Полевые транзисторы

Спи - входная ёмкость полевого транзистора. Ёмкость между затвором и истоком при коротком замыкании по переменному току на выходе с общим истоком. С12и - проходная ёмкость полевого транзистора. Ёмкость между затвором и стоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком. С22и - выходная ёмкость полевого транзистора. Ёмкость между стоком и истоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком. Сзи - ёмкость затвор - исток. Ёмкость между затвором и истоком при разомкнутых по переменному току остальных выводах.

Еш - электродвижущая сила шума полевого транзистора. Спектральная плотность эквивалентного шумового напряжения, приведённого ко входу, при коротком замыкании на входе в схеме с общим истоком.

g2 - активная составляющая выходной проводимости полевого транзистора в схеме с общим истоком.

Гз.ут - ток утечки затвора. Ток затвора при заданном напряжении между затвором и остальными выводами, замкнутыми между собой.

1с - ток стока полевого транзистора (не путать с номинальным током стабилизации стабилитрона). Ток, протекающий в цепи сток - исток при напряжении сток -исток, равном или большем, чем напряжение насыщения, при заданном напряжении затвор - исток.

Гс.макс - максимально допустимый постоянный ток стока.

Гс.нач - начальный ток стока. Ток стока при напряжении между затвором и истоком, равном нулю, и при напряжении на стоке, равном или превышающем напряжение насыщения.

Кур - коэффициент усиления по мощности полевого транзистора. Отношение мощности на выходе полевого транзистора к мощности на входе при определённой частоте и схеме включения.

Кш - коэффициент шума транзистора. Для полевого транзистора это отношение

полной мощности шумов на выходе полевого транзистора к той её части, которая

вызвана тепловыми шумами сопротивления источника сигнала.

Яси.отк - сопротивление сток - исток в открытом состоянии полевого транзистора.

Сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии транзистора при

заданном напряжении сток - исток, меньшем напряжения насыщения.

Яс.мин - минимальное сопротивление канала сток - исток полевого транзистора в

проводящем состоянии, включённого по схеме с общим истоком.

S - крутизна характеристики полевого транзистора. Отношение изменения тока

стока к изменению напряжения на затворе при коротком замыкании по

переменному току на выходе транзистора в схеме с общим истоком.

Тк - температура корпуса транзистора. Температура в заданной точке корпуса

транзистора.

Цз1з2.макс - максимально допустимое напряжение между затворами. Цзи - напряжение затвор - исток.

Цзи.макс - максимально допустимое напряжение затвор - исток.

Изи.отс - напряжение отсечки полевого транзистора. Напряжение между затвором и истоком транзистора с p-n переходом или с изолированным затвором, работающего в режиме обеднения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения.

Изи.пор - пороговое напряжение полевого транзистора. Напряжение между затвором и истоком транзистора с изолированным затвором, работающего в режиме обогащения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения. Изс.макс - максимально допустимое напряжение затвор - сток. Иси - напряжение сток - исток.

Иси.макс - максимально допустимое напряжение сток - исток.

Микросхемы

f1 - частота единичного усиления. гвх - частота входного сигнала. 10вх - входной ток логического нуля. 11вх - входной ток логической единицы. 11вых - выходной ток логической единицы. 1вх - постоянный ток входа.

1кз - значение тока, потребляемого микросхемой при замкнутом накоротко выходе. 1н - постоянный ток нагрузки. 1н.макс - максимальный ток нагрузки.

ДГн.макс - диапазон изменения максимального выходного тока - тока, отдаваемого в нагрузку.

1п - потребляемый ток.

11п - ток потребления в режиме логической единицы. Kd - минимальный коэффициент усиления. Яовх - входное сопротивление. Гздр10 - время задержки при переходе из 1 в 0. Гздр01 - время задержки при переходе из 0 в 1. И0вых - выходное напряжение логического нуля. И1вых - выходное напряжение логической единицы. Ивх - входное напряжение.

ДИвх.макс - максимальное изменение входного напряжения. Ивых - выходное напряжение.

Ивых.мин - минимально допустимое выходное напряжение.

ДИвых - максимальное изменение выходного напряжения - изменение Ивых,

обусловленное изменением Гн.макс.

Иип - напряжение источника питания.

Иип.ном - номинальное напряжение источника питания.

Ипд - максимальное падение напряжения на стабилизаторе (Dropout Voltage) Ипд = Ивх - Ивых.мин.

Исм - напряжение смещения "нуля". Иш - напряжение шумов.

Vu - скорость увеличения выходного напряжения.

Y - абсолютный температурный коэффициент (температурная стабильность), мВ / °С, y = АЦвых / AT - изменение выходного напряжения от изменения температуры окружающей среды при неизменных Цвх и Гн. АМ - амплитудная модуляция.

АПЧГ - автоматическая подстройка частоты гетеродина. АРУ - автоматическая регулировка усиления.

Вид цепи - вид цепи, в которую включён регулирующий элемент микросхемного

стабилизатора напряжения.

ВЧ - высокая частота.

НЧ - низкая частота.

ПЧ - промежуточная частота.

ПЧЗ - преобразователь частоты звука.

ПЧИ - преобразователь частоты изображения.

СК - селектор каналов.

ФАПЧ - фазовая автоподстройка частоты.

ЧМ - частотная модуляция.

--данные не нормируются или информация о данном параметре отсутствует.

ТУ - технические условия.

и - буква "и" рядом со значением параметра означает, что приведённая величина соответствует импульсному режиму работы транзистора.

т - буква "т" рядом со значением параметра означает, что приведённая величина является типовой.

Электроды транзисторов условно обозначаются первыми буквами соответствующего названия электродов. Например, затвор - буква "З", база - "Б".

Сток (С)

Затвор(З) ()

-v-I-7-

Исток (И)

Если не указана температура, при которой были получены параметры деталей, то предполагается, что эта температура - комнатная 25 °С.

Коэффициенты 1121Э и 1121э указаны для соответствующих значений Цкэ (Цкб) и 1к (Гэ) биполярных транзисторов. Значения параметров Цзи и Цси указаны для соответствующих значений Гз.ут и S полевых транзисторов. Значение Рмакс полевых транзисторов указано для соответствующих значений T.

Цветные точки рядом с электродом транзистора в металлическом корпусе чаще всего обозначают вывод эмиттера.