можно определить, называются зависимыми переменными. В зависимости от того, какие из переменных будут выбираться в виде независимых, можно получить различные системы параметров в режиме малого сигнала.

Таблица 1

Независимая переменная 11 12 U1 U2 11 U2 Зависимая переменная U1 U2 11 12 12 U1 Система z y h

Система h-параметров транзистора

Y-параметры

1)h-параметры и их физический смысл

2)Определение h-параметров по статическим характеристикам

3)Y-параметры транзисторов

1) h-параметры и их физический смысл. В системе h-параметров в виде независимых переменных приняты входной ток и выходное напряжение. В этом случае зависимые переменные U1 = f (11, U2); 12 = f (11, U2). Полный дифференциал функций U1 и 11 равен

д/1 dU2

d/2 =--d/1 + -dU2 д/1 dU2

dU1 , д/1 11

dU2 ~h12

д/2 .

д/1 21

дт 22

dU1 = hn -d/1 + h12-dU2 d/2 = h21 d/1 + h22 dU2

Перейдём от бесконечно мал1х приращений dU1, dI1, dU2, dI2 к конечным приращениям. Получим:

( AU1 = hn АН + h12 AU 2 I A/2 = h21 A/1 + h22 AU2

В режиме малого сигнала приращение постоянных составляющих AU1, AI1, AU2 и AI2 можно заменить амплитудными значениями переменных составляющих этих же токов и напряжений. Получим:

( Uml = hii Im1 + hi2 AUm2

I Im2 = h2i Iml + h22 Um2

В первом уравнении системы (1) приравняем Um2 к 0. Получим: Uml = h11 • Im1 h11 = Um1 / Im1

h11 - это входное сопротивление транзистора при Um2 = 0 то есть при коротком замыкании в выходной цепи по переменному току (конденсатором). В первом уравнении системы (1) приравняем Im1 к 0. Получим:

Im1 = 0

тт , тт ~ , Um1 Um1 = h12 Um2 => h2 =

h12 - представляет собой коэффициент обратной связи на холостом ходу во входной цепи по переменному току. Коэффициент обратной связи показывает степень влияния выходного напряжения на входное (катушкой индуктивности).

Во втором уравнении системы (1) приравняем Um2 к 0. Получим:

Um2 = 0

Im2 = h21 • Im1

h21 = Im2 / Im1

h21 - коэффициент усиления по току транзистора или коэффициент передачи тока при коротком замыкании выходной цепи по переменному току. Приравняем во втором уравнении системы (1) Im1 к 0. Получим:

Im2 = h22 • Um2 h22 = Im2 / Um2

h22 - выходная проводимость на холостом ходу во входной цепи.

2) Определение h-параметров по статическим характеристикам. Так как статические характеристики транзисторов измеряются только на постоянном токе, то при определении амплитудных параметров токов и напряжений представим в виде приращения постоянных составляющих.

AU1 ттп

hu =-при U 2 = Const

h12 = AU1 при I1 = Const

AI2 ттп „

h 21 =-при U 2 = Const

A/ 2 „

h 22 =-при /1 = Const

Величины hn и h12 определяются по входным характеристикам транзистора. Рассмотрим графоаналитическое определение h параметров на примере схемы с общим эмиттером. Ввиду того, что транзистор всегда работает с входным током, требуется пользоваться входными и выходными характеристиками (смотрите Рис. 85 - 87). Будем считать, что нагрузочное сопротивление каскада будет одинаковым и для постоянного, и для переменного тока. Требуемый h-параметр рассчитывается из приведённых ниже формул. Из рисунков видно, что подставляемые в формулы данные находятся путём проекции точек на оси координат.

икэ2>0

ибэ1 ибэ2 ибэ Рис. 85

ибэ1ибэ2 ибэ

Рис. 86

Uкэ=const a)

Ik2 Ik1

Рис. 87

икэ2 икэ

hllэ =-при икэ = Const

Uбэ2 - Цбэ! /б2 - /б1

AUбэ т

h12 =-при 1б = Const