акцепторная примесь

кристаллод ержатель

Рис. 28

Большая плоскость p-n перехода плоскостных диодов позволяет им работать при больших прямых токах, но за счёт большой барьерной ёмкости они будут низкочастотными. Точечные диоды.

кристал-

Рис. 29

К базе точечного диода подводят вольфрамовую проволоку, легированную атомами акцепторной примеси, и через неё пропускают импульсы тока силой до 1А. В точке разогрева атомы акцепторной примеси переходят в базу, образуя p-область (смотрите рисунок 30).

Вольфрамовая игла

Область р-типа

Область n-типа

Рис. 30

Получается p-n переход очень малой площади. За счёт этого точечные диоды будут высокочастотными, но могут работать лишь на малых прямых токах (десятки миллиампер). Микросплавные диоды.

Их получают путём сплавления микрокристаллов полупроводников p- и n- типа проводимости. По своему характеру микросплавные диоды будут плоскостные, а по своим параметрам -точечные.

3) Вольтамперная характеристика и основные параметры полупроводниковых диодов.

ВАХ идеального p-n перехода

ВАХ реального p-n перехода

Ua Unp

Рис. 31

Вольтамперная характеристика реального диода проходит ниже, чем у идеального p-n перехода: сказывается влияние сопротивления базы. После точки А вольтамперная характеристика будет представлять собой прямую линию, так как при напряжении Иа потенциальный барьер полностью компенсируется внешним полем. Кривая обратного тока ВАХ имеет наклон, так как за счёт возрастания обратного напряжения увеличивается генерация собственных носителей заряда.

обр max обр. max

f 1обр Рис. 32

Максимально допустимый прямой ток Ътр.тах.

Прямое падение напряжения на диоде при максимальном прямом токе Ипр.тах. Максимально допустимое обратное напряжение Иобр.тах = (% + %) • Иэл.проб. Обратный ток при максимально допустимом обратном напряжении 1обр.тах.

Прямое и обратное статическое сопротивление диода при заданных прямом и обратном

RUnp. R б Uodp

напряжениях: Rct пр =-; Rct .обр = --.

Inp.Io6p.

Прямое и обратное динамическое сопротивление диода: Rinp

AUnp AInp.

Unp- U np Inp -1 np

; Rio6p

AUo6p AIo6p.

; Rio6p

Uo6p - U o6p Io6p -1 o6p

Выпрямительные диоды

1)Общая характеристика выпрямительных диодов

2)Включение выпрямительных диодов в схемах выпрямителей

1) Общая характеристика выпрямительных диодов. Выпрямительным диодом называется полупроводниковый диод, предназначенный для преобразования переменного тока в постоянный в силовых цепях, то есть в источниках питания. Выпрямительные диоды всегда плоскостные, они могут быть германиевые или кремниевые. Германиевые диоды лучше кремниевых тем, что имеют меньшее прямое падение напряжения. Кремниевые диоды превосходят германиевые по диапазону рабочих температур, по максимально допустимому обратному напряжению, а также имеют меньший обратный ток.

Если выпрямленный ток больше максимально допустимого прямого тока диода, то в этом случае допускается параллельное включение диодов (смотрите рисунок 33).

VD1 Кд1

VD2 Кд2

Рис. 33

Добавочные сопротивления Яд величиной от единиц до десятков Ом включаются с целью выравнивания токов в каждой из ветвей.

Если напряжение в цепи превосходит максимально допустимое обратное напряжение диода, то в этом случае допускается последовательное включение диодов (смотрите рисунок 34). Rm1 Rm2 Rm3

-f>b

-f>r-

-f>b-

Рис. 34

Шунтирующие сопротивления величиной несколько сот кОм включают для выравнивания падения напряжения на каждом из диодов.

2) Включение выпрямительных диодов в схемах выпрямителей. Диоды в схемах выпрямителей включаются по одно- и двухполупериодной схемам. Если взять один диод, то ток в нагрузке будет протекать за одну половину периода, поэтому такой выпрямитель называется однополупериодным. Его недостаток - малый КПД.