|
||||
Меню:
Главная
Форум
Литература: Программирование и ремонт Импульсные блоки питания Неисправности и замена Радиоэлектронная аппаратура Микросхема в ТА Рубрикатор ТА Кабельные линии Обмотки и изоляция Радиоаппаратура Гибкие диски часть 2 часть 3 часть 4 часть 5 Ремонт компьютера часть 2 Аналитика: Монтаж Справочник Электроника Мощные высокочастотные транзисторы 200 микросхем Полупроводники ч.1 Часть 2 Алгоритмические проблемы 500 микросхем 500 микросхем Сортировка и поиск Монады Передача сигнала Электроника Прием сигнала Телевидиние Проектирование Эвм Оптимизация Автомобильная электроника Поляковтрансиверы Форт Тензодатчик Силовые полевые транзисторы Распределение частот Резисторные и термопарные Оберон Открытые системы шифрования Удк |
[28] В данной схеме базовая цепь представляет собой делитель напряжения (смотрите рисунок 222), состоящий из Кб и сопротивления эмиттерного перехода транзистора VT1 гэ. Ток базы I60, соответствующий выбранному положению рабочей точки, будет протекать через эмиттерный переход, создавая на нём падение напряжения ибэ, которое и является исполнителем функции источника Еб. Из второго закона Кирхгофа получаем: Ек = Икб + Ибэ; Ек = Кб • 1б0. В символе «1б0» ноль соответствует рабочей точке. Ек - ибэ ; Rc =--- Ек >> Ибэ; Кб ~ Ек • 1б0. Недостаток данной схемы: не может работать в широком диапазоне температур, т. к. сопротивление эмиттерного перехода гэ очень сильно зависит от температуры. Несколько лучше работает схема с фиксированным напряжением базы. 2) Питание цепи базы транзистора по схеме с фиксированным напряжением базы. R6"r Рис. 223 Рис. 224 В данной схеме делитель напряжения состоит из резистора 1Кб и Кб, включённого параллельно сопротивлению эмиттерного перехода гэ. Ек = Илб + Илб"; ИКб = Кб • (1б0 • 1д); 1д - ток, проходящий через делитель напряжения. Илб = Ибэ; Ек = Яб • (1б0 • 1д) + Ибэ; Ек - ибэ ; I60 + Id Ек >> Ибэ; 1д = (3 - 5) • 1б0; Ибэ = 1д • Кб; R6" = Напряжение Ибэ находится из входной характеристики транзистора по заданному току базы. Данная схема в диапазоне температур работает лучше, чем схема с фиксированным током базы, однако для нормальной её работы необходима температурная стабилизация. 3) Температурная стабилизация (термостабилизация) рабочей точки при помощи терморезистора и полупроводникового диода. При нагревании рабочая точка смещается по нагрузочной прямой, что приводит к увеличению коллекторного тока 1к и уменьшению напряжения Икэ (смотрите рисунок 225). Это равносильно приоткрыванию транзистора. Поэтому основной задачей температурной стабилизации яв- ляется синхронная с увеличением температуры при закрывании эмиттерного перехода транзистора температурная стабилизация при помощи терморезистора (смотрите рисунок 226). Рис. 225Рис. 226Рис. 227 При нагревании сопротивление терморезистора уменьшается, что приводит к общему уменьшению сопротивления включённых в параллель резисторов R6 и Rt. За счёт этого напряжение Цбэ будет уменьшаться, эмиттерный переход подзапираться, и рабочая точка сохраняет своё положение на нагрузочной прямой. Аналогичным образом происходит термостабилизация рабочей точки полупроводниковым диодом (смотрите рисунок 227). При увеличении температуры сопротивление диодов в обратном включении будет уменьшаться за счёт термогенерации носителей заряда в полупроводнике. Общее сопротивление включённых параллельно резистора R6 и диода VD1 будет уменьшаться, что приведёт к уменьшению напряжения Цбэ, транзистор подзапирается и рабочая точка сохраняет своё положение. Недостатком схем с терморезистором и полупроводниковым диодом является то, что и терморезистор, и полупроводниковый диод должны подбираться по своим температурным свойствам для каждого конкретного транзистора. Поэтому наиболее часто применяют схемы температурной стабилизации отрицательной обратной связью (ООС) по постоянному току и напряжению. 4) Термостабилизация рабочей точки при помощи отрицательной обратной связи (ООС) по постоянному напряжению. Применяется этот вид термостабилизации при питании цепи базы с фиксированным током базы. В этом случае резистор R6 подключается не к плюсу ИП, а к коллектору транзистора. Пользуясь уравнениями Кирхгофа, получим: Цкэ = Шб + Цбэ; Цбэ I = Цкэ I - Шб так как Шб = Const; Рис. 228 При увеличении температуры напряжение Цкэ уменьшается. Это уменьшение напряжения через цепь обратной связи (ОС), состоящую из R6, передаётся на базу транзистора. Напряжение Цбэ уменьшается. Эмиттерный переход подзапирается, и рабочая точка сохраняет своё положение. 5) Термостабилизация рабочей точки при помощи ООС по постоянному току. R6 RkЕк Ur6" \U-VUвых Рис. 229 Термостабилизация рабочей точки при помощи ООС по постоянному току применяется при питании цепи базы по схеме с «фиксированным напряжением базы». При возрастании температуры увеличивается ток коллектора транзистора 1к, следовательно, и ток эмиттера 1э. За счёт этого Илбэ будет уменьшаться. Ибэ = Илб - Иэ так как Илб = Const; Эмиттерный переход подзапирается, и рабочая точка (РТ) сохраняет своё положение. Так как изменение напряжения на 1Тэ должно зависеть только от изменения температуры и не изменяться по закону переменной составляющей усиливаемого сигнала, резистор 1Тэ шунтируется конденсатором большой ёмкости, через который будет протекать переменная составляющая, а через Кэ будет протекать постоянная составляющая тока. Величину ёмкости выбирают из условия-« Rэ. сон • сэ Обратная связь в усилителе 1)Виды обратной связи. 2)Влияние ООС на основные показатели усилителя. 1) Виды обратной связи. Обратной связью в усилителе (в целом) или же в отдельно взятом каскаде называется такая связь между входом и выходом, при которой часть энергии усиленного сигнала с выхода передаётся на вход. По способу своего возникновения обратная связь может быть внутренней, паразитной и искусственной. Внутренняя ОС возникает за счёт внутренних свойств элементов схемы. Паразитная ОС возникает за счёт паразитных ёмкостей и индуктивностей. Стараются внутреннюю паразитную обратную связь возможно сильнее уменьшить. Искусственная ОС вводится специально для улучшения основных характеристик усилителя. По признаку петлевого усиления различают положительную ОС (ПОС) и ООС. При ПОС сигнал на вход усилителя через цепь ОС поступает в фазе со входным сигналом. При ООС сигнал, проходя цепь ОС, будет подаваться в противофазе с входным сигналом. В усилителях, в основном, применяется ООС; ПОС применяется в генераторах. В зависимости от того, каким образом цепь ОС подключается к выходу усилителя, различают ОС по току и по напряжению. В зависимости от того, каким образом цепь ОС подключается к выходу усилителя, различают параллельную и последовательную ОС усилителя. Параллельная ОС изображена на рисунке 231, а последовательная - на рисунке 232. |
Среды: Smalltalk80 MicroCap Local bus Bios Pci 12С ML Микроконтроллеры: Atmel Intel Holtek AVR MSP430 Microchip Книги: Емкостный датчик 500 схем для радиолюбителей часть 2 (4) Структура компьютерных программ Автоматическая коммутация Кондиционирование и вентиляция Ошибки при монтаже Схемы звуковоспроизведения Дроссели для питания Блоки питания Детекторы перемещения Теория электропривода Адаптивное управление Измерение параметров Печатная плата pcad pcb Физика цвета Управлении софтверными проектами Математический аппарат Битовые строки Микроконтроллер nios Команды управления выполнением программы Перехода от ahdl к vhdl Холодный спай Усилители hi-fi Электронные часы Сердечники из распылённого железа Анализ алгоритмов 8-разрядные КМОП Классификация МПК История Устройства автоматики Системы и сети Частотность Справочник микросхем Вторичного электропитания Типы видеомониторов Радиобиблиотека Электронные системы Бесконтекстный язык Управление техническими системами Монтаж печатных плат Работа с коммуникациями Создание библиотечного компонента Нейрокомпьютерная техника Parser Пи-регулятор ч.1 ПИ-регулятор ч.2 Обработка списков Интегральные схемы Шина ISAВ Шина PCI Прикладная криптография Нетематическое: Взрывной автогидролиз Нечеткая логика Бытовые установки (укр) Автоматизация проектирования Сбор и защита Дискретная математика Kb радиостанция Энергетика Ретро: Прием в автомобиле Управление шаговым двигателем Магнитная запись Ремонт микроволновки Дискретные системы часть 2 | ||