Э.П. К.П. Э.П.

К "-" Рис. 109

Наружная n-область и вывод от неё называется катодом. Внутренние p- и n-области называются базами динистора. Крайние p-n переходы называются эмиттерными, а средний p-n переход называется коллекторным. Подадим на анод «-», а на катод «+». При этом эмиттерные переходы будут закрыты, коллекторный открыт. Основные носители зарядов из анода и катода не смогут перейти в базу, поэтому через динистор будет протекать только маленький обратный ток, вызванный не основными носителями заряда.

Если на анод подать «+», а на катод «-», эмиттерные переходы открываются, а коллекторный закрывается.

А

виде бесконтактных переключательных устройств, управляемых

Рис. 110

Динисторы применяются напряжением. Принцип действия.

Основные носители зарядов переходят из анода в базу 1, а из катода - в базу 2, где они становятся не основными и в базах происходит интенсивная рекомбинация зарядов, в результате которой количество свободных носителей зарядов уменьшается. Эти носители заряда подходят к коллекторному переходу, поле которых для них будет ускоряющим, затем проходят базу и переходят через открытый эмиттерный переход, т. к. в базах они опять становятся основными. Пройдя эмиттерные переходы, электроны переходят в анод, а дырки - в катод, где они вторично становятся не основными и вторично происходит интенсивная рекомбинация. В результате количество зарядов, прошедших через динистор, будет очень мало и прямой ток также будет очень мал. При увеличении напряжения прямой ток незначительно возрастает, т. к. увеличивается скорость движения носителей, а интенсивность рекомбинации уменьшается. При увеличении напряжения до определённой величины происходит электрический пробой коллекторного перехода. Сопротивление динистора резко уменьшается, ток через него сильно увеличивается и падение напряжения на нём значительно уменьшается. Считается, что динистор перешёл из выключенного состояния во включённое. 2) Основные параметры тиристоров.

Напряжение включения (ивкл) - это напряжение, при котором ток через динистор начинает сильно возрастать.

Ток включения (1вкл) - это ток, соответствующий напряжению включения.

Ток выключения (1выкл) - это минимальный ток через тиристор, при котором он

остаётся ещё во включённом состоянии.

Остаточное напряжение (иост) - это минимальное напряжение на тиристоре во включённом состоянии.

1вкл <М

Рис. 111

j Ток утечки (Io) - это ток через тиристор в выключенном состоянии при заданном

напряжении на аноде. j Максимально допустимое обратное напряжение (иобр.тах). j Максимально допустимое прямое напряжение (ипр.тах).

j Время включения (1вкл) - это время, за которое напряжение на тиристоре уменьшится

до 0,1 напряжения включения. j Время включения (1выкл) - это время, за которое тиристор переходит из включённого в

выключенное состояние.

3) Тринисторы.

А +

!упр +

Рис. 112

Тринисторы можно включать при напряжениях, меньших напряжения включения динистора. Для этого достаточно на одну из баз подать дополнительное напряжение таким образом, чтобы создаваемое им поле совпадало по направлению с полем анода на коллекторном переходе. Можно подать ток управления на вторую базу, но для этого на управляющий электрод необходимо подавать напряжение отрицательной полярности относительно анода, и поэтому различают тринисторы с управлением по катоду и с управлением по аноду.

На рисунках 114 - 119 изображены условные графические обозначения (УГО) рассматриваемых в данной теме приборов. На рисунке 114 - УГО динистора, на 115 - тринистора с управ-

лением по катоду, на 116 - тринистора с управлением по аноду, на 117 - неуправляемого си-мистора, на 118 - симистора с управлением по аноду, и на 119, соответственно, симистора с управлением по катоду.

Рис. 114

Рис. 115

Рис. 116

Рис. 117

Рис. 118

Рис. 119

Маркировка расшифровывается так:

КН102Б - кремниевый динистор; КУ202А - кремниевый тринистор. Первая буква «К» обозначает материал кремний. Вторая - тип прибора - динистор или тринистор. Третья группа -трёхзначный цифровой код, и четвёртая группа, расшифровываются так же, как и все рассмотренные ранее полупроводниковые приборы.

4) Понятие о симисторах.

Подадим положительное напряжение на области p1, n1, а отрицательное на области p2, n3.

Рис. 120

Рис. 121

Переход П1 закрыт, и выключается из работы область n1. Переходы П2 и П4 открыты и выполняют функцию эмиттерных переходов. Переход П3 закрыт и выполняет функцию коллекторного перехода.

Таким образом, структура симистора будет представлять собой области p1, n2, p2, n3, где p1 будет выполнять функции анода, а n3 - катода при прямом включении. Подадим напряжение плюсом на области p2, n3, а минусом на области p1, n1. Переход П4 закроется и выключит из работы область n3. Переходы П1 и П3 откроются и будут играть роль эмиттерных переходов. Переход П2 закроется и будет выполнять функцию коллекторного перехода.

Структура симистора будет иметь вид p2-n2, p1-n1, где область p2 ,будет являться анодом, а n1 - катодом. В результате будет получаться структура в прямом включении, но при обратном напряжении. ВАХ будет иметь вид, изображённый на Рис. 121.