5.Коэффициент объединения по входу Коб показывает, количество входов микросхемы, по которым реализуется выполняемая ею функция.

6.Напряжение статической помехи - это максимально допустимое статическое напряжение на входе, при котором микросхема не теряет свой работоспособности. Характеризует помехоустойчивость ИМС. Обозначение: Ист.п.

7.Средняя потребляемая мощность от источника питания Рпот.ср.

Р0пот. + Р1пот. Рпот.ср =-2-

2] Динамические характеристики. Они характеризуют работу ИМС в момент переключения из нуля в единицу или из единицы в ноль.

Ubx 0,9 Ubx

0,5 Ubx

0,1 Ubx

ивых А ивых 0,9 ивых

0,5 ивых

0,1 Увых

1зад.ср

Рис. 178

Время переключения из логического нуля в логическую единицу t01 - это время, за которое напряжение на входе или выходе возрастает от 0,1 до 0,9 уровня логической единицы (смотрите рисунок 178).

Время переключения из логической единицы в логический ноль t10.

Время задержки распространения сигнала при переключении из нуля в единицу. Обозначение: гзад.

Время задержки распространения сигнала при переключении из логической единицы в логический ноль. Обозначение: °зад.

Среднее время задержки распространения сигнала, характеризует быстродействие ИМС. Обозначение: tзад.ср.

зад + 0зад

Транзисторно-транзисторная логика

1)Основные типы логики и понятие о многоэмиттерном транзисторе.

2)Транзисторно-транзисторная логика (ТТЛ) с простым инвертором.

3)ТТЛ со сложным инвертором.

1) Основные типы логики и понятие о многоэмиттерном транзисторе. Существует много разновидностей логики:

•ТЛНС - транзисторная логика с непосредственными связями.

•РТЛ - резисторно-транзисторная логика.

•РЕТЛ - резисторно-ёмкостная транзисторная логика.

•ДТЛ - диодно-транзисторная логика.

К основному типу логики относят ТТЛ. Разновидности:

ТТЛШ - транзисторно-транзисторная логика с переходами Шоттки. ЭСЛ - эмиттерно-связная логика.

КМОП - логика на полевых МОП - транзисторах, состоящая из комплементарных пар.

"1"

VD1 VD2

VD3 VD4

[>1 [>1

Рис. 179

В ТТЛ операцию «И» выполняет многоэмиттерный транзистор, в котором функции диодов VD1 и VD2 выполняют эмиттерные переходы транзистора, а функции диодов VD3, VD4 выполняет коллекторный переход транзистора (смотрите рисунок 179).

Структура многоэмиттерного транзистора показана на рисунке 180, а УГО - на 181.

К Б Э1 Э2 Э3

Подложка"р"

Рис. 1 80

Рис. 181

2) Транзисторно-транзисторная логика с простым инвертором.

Рис. 182Рис. 183Рис. 184

Принцип действия.

Если хотя бы на один из входов будет подаваться сигнал логического нуля, соответствующий эмиттерный переход транзистора VT1 будет открыт, и через него будет протекать ток от плюса источника питания (ИП), через резистор R1, база-эмиттер VT1, общий провод, минус источника питания. В цепи коллектора VT1, а следовательно, и в цепи базы VT2, ток будет отсутствовать, транзистор VT2 будет находиться в режиме отсечки, на выходе будет высокий уровень напряжения логической единицы. При подаче на оба входа логических единиц оба эмит-терных перехода закрываются, и ток будет протекать по цепи от плюса ИП, через R1, база-коллектор VT1 и на базу VT2. Транзистор VT2 перейдёт в режим насыщения и на выходе установится низкий уровень напряжения логического нуля.

Недостатком ТТЛ с простым инвертором является маленький коэффициент разветвления.

3) ТТЛ со сложным инвертором.

"1"

Рис. 185

Рис. 186

Если хотя бы на одном из входов будет действовать логический ноль, соответствующий эмит-терный переход будет открыт, и через него будет протекать ток по цепи от плюса ИП, через R1, база-эмиттер VT1, общий провод, минус ИП. В цепи коллектора VT1, а следовательно, и в цепи базы VT2 ток будет отсутствовать, VT2 будет находиться в режиме отсечки, ток через транзистор VT2, а значит, ток базы VT4 будут близки к нулю. Транзистор VT4 также будет находиться в режиме отсечки, и на выходе будет высокий уровень напряжения логической единицы. При этом напряжение на коллекторе VT2 и на базе VT3, будет максимальным, и VT3 будет находиться в полностью открытом состоянии.

При подаче на оба входа логических единиц оба эмиттерных перехода закрываются, и ток будет протекать по цепи от плюса ИП, через R1, переход база-коллектор VT1 на базу VT2. Транзистор VT2 перейдёт в режим насыщения. Ток через него, а следовательно, и ток базы VT4 будет максимальным, и транзистор VT4 перейдёт в режим насыщения. На выходе будет низкий уровень логического нуля. При этом напряжение на коллекторе VT2 и на базе VT3 будет близко к нулю и VT3 перейдёт в полностью закрытое состояние. Диод VD1 применяется для более надёжного запирания транзистора VT3.

Логические элементы ТТЛ

со специальными выводами

1)ТТЛ с открытым коллектором.

2)ТТЛ с Z-состоянием.

3)ТТЛШ.

4)Оптоэлектронные ИМС.

1) ТТЛ с открытым коллектором. Следующая схема получила своё название за счёт того, что коллектор выходного транзистора не подключён ни к одной точке схемы. Поэтому для обеспечения работоспособности между выходом и плюсом ИП необходимо подключить внешнее навесное сопротивление (смотрите рисунки 187, 188).

Рис. 187Рис. 188