икэ = Ек - 1кбо • Як

Произведение 1кбо • Як будет равно нулю. Значит, икэ - Ек.

J Режим насыщения - это режим, когда оба перехода - и эмиттерный, и коллекторный открыты, в транзисторе происходит свободный переход носителей зарядов, ток базы будет максимальный, ток коллектора будет равен току коллектора насыщения. 1б = max; 1к ~ 1к.н.; икэ = Ек - 1к.н • Ян

Произведение 1к.н • Ян будет стремиться к Ек. Значит, икэ - 0.

J Линейный режим - это режим, при котором эмиттерный переход открыт, а коллекторный закрыт.

1б.тах > 1б > 0; 1к.н > 1к > 1кбо Ек > икэ > икэ.нас

Ключевым режимом работы транзистора называется такой режим, при котором рабочая точка транзистора скачкообразно переходит из режима отсечки в режим насыщения и наоборот, минуя линейный режим.

РИС. 79Рис. 80

Резистор Кб ограничивает ток базы транзистора, чтобы он не превышал максимально допустимого значения. В промежуток времени от 0 до tl входное напряжение и ток базы близки к нулю, и транзистор находится в режиме отсечки. Напряжение икэ, является выходным и будет близко к Ек. В промежуток времени от tl до t2 входное напряжение и ток базы транзистора

становятся максимальными, и транзистор перейдёт в режим насыщения. После момента времени t2 транзистор переходит в режим отсечки.

Вывод: транзисторный ключ является инвертором, т. е. изменяет фазу сигнала на 180°.

Эквивалентная схема транзистора

1)Эквивалентная схема транзистора с ОБ

2)Эквивалентная схема транзистора с ОЭ

3)Эквивалентная схема транзистора с ОК

4)Транзистор как активный четырёхполюсник

1) Эквивалентная схема транзистора с ОБ. Эквивалентная схема транзистора может быть построена на основании того, что сопротивление открытого эмиттерного перехода составляет десятки Ом. гэ = n • 10 Ом гб = n • 100 Ом гк = n • (10 - 100) кОм

1вх=1э1вых=1к

<- VT1 +-

Ubx гэ

Рис. 81

U вх игэ + игэ 1э гэ + /б гб1э - /к , /л . ,

Квх =-=-=-= гэ +---гб = гэ + (1 -а) гб

I вх1э1э1э

(1 -а) -> 0

Rвх = гэ = n • 10 Ом

2) Эквивалентная схема транзистора с ОЭ.

Ubx гб

U вх Ur6 + Urs I6 гб + 1э гэ , 1б + Ik, ,л .

Rвх =-=-=-= гб +---гэ = гб + (1 + р ) гэ

Явх ~ n • (100 - 1000) Ом

3) Эквивалентная схема транзистора с ОК (эмиттерный повторитель).

Рис. 83

U вх игб + игэ 1б гб + 1э (гэ + Rh) . 1э(гэ + Rh) . (Ik + 1б) (гэ + Rh) . ., .

Rвх =-=-=---- = гб +---- = гб +±---- = гб + (1+ В) (гэ + Rh)

I вх 1б1б1б1б

4) Транзистор как активный четырёхполюсник.

Любой транзистор независимо от схемы включения обладает рядом параметров, которые возможно разбить на две группы:

•Предельные параметры - все максимальные значения

•Параметры транзистора в режиме малого сигнала.

Данные параметры объединяются в несколько систем параметров, которые можно определить, представив транзистор в виде активного четырёхполюсника.

Четырёхполюсником называется любое электрическое устройство, имеющее 2 входных и 2 выходных зажима.

Активным четырёхполюсником называется четырёхполюсник, способный усиливать мощность.

Представим транзистор в виде активного четырёхполюсника.

Рис. 84

Присвоим входным току и напряжению индекс «1», а выходным индекс «2». Для транзисторов достаточно знать две любые переменные из четырёх - U1, U2, I1, I2. Две остальные определяются из статических характеристик транзистора. Переменные, которые известны или же которыми задаются, называются независимыми переменными. Две другие переменные, которые