п переходы - ТИИЭИР, 1967, № 8, с. 183 - 189.

16.Adler М. S., Temple V. А. К., Ferr A. P., Rustav R. С. Theory and breakdown voltage for planar devices with a signle field limiting ring. - IEEE Transactions, 1977, v. ED-24, № 2, p. 107 - 113.

17.Альтман. Состояние и перспективы развития дискретных полу-проводниковых приборов. - Электроника, 1973, № 9, с. 85 - 94.

18.Основы технологии кремниевых интегральных схем. Окисление, диффузия, эпитаксия: Пер. с англ./ Под ред. В. Н. Мордковича и Ф. П. Пресса. - М.: Мир, 1969. - 451 с.

19.Мазель Е. 3., Пресс Ф. П. Планерная технология кремниевых приборов. - М.: Энергия, 1974. - 384 с.

20.Пресс Ф. П. Фотолитография в производстве полупроводниковых приборов. - М.: Энергия, 1968. - 200с.

21.Мощный охлаждаемый водой ВЧ транзистор. - Электроника, 1982, № 17, с. 20 - 21.

22.Радиопередающие устройства на полупроводниковых приборах/ Под ред. Р. А. Валитова, И. А. Попова. - М.: Сов. радио, 1973. - 462 с.

23.Линде Д. П. Радиопередающие устройства. - М.: Энергия, 1969. - 680 с.

24.Транзисторы. Параметры, методы измерений и испытаний/ М. Г. Агапова и др.; Под ред. II. Г. Бергельсона, Ю. А. Каменецкого, И. Ф. Николаевского. - М.: Сов. радио, 1968. - 504 с.

25.Аронов В. Л., Федотов Я. А. Испытания и исследования полупроводниковых приборов. - М.: Высшая школа, 1975. - 325 с.

26.Choma G. High frequency breakdown in diffused transistors - IEEE Transactions, 1971, v. ED-18, № 6, p. 347 - 349.

27.Малиновски Х. Максимальное напряжение на коллекторе мощного ВЧ транзистора. - ТИИЭИР, 1969, т. 57, № 10, с. 150.

28.Джонсон И., Мэллинджер М. Высокочастотные мощные транзисторы. - Электроника, 1971, т. 44, № 19, с. 58.

29.Каганова И. И., Миркин А. И. Особенности методики измерения выходной мощности, коэффициента усиления по мощности мощных ВЧ транзисторов. - Электронная техника. Сер. 2, 1974, вып. 3, с. 51 - 64.

30.Каганова И. И., Миркин А. И. Методика измерения сопротивления нагрузки в узкополосном усилителе. - Электронная техника Сер. 2, 1977, вып. 7, с. 59 - 66.

31.Каганова И. И., Миркин А. И. Измерение входных импедансов мощных транзисторов в области ВЧ.

-Электронная техника. Сер. 2, 1979, вып. 3, с. 82 - 89.

32.Каганова И. И., Миркин А. И. Измеритель РВых, /Сур, М3 мощных транзисторов. - Электронная промышленность, 1973 вып. 7/21, с. 42 - 43.

33 Скопенко А. И., Махненко В. И., Пивторак Н. Н. Упруго-пластические деформации в многослойных паяных соединениях полупроводниковых приборов при циклических теплосменах. - Автоматическая сварка, 1974, № 3, с. 33 - 36.

34.Lang G. A., Feder В. J., Williams W. D. Thermal-fatigue in Si power transistors. - IEEE Transactions, 1970, v. ED-17, № 9.

35.Reich B. A study of accelerated storage test conditions applicable to semiconductor devices and microcircuits.

-IEEE Transactions 1978, v. R-27, № 3, p. 178 - 180.

36.Beatty B. A. et al. Second breakdown in power transistors due to avalanche injection. - IEEE Transactions, 1977, v. ED-24, Л° 6.

37.Bennett W. P., Kumbatowic R. A. Power and energy limitations of bipolar transistors imposed by thermal-mode and current-mode second breakdown mechanisms. - IEEE Transactions 1981 v. ED-28, № 10, p. 1154 - 1162.

38.Poole W. E. Electromigration in microwave power transistors. - Microelectronics, 1973, v. 5, № 1, p. 40.

39.Ca Combe D. J., Naster R. J., Carroll J. E. A study of the reliability of microwave transistors. - IEEE Transactions Part. Hybrid and Packag, 1977, v. 13, № 4, p. 354 - 361.

40.Sommer N. D., Feucht D. L., Heckel R. W. Reliability and thermal impedance studies in soft-soldered power transistors. - IEEE Transactions, 1976, v. ED-23, № 8, p. 843 - 850.

41.Learn A. J., Shephard W. H. Reduction of electromigration-induced failure in aluminum metallization through anodization. - IEEE 9th annual reliability symposium, 1971, p. 129 - 134.

42.Ainslie N. G., dHeurle F. M., Wells О. С. Coating, mechanical constraints and pressure effects on electromigration. - Appl. Phys. Letters, 1972, v. 19, p. 173 - 174.

43.Ames I., dHeurle F. M., Horstmann R. E. Reduction of electro-migration in aluminum films by copper doping. - IBM Journ. of Res. and Development, 1970, v. 14, p. 461 - 465.

44.Garbonshain V. Gold: the new standard in transistor reliability. - Microwaves, 1972, v. 4, № 7, p. 54 - 55.

45.Tadetoshi Nazaki, Hidekazu Okabayashi. Suppression of mobile ion related instability in Mo-gate MOS-structures. - Journ. of Electrochem. Society, 1981, v. 128, № 1, p. 175 - 179.

46.Каганов В. И. Транзисторные радиопередатчики. - М.: Энергия, 1976. - с. 75 - 261, 337 - 423.