Ремонт принтеров, сканнеров, факсов и остальной офисной техники


назад Оглавление вперед




[10]

• По мощности. Маломощные транзисторы ММ (<0,3 Вт), средней мощности СрМ (0,3-К3

Вт), мощные (>3 Вт). Маркировка.

Рис. 59

I- материал полупроводника: Г - германий, К - кремний.

II- тип транзистора по принципу действия: Т - биполярные, П - полевые.

III- три или четыре цифры - группа транзисторов по электрическим параметрам. Первая цифра показывает частотные свойства и мощность транзистора в соответствии с ниже приведённой таблицей.

Таблица 1

<3 МГц НЧ

3 - 30 МГц СрЧ

>30 МГц ВЧ и СВЧ

ММ <0,3 Вт СрМ 0,3-3 Вт М >3 Вт

IV - модификация транзистора в 3-й группе.

2) Устройство биполярных транзисторов. Основой биполярного транзистора является кри-

сталл полупроводника p-типа или n-типа проводимости, который также как и вывод от него называется базой.

Диффузией примеси или сплавлением с двух сторон от базы образуются области с противоположным типом проводимости, нежели база. n-p-np-n-p

n-p-n p-n-p

Область, имеющая большую площадь p-n перехода, и вывод от неё называют коллектором. Область, имеющая меньшую площадь p-n перехода, и вывод от неё называют эмиттером. p-n переход между коллектором и базой называют коллекторным переходом, а между эмиттером и базой - эмиттерным переходом.

Направление стрелки в транзисторе показывает направление протекающего тока. Основной особенностью устройства биполярных транзисторов является неравномерность концентрации основных носителей зарядов в эмиттере, базе и коллекторе. В эмиттере концентрация носителей заряда максимальная. В коллекторе - несколько меньше, чем в эмиттере. В базе - во много раз меньше, чем в эмиттере и коллекторе (рисунок 62).

Э Б К Рис. 62


3) Принцип действия биполярных транзисторов. При работе транзистора в усилительном режиме эмиттерный переход открыт, а коллекторный - закрыт. Это достигается соответствующим включением источников питания.

Рис. 63

Так как эмиттерный переход открыт, то через него будет протекать ток эмиттера, вызванный переходом электронов из эмиттера в базу и переходом дырок из базы в эмиттер. Следовательно, ток эмиттера будет иметь две составляющие - электронную и дырочную. Эффективность эмиттера оценивается коэффициентом инжекции:

In (о,999)

1э = 1э.п. + 1э.р.

Инжекцией зарядов называется переход носителей зарядов из области, где они были основными в область, где они становятся неосновными. В базе электроны рекомбинируют, а их концентрация в базе пополняется от «+» источника Еэ, за счёт чего в цепи базы будет протекать очень малый ток. Оставшиеся электроны, не успевшие рекомбинировать в базе, под ускоряющим действием поля закрытого коллекторного перехода как неосновные носители будут переходить в коллектор, образуя ток коллектора. Переход носителей зарядов из области, где они были не основными, в область, где они становятся основными, называется экстракцией зарядов. Степень рекомбинации носителей зарядов в базе оценивается коэффициентом перехода носителей зарядов 8:

1к.п. 1эп.

Основное соотношение токов в транзисторе: 1э = 1к + 1б

„ 1э.п. • 1к.п 1к.п.

5 -у =-=-= а

1э • 1э.п. 1э

а - коэффициент передачи тока транзистора или коэффициент усиления по току: 1к = а • 1э

Дырки из коллектора как неосновные носители зарядов будут переходить в базу, образуя обратный ток коллектора 1кбо. 1к = а • 1э + 1кбо

Из трёх выводов транзистора на один подаётся входной сигнал, со второго - снимается выходной сигнал, а третий вывод является общим для входной и выходной цепи. Таким образом, рассмотренная выше схема получила название схемы с общей базой.

1э „-Л/Т1 1к

Рис. 64

1вх = 1э 1вых = 1к


Ubx = ибэ Ивых = U6k

Напряжение в транзисторных схемах обозначается двумя индексами в зависимости от того, между какими выводами транзистора эти напряжения измеряются.

Рис. 651

Так как все токи и напряжения в транзисторе, помимо постоянной составляющей имеют ещё и переменную составляющую, то её можно представить как приращение постоянной составляющей и при определении любых параметров схемы пользоваться либо переменной составляющей токов и напряжений, либо приращением постоянной составляющей.

1к а = -

где Ik, 1э - переменные составляющие коллекторного и эмиттерного тока, AIk, Д!э - постоянные составляющие.

включения

биполярных транзисторов

Схемы включения транзисторов получили своё название в зависимости от того, какой из выводов транзисторов будет являться общим для входной и выходной цепи.

1)Схема включения с общей базой ОБ

2)Схема включения с общим эмиттером ОЭ

3)Схема включения с общим коллектором ОК

4)Усилительные свойства биполярного транзистора.

1)Схема включения с общей базой (смотрите рисунок 64). Любая схема включения транзистора характеризуется двумя основными показателями:

-коэффициент усиления по току 1вых/1вх (для схемы с общей базой 1вых/1вх=1к/1э=а [а<1])

-входное сопротивление Явхб=Ивх/1вх=Ибэ/1э.

Входное сопротивление для схемы с общей базой мало и составляет десятки Ом, так как входная цепь транзистора при этом представляет собой открытый эмиттерный переход транзистора. Недостатки схемы с общей базой:

•Схема не усиливает ток а<1

•Малое входное сопротивление

•Два разных источника напряжения для питания. Достоинства - хорошие температурные и частотные свойства.

2)Схема включения с общим эмиттером. Эта схема, изображенная на рисунке 66, является наиболее распространённой, так как она даёт наибольшее усиление по мощности.



[стр.Начало] [стр.1] [стр.2] [стр.3] [стр.4] [стр.5] [стр.6] [стр.7] [стр.8] [стр.9] [стр.10] [стр.11] [стр.12] [стр.13] [стр.14] [стр.15] [стр.16] [стр.17] [стр.18] [стр.19] [стр.20] [стр.21] [стр.22] [стр.23] [стр.24] [стр.25] [стр.26] [стр.27] [стр.28] [стр.29] [стр.30] [стр.31] [стр.32] [стр.33] [стр.34] [стр.35] [стр.36] [стр.37] [стр.38] [стр.39] [стр.40]