Ремонт принтеров, сканнеров, факсов и остальной офисной техники


назад Оглавление вперед




[28]

В данной схеме базовая цепь представляет собой делитель напряжения (смотрите рисунок 222), состоящий из Кб и сопротивления эмиттерного перехода транзистора VT1 гэ.

Ток базы I60, соответствующий выбранному положению рабочей точки, будет протекать через эмиттерный переход, создавая на нём падение напряжения ибэ, которое и является исполнителем функции источника Еб. Из второго закона Кирхгофа получаем: Ек = Икб + Ибэ; Ек = Кб • 1б0.

В символе «1б0» ноль соответствует рабочей точке.

Ек - ибэ ;

Rc =---

Ек >> Ибэ;

Кб ~ Ек • 1б0.

Недостаток данной схемы: не может работать в широком диапазоне температур, т. к. сопротивление эмиттерного перехода гэ очень сильно зависит от температуры. Несколько лучше работает схема с фиксированным напряжением базы.

2) Питание цепи базы транзистора по схеме с фиксированным напряжением базы.

R6"r

Рис. 223

Рис. 224

В данной схеме делитель напряжения состоит из резистора 1Кб и Кб, включённого параллельно сопротивлению эмиттерного перехода гэ. Ек = Илб + Илб"; ИКб = Кб • (1б0 • 1д);

1д - ток, проходящий через делитель напряжения. Илб = Ибэ;

Ек = Яб • (1б0 • 1д) + Ибэ; Ек - ибэ ; I60 + Id

Ек >> Ибэ;

1д = (3 - 5) • 1б0; Ибэ = 1д • Кб;

R6" =

Напряжение Ибэ находится из входной характеристики транзистора по заданному току базы. Данная схема в диапазоне температур работает лучше, чем схема с фиксированным током базы, однако для нормальной её работы необходима температурная стабилизация.

3) Температурная стабилизация (термостабилизация) рабочей точки при помощи терморезистора и полупроводникового диода.

При нагревании рабочая точка смещается по нагрузочной прямой, что приводит к увеличению коллекторного тока 1к и уменьшению напряжения Икэ (смотрите рисунок 225). Это равносильно приоткрыванию транзистора. Поэтому основной задачей температурной стабилизации яв-


ляется синхронная с увеличением температуры при закрывании эмиттерного перехода транзистора температурная стабилизация при помощи терморезистора (смотрите рисунок 226).

Рис. 225Рис. 226Рис. 227

При нагревании сопротивление терморезистора уменьшается, что приводит к общему уменьшению сопротивления включённых в параллель резисторов R6 и Rt. За счёт этого напряжение Цбэ будет уменьшаться, эмиттерный переход подзапираться, и рабочая точка сохраняет своё положение на нагрузочной прямой.

Аналогичным образом происходит термостабилизация рабочей точки полупроводниковым диодом (смотрите рисунок 227).

При увеличении температуры сопротивление диодов в обратном включении будет уменьшаться за счёт термогенерации носителей заряда в полупроводнике. Общее сопротивление включённых параллельно резистора R6 и диода VD1 будет уменьшаться, что приведёт к уменьшению напряжения Цбэ, транзистор подзапирается и рабочая точка сохраняет своё положение.

Недостатком схем с терморезистором и полупроводниковым диодом является то, что и терморезистор, и полупроводниковый диод должны подбираться по своим температурным свойствам для каждого конкретного транзистора. Поэтому наиболее часто применяют схемы температурной стабилизации отрицательной обратной связью (ООС) по постоянному току и напряжению.

4) Термостабилизация рабочей точки при помощи отрицательной обратной связи (ООС) по постоянному напряжению.

Применяется этот вид термостабилизации при питании цепи базы с фиксированным током базы. В этом случае резистор R6 подключается не к плюсу ИП, а к коллектору транзистора. Пользуясь уравнениями Кирхгофа, получим: Цкэ = Шб + Цбэ;

Цбэ I = Цкэ I - Шб так как Шб = Const;

Рис. 228

При увеличении температуры напряжение Цкэ уменьшается. Это уменьшение напряжения через цепь обратной связи (ОС), состоящую из R6, передаётся на базу транзистора. Напряжение Цбэ уменьшается. Эмиттерный переход подзапирается, и рабочая точка сохраняет своё положение.


5) Термостабилизация рабочей точки при помощи ООС по постоянному току.

R6 RkЕк

Ur6"

\U-VUвых

Рис. 229

Термостабилизация рабочей точки при помощи ООС по постоянному току применяется при питании цепи базы по схеме с «фиксированным напряжением базы». При возрастании температуры увеличивается ток коллектора транзистора 1к, следовательно, и ток эмиттера 1э. За счёт этого Илбэ будет уменьшаться. Ибэ = Илб - Иэ так как Илб = Const;

Эмиттерный переход подзапирается, и рабочая точка (РТ) сохраняет своё положение. Так как изменение напряжения на 1Тэ должно зависеть только от изменения температуры и не изменяться по закону переменной составляющей усиливаемого сигнала, резистор 1Тэ шунтируется конденсатором большой ёмкости, через который будет протекать переменная составляющая, а через Кэ будет протекать постоянная составляющая тока.

Величину ёмкости выбирают из условия-« Rэ.

сон • сэ

Обратная связь в усилителе

1)Виды обратной связи.

2)Влияние ООС на основные показатели усилителя.

1) Виды обратной связи. Обратной связью в усилителе (в целом) или же в отдельно взятом каскаде называется такая связь между входом и выходом, при которой часть энергии усиленного сигнала с выхода передаётся на вход.

По способу своего возникновения обратная связь может быть внутренней, паразитной и искусственной.

Внутренняя ОС возникает за счёт внутренних свойств элементов схемы. Паразитная ОС возникает за счёт паразитных ёмкостей и индуктивностей. Стараются внутреннюю паразитную обратную связь возможно сильнее уменьшить.

Искусственная ОС вводится специально для улучшения основных характеристик усилителя. По признаку петлевого усиления различают положительную ОС (ПОС) и ООС. При ПОС сигнал на вход усилителя через цепь ОС поступает в фазе со входным сигналом. При ООС сигнал, проходя цепь ОС, будет подаваться в противофазе с входным сигналом. В усилителях, в основном, применяется ООС; ПОС применяется в генераторах.

В зависимости от того, каким образом цепь ОС подключается к выходу усилителя, различают ОС по току и по напряжению.

В зависимости от того, каким образом цепь ОС подключается к выходу усилителя, различают параллельную и последовательную ОС усилителя.

Параллельная ОС изображена на рисунке 231, а последовательная - на рисунке 232.



[стр.Начало] [стр.1] [стр.2] [стр.3] [стр.4] [стр.5] [стр.6] [стр.7] [стр.8] [стр.9] [стр.10] [стр.11] [стр.12] [стр.13] [стр.14] [стр.15] [стр.16] [стр.17] [стр.18] [стр.19] [стр.20] [стр.21] [стр.22] [стр.23] [стр.24] [стр.25] [стр.26] [стр.27] [стр.28] [стр.29] [стр.30] [стр.31] [стр.32] [стр.33] [стр.34] [стр.35] [стр.36] [стр.37] [стр.38] [стр.39] [стр.40]