Рис. 52

б) Спектральная характеристика - это зависимость мощности излучения от длины волны Pu=f(X).

Рис. 53

Основные параметры: яркость свечения при максимальном прямом токе; полная мощность излучения Pu.max.

Импульсные, высокочастотные (ВЧ) и сверхвысокочастотные (СВЧ) диоды

1)Импульсные диоды

2)Диоды ВЧ

3)СВЧ диоды

1) Импульсные диоды. Импульсные диоды предназначены для работы в импульсных цепях с длительностями импульсов от нескольких нс до нескольких мкс. Рассмотрим работу обычного p-n перехода при подаче на него импульсного напряжения.

Рис. 54

Рис. 55

В промежуток времени от 0 до tl p-n переход закрыт (обратным напряжением пренебрегаем). В момент t1 p-n переход открывается, но ток через него и через нагрузку достигает своего максимального, то есть установившегося значения, не мгновенно, а за время tуст., которое необходимо для заряда барьерной ёмкости p-n перехода.

В момент времени t2 p-n переход почти мгновенно закрывается. Область p-проводимости оказывается насыщенной неосновными носителями зарядов, то есть электронами. Не успевшие рекомбинировать электроны под действием поля закрытого p-n перехода возвращаются в n-об-ласть, за счёт чего сильно возрастает обратный ток. По мере ухода электронов из p-области обратный ток уменьшается, и через время tвосст. p-n переход восстанавливает свои «закрытые» свойства. В импульсных диодах время восстановления и установления должны быть минимальными. С этой целью импульсные диоды конструктивно выполняются точечными или микросплавными. Толщина базы диода делается минимальной. Полупроводник легируют золотом для увеличения подвижности электронов.

2) Диоды ВЧ. Это универсальные диоды, которые могут быть детекторными, модуляторными, импульсными при достаточных длительностях импульса, и даже выпрямительными при малых токах нагрузки. Основное отличие ВЧ диодов - обратная ветвь вольтамперной характеристики плавно понижается (увеличивается обратный ток, постепенно переходя в область электрического пробоя) (смотрите рисунок 56).

Рис. 56

Такое понижение обратной ветви ВАХ объясняется усиленной термогенерацией собственных носителей зарядов на малой площади p-n перехода.

Микросплавные ВЧ диоды имеют большую барьерную ёмкость, чем точечные, и для того, чтобы их можно было использовать на высоких частотах, вблизи p-n перехода понижают концентрацию акцепторной и донорной примеси.

Рис. 57

Понижение концентрации примеси приводит к увеличению ширины p-n перехода, следовательно, к уменьшению барьерной ёмкости:

8 8о Sp - n

Сб =---

3) СВЧ диоды. На СВЧ используются диоды Шоттки и диоды с p-n переходом, площадь которого значительно меньше, чем у точечных.

Рис. 58

Заострённая вольфрамовая проволока в виде пружины прижимается к базе с определённым усилием, за счёт чего образуется очень малой площади p-n переход.

Биполярные транзисторы Устройство, классификация и принцип действия биполярных транзисторов

1)Классификация и маркировка транзисторов

2)Устройство биполярных транзисторов

3)Принцип действия биполярных транзисторов

1) Классификация и маркировка транзисторов. Транзистором называется полупроводниковый преобразовательный прибор, имеющий не менее трёх выводов и способный усиливать мощность. Классификация транзисторов производится по следующим признакам:

•По материалу полупроводника - обычно германиевые или кремниевые;

•По типу проводимости областей (только биполярные транзисторы): с прямой проводимостью (p-n-p - структура) или с обратной проводимостью (n-p-n - структура);

•По принципу действия транзисторы подразделяются на биполярные и полевые (униполярные);

•По частотным свойствам;

НЧ (<3 МГц); СрЧ (3-30 МГц); ВЧ и СВЧ (>30 МГц);