 |
Литература: Программирование и ремонт Импульсные блоки питания Неисправности и замена Радиоэлектронная аппаратура Микросхема в ТА Рубрикатор ТА Кабельные линии Обмотки и изоляция Радиоаппаратура Гибкие диски часть 2 часть 3 часть 4 часть 5 Ремонт компьютера часть 2 Аналитика: Монтаж Справочник Электроника Мощные высокочастотные транзисторы 200 микросхем Полупроводники ч.1 Часть 2 Алгоритмические проблемы 500 микросхем 500 микросхем Сортировка и поиск Монады Передача сигнала Электроника Прием сигнала Телевидиние Проектирование Эвм Оптимизация Автомобильная электроника Поляковтрансиверы Форт Тензодатчик Силовые полевые транзисторы Распределение частот Резисторные и термопарные Оберон Открытые системы шифрования Удк
[8]
acm =--100%
AUcmt = Ucm-Ucm At = 120 - ti0
Стабилитроны, предназначенные для стабилизации малых напряжений, называются стабисто-рами.
Стабисторы - для стабилизации напряжения менее 3В, и у них используется прямая ветвь ВАХ (смотрите рисунок 44).
Рис. 44
Применяются стабисторы в прямом включении.
2) Варикапы.
Варикапом называется полупроводниковый диод, у которого в качестве основного параметра используется барьерная ёмкость, величина которой варьируется при изменении обратного напряжения. Следовательно, варикап применяется как конденсатор переменной ёмкости, управляемый напряжением.
Рис. 45
+ + + + | ||||||
AX -► | ||||||
Принцип действия. Если к p-n переходу приложить обратное напряжение, то ширина потенциального барьера увеличивается. 8 8о Sp - n
При подключении обратного напряжения ширина перехода АХ увеличивается, следовательно, барьерная ёмкость будет уменьшаться. Основной характеристикой варикапов является вольт-фарадная характеристика С=f(Uобр).
Рис. 46
Основные параметры варикапов.
г Максимальное, минимальное и номинальное значение ёмкости варикапа. Т(. , ,, Стах
г Коэффициент перекрытия k =- - отношение максимальной ёмкости к минимальной.
♦ Максимальное рабочее напряжение варикапа.
3) Фотодиоды. Фотодиодом называется фотогальванический приёмник излучения, светочувствительный элемент которого представляют собой структуру полупроводникового диода без внутреннего усиления.
Принцип действия. При облучении полупроводника световым потоком Ф возрастает фотогенерация собственных носителей зарядов (смотрите рисунок 47), что приводит к увеличению количества как основных, так и неосновных носителей зарядов. Ф
v !Г V 1Г
Рис. 47
Однако фотогенерация в значительной степени будет влиять на обратный ток, так как не основных носителей зарядов значительно меньше, чем основных.
Ф1=0 Ф2>0 Ф3>Ф2
Рис. 48
Для фотодиодов 1обр - это фототок. Зависимость фототока 1ф от величины светового потока 1ф=г(Ф) (смотрите рисунок 49).
I<*>t
Рис. 49
Спектральная характеристика - это зависимость фототока от длины волны светового излучения 1ф=цТ).
Рис. 50
Темновой ток - ток через фотодиод при отсутствии светового потока и при заданном рабочем напряжении.
Интегральная чувствительность - это отношение фототока к световому потоку S
Рабочее напряжение - это обратное напряжение, подаваемое на фотодиод, при котором все параметры фотодиода будут оптимальными.
VD1 I Rh
+ /J E Рис. 51
4) Светодиоды. Светодиодом называется полупроводниковый прибор, в котором происходит непосредственное преобразование электрической энергии в энергию светового излучения. Принцип действия. При прямом включении основные носители заряда переходят через p-n переход и там рекомбинируют. Рекомбинация связана с выделением энергии. Для большинства полупроводниковых материалов это энергия тепловая. Только для некоторых типов на основе арсенида галлия ширина запрещённой зоны AW достаточно велика, и длина волны лежит в видимой части спектра.
При обратном включении через p-n переход переходят неосновные носители заряда в область, где они становятся основными. Рекомбинация и свечение светодиода отсутствуют. Основные характеристики:
а) Яркостная характеристика - это мощностная зависимость излучения от прямого тока Ри=ц1пр).