Ремонт принтеров, сканнеров, факсов и остальной офисной техники


назад Оглавление вперед




[39]

Оглавление

Предисловие......................................... 3

Раздел 1. Электронно-дырочные и металлополупроводниковые переходы............................4

Тема 1. Движение электронов в электрических и магнитных полях..................... 4

1)Движение электронов в ускоряющем электрическом поле................... 4

2)Движение электрона в тормозящем электрическом поле..........................................5

3)Движение электрона в поперечном электрическом поле.........................................5

4)Движение электрона в магнитных полях.............................. 5

5)Зонная энергетическая диаграмма............................. 6

Тема 2. Электропроводность полупроводников.............................................................7

1)Собственная проводимость полупроводников......................................................7

2)Примесная проводимость полупроводников........................... 8

3)Дрейфовый и диффузионный токи в полупроводниках.................. 9

Тема 3. Электронно-дырочный (p-n) переход...............................................................9

1)Образование электронно-дырочного перехода....................... 9

2)Прямое и обратное включение p-n перехода..........................10

3)Свойства p-n перехода..................................................................................11

Тема 4. Переход Шоттки..................................14

1)Образование перехода Шоттки.......................................................................14

2)Прямое и обратное включение диодов Шоттки.....................14

Тема 5. Некоторые эффекты полупроводника...............................................................15

1)Тоннельный эффект......................................................................................15

2)Эффект Гана...............................................................................................16

3)Эффект Холла.............................................................................................16

Раздел 2. Полупроводниковые приборы.....................................................................17

Тема 6. Устройство, классификация и основные параметры полупроводниковых

диодов.......................................................................................................17

1)Классификация и условные обозначения полупроводниковых диодов.......................17

2)Конструкция полупроводниковых диодов..........................18

3)Вольтамперная характеристика и основные параметры

полупроводниковых диодов..................................20

Тема 7. Выпрямительные диоды.................................21

1)Общая характеристика выпрямительных диодов........................21

2)Включение выпрямительных диодов в схемах выпрямителей.................21

Тема 8. Стабилитроны, варикапы, светодиоды и фотодиоды......................23

1)Стабилитроны.....................................23

2)Варикапы.......................................25

3)Фотодиоды.................................................................................................26

4)Светодиоды......................................27

Тема 9. Импульсные, высокочастотные (ВЧ) и сверхвысокочастотные (СВЧ) диоды............28

1)Импульсные диоды.....................................28

2)Диоды ВЧ.........................................29

3)СВЧ диоды.................................................................................................30

Раздел 3. Биполярные транзисторы...............................30

Тема 10. Устройство, классификация и принцип действия биполярных транзисторов..........30

1)Классификация и маркировка транзисторов..........................30

2)Устройство биполярных транзисторов..........................31

3)Принцип действия биполярных транзисторов.......................32

Тема 11. Схемы включения биполярных транзисторов.......................33

1) Схема включения с общей базой ОБ...........................33


2)Схема включения с общим эмиттером ОЭ..........................................................33

3)Схема включения с общим коллектором ОК.......................................................34

4)Усилительные свойства биполярного транзистора...............................................35

Тема 12. Статические характеристики транзисторов......................................................36

1)Статические характеристики транзистора по схеме ОБ.......................................36

2)Статические характеристики транзистора по схеме ОЭ.......................................38

Тема 13. Динамический режим работы транзистора.......................................................38

1)Понятие о динамическом режиме....................................................................38

2)Динамические характеристики и понятие рабочей точки.......................................39

3)Ключевой режим работы транзистора...............................................................39

Тема 14. Эквивалентная схема транзистора.................................................................41

1)Эквивалентная схема транзистора с ОБ.............................................................41

2)Эквивалентная схема транзистора с ОЭ.............................................................41

3)Эквивалентная схема транзистора с ОК.............................................................42

4)Транзистор как активный четырёхполюсник.......................................................42

Тема 15. Система h-параметров транзистора. Y-параметры.............................................43

1)h-параметры и их физический смысл................................................................43

2)Определение h-параметров по статическим характеристикам..................................44

3)Y-параметры транзисторов............................................................................46

Тема 16. Температурные и частотные свойства транзисторов. Фототранзисторы..................47

1)Температурное свойство транзисторов..............................................................47

2)Частотное свойство транзисторов....................................................................47

3)Фототранзисторы........................................................................................48

Раздел 4. Полевые транзисторы...............................................................................49

Тема 17. Представление о полевых транзисторах.........................................................49

1)Устройство и принцип действия полевых транзисторов с управляющим

p-n переходом.............................................................................................49

2)Характеристики и параметры полевых транзисторов............................................50

3)Полевые транзисторы с изолированным затвором................................................51

4)Полевые транзисторы для ИМС, репрограммируемых постоянных запоминающих устройств (РПЗУ)....................................................................53

Раздел 5. Тиристоры.............................................................................................54

1)Устройство и принцип действия динисторов.....................................................54

2)Основные параметры тиристоров.....................................................................55

3)Тринисторы...............................................................................................56

4)Понятие о симисторах..................................................................................57

Раздел 6. Электровакуумные приборы.......................................................................58

Тема 18. Электровакуумный диод.............................................................................58

1)Электровакуумный диод, устройство и принцип действия

электровакуумного диода...............................................................................58

2)ВАХ и основные параметры электровакуумного диода..........................................59

Тема 19. Триод....................................................................................................60

1)Устройство и принцип действия триода............................................................60

2)ВАХ и основные параметры триода.................................................................62

Тема 20. Тетрод...................................................................................................63

1)Устройство и схема включения тетрода............................................................63

2)Динатронный эффект...................................................................................64

3)Лучевой тетрод...........................................................................................65

Тема 21. Пентод...................................................................................................66

Раздел 7. Цифровая микросхемотехника...................................................................66

Тема 22. Основы микроэлектроники.........................................................................66

1)Классификация и УГО интегральных микросхем (ИМС)......................................67

2)Элементы и компоненты гибридных ИМС (ГИС)...............................................68


3) Элементы и компоненты полупроводниковых ИМС..................69

Раздел 8. Булева алгебра........................................................................................69

Тема 23.Простейшие логические функции и логические элементы...............69

1)Логические функции и их реализация........................69

2)Схемотехника простейших логических элементов..................71

3)Характеристики и параметры цифровых ИМС......................72

Тема 24. Транзисторно-транзисторная логика..........................73

1)Основные типы логики и понятие о многоэмиттерном транзисторе.............73

2)Транзисторно-транзисторная логика (ТТЛ) с простым инвертором...........74

3)ТТЛ со сложным инвертором.............................75

Тема 25. Логические элементы ТТЛ со специальными выводами.................75

1)ТТЛ с открытым коллектором............................75

2)ТТЛ с Z-состоянием.....................................................................................76

3)ТТЛШ......................................76

4)Оптоэлектронные ИМС..............................76

Тема 26. Логические элементы на полевых транзисторах МОП - структуры...........77

1)Ключи на МОП - транзисторах..........................78

2)Комплементарная МОП - пара (КМОП)........................78

3)Реализация функции И-НЕ в КМОП - логике....................78

4)Реализация функции ИЛИ-НЕ в КМОП - логике.....................79

Тема 27. Эмиттерно-связная логика...............................79

1)Реализация функций ИЛИ и ИЛИ-НЕ в эмиттерно-связной логике (ЭСЛ).........79

2)Источник опорного напряжения............................80

3)Базовый элемент ЭСЛ серии К500...........................81

Раздел 9. Аналоговые электронные устройства...........................................................81

Тема 28. Классификация и основные технические показатели усилителей..............81

1)Классификация усилителей..............................81

2)Основные технические показатели усилителей.....................82

3)Характеристики усилителей.............................83

Тема 29. Питание цепи базы транзисторов и температурная

стабилизация рабочей точки...............................84

1)Питание цепи базы транзистора по схеме с фиксированным током базы...........84

2)Питание цепи базы транзистора по схеме с фиксированным напряжением базы.......85

3)Температурная стабилизация (термостабилизация) рабочей точки при

помощи терморезистора и полупроводникового диода....................85

4)Термостабилизация рабочей точки при помощи отрицательной

обратной связи (ООС) по постоянному напряжению.................86

5)Термостабилизация рабочей точки при помощи ООС по постоянному току.........87

Тема 30. Обратная связь в усилителе.............................87

1)Виды обратной связи...............................87

2)Влияние ООС на основные показатели усилителя...................88

Тема 31.Режимы работы усилительных элементов.....................89

1)Понятие о проходной динамической характеристике.................89

2)Режим работы класса А..............................89

3)Режим работы класса В..............................90

4)Режим работы класса АВ..............................90

5)Режим работы класса С..............................91

6)Режим работы класса D..............................92

Тема 32. Межкаскадные связи в усилителях.........................92

1)Виды межкаскадных связей............................92

2)Эквивалентная схема усилительного каскада с

резисторно - ёмкостными связями...........................93

3)Анализ эквивалентной схемы на низких, средних и высоких частотах............93



[стр.Начало] [стр.1] [стр.2] [стр.3] [стр.4] [стр.5] [стр.6] [стр.7] [стр.8] [стр.9] [стр.10] [стр.11] [стр.12] [стр.13] [стр.14] [стр.15] [стр.16] [стр.17] [стр.18] [стр.19] [стр.20] [стр.21] [стр.22] [стр.23] [стр.24] [стр.25] [стр.26] [стр.27] [стр.28] [стр.29] [стр.30] [стр.31] [стр.32] [стр.33] [стр.34] [стр.35] [стр.36] [стр.37] [стр.38] [стр.39] [стр.40]