Ремонт принтеров, сканнеров, факсов и остальной офисной техники


назад Оглавление вперед




[4]

состоянии с определённой скоростью его нарастания.

tзд - время задержки. Интервал времени между заданным моментом в начале импульса тока управления и моментом, когда основное напряжение понижается до заданного значения, близкого к начальному.

Ги - длительность импульса тока или напряжения в открытом состоянии. Гнр - время нарастания. Интервал времени между моментом, когда основное напряжение понижается до значения, близкого к начальному, и моментом, когда оно достигает заданного низкого значения при включении тиристора импульсом тока управления. На практике принято считать началом импульса тока или напряжения управления момент, когда их значение достигает 0,1 от амплитуды. За время задержки считают интервал времени до момента спада напряжения до 0,9 от амплитуды или до момента возрастания тока до 0,1 от амплитуды. Время нарастания определяется в интервале спада напряжения от 0,9 до 0,1 от начального значения, а по току - от 0,1 до 0,9 от амплитуды. Время включения равно сумме времён задержки и нарастания.

Гу - длительность импульса тока или напряжения управления.

Ивкл - напряжение включения. Основное напряжение на динисторе, при котором он переходит из закрытого состояния в открытое.

Изс - постоянное напряжение, прикладываемое к тиристору в закрытом состоянии. Изс.и - импульсное напряжение в закрытом состоянии.

Изс.п - повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии. Наибольшее мгновенное значение напряжения в закрытом состоянии, прикладываемого к тиристору, включая все повторяющиеся переходные напряжения. Иобр.п - повторяющееся импульсное обратное напряжение. Наибольшее мгновенное значение обратного напряжения, включая только повторяющиеся переходные напряжения.

Иос.и - импульсное напряжение в открытом состоянии. Наибольшее мгновенное значение напряжения в открытом состоянии, обусловленное импульсным током в закрытом состоянии заданного значения.

Иоткр.макс - максимальное напряжение в открытом состоянии. Напряжение на тиристоре при определённом токе в открытом состоянии.

Ит.обр.макс - максимальное напряжение, приложенное в обратном направлении к тиристору.

Иу - постоянное напряжение управления.

Иу.пр.и.макс - максимальное прямое импульсное напряжение управления.

Иу.от - отпирающее постоянное напряжение управления. Постоянное напряжение

управления, соответствующее постоянному току управления.

Иуэ - постоянное напряжение, приложенное к управляющему электроду тиристора. (Шзс / сккр - критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии. Наибольшее значение скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии, которое не вызывает переключения тиристора из закрытого состояния в открытое.

Биполярные транзисторы

ftp - граничная частота коэффициента передачи тока. Частота, при которой модуль


коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером экстраполируется к единице. Частота, равная произведению модуля коэффициента передачи тока на частоту измерения, которая находится в диапазоне частот, где справедлив закон изменения модуля коэффициента передачи тока 6 дБ на октаву. fh21 - предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора. Частота, на которой модуль коэффициента передачи тока падает на 3 дБ по сравнению с его низкочастотным значением.

1121Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора. Отношение постоянного тока коллектора к постоянному току базы при заданных постоянном обратном напряжении коллектор - эмиттер и токе эмиттера в схеме с общим эмиттером.

1121э - коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером. Отношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению входного тока в режиме короткого замыкания выходной цепи по переменному току в схеме с общим эмиттером. Гк - ток коллектора транзистора.

Гкбо - обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор - база и разомкнутом выводе эмиттера. Гк.макс - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора. Гк.и.макс - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора. Гкэк - обратный ток коллектор - эмиттер при короткозамкнутых выводах базы и эмиттера. Ток в цепи коллектор - эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор - эмиттер и короткозамкнутых выводах эмиттера и базы. Гкэо - обратный ток коллектор - эмиттер при разомкнутом выводе базы. Ток в цепи коллектор - эмиттер при заданном напряжении коллектор - эмиттер и разомкнутом выводе базы.

1кэЯ - обратный ток коллектор - эмиттер при заданном сопротивлении в цепи база -

эмиттер. Ток в цепи коллектор - эмиттер при заданном обратном напряжении

коллектор - эмиттер и заданном сопротивлении в цепи база - эмиттер.

Гкэх - обратный ток коллектор - эмиттер заданном обратном напряжении база -

эмиттер.

Гэ - ток эмиттера транзистора.

Гэбо - обратный ток эмиттерного перехода при разомкнутом выводе коллектора транзистора.

Гэ.макс - максимально допустимый постоянный ток эмиттера транзистора. Гэ.и.макс - максимально допустимый импульсный ток эмиттера транзистора. Кш - коэффициент шума транзистора. Для биполярного транзистора это отношение мощности шумов на выходе транзистора к той её части, которая вызвана тепловыми шумами сопротивления источника сигнала.

Рмакс - максимально допустимая постоянно рассеиваемая мощность.

Рк.макс - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на

коллекторе транзистора.

Рк.и.макс - максимально допустимая импульсная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.


Рк.ср.макс - максимально допустимая средняя мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора. ( - скважность.

Ятп-с - тепловое сопротивление от перехода к окружающей среде.

Ятп-к - тепловое сопротивление от перехода к корпусу транзистора.

Гвкл - время включения биполярного транзистора. Интервал времени, являющийся

суммой времени задержки и времени нарастания.

Гвыкл - время выключения биполярного транзистора. Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигнет значения, соответствующего 10 % его амплитудного значения.

Тмакс - максимальная температура корпуса транзистора. Тп.макс - максимальная температура перехода транзистора.

Грас - время рассасывания биполярного транзистора. Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает заданного уровня. Икб - напряжение коллектор - база транзистора.

Икбо.макс - максимально допустимое постоянное напряжение коллектор - база при токе эмиттера, равном нулю.

Икбо.и.макс - максимально допустимое импульсное напряжение коллектор - база при токе эмиттера, равном нулю.

Икэо.гр - граничное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера.

ИкэЯ.макс - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном (конечном) сопротивлении в цепи база - эмиттер транзистора. Икэх.и.макс - максимально допустимое импульсное напряжение между коллектором и эмиттером при заданных условиях в цепи база - эмиттер. Икэ - напряжение коллектор - эмиттер транзистора.

Икэ.нас - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора. Иэбо.макс - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер - база при токе коллектора, равном нулю.

Однопереходные транзисторы

1вкл - ток включения. 1выкл - ток выключения.

Яб1б2 - межбазовое сопротивление б1 и б2 однопереходного транзистора. Иб1б2 - напряжение между базами б1 и б2 однопереходного транзистора. Иб1б2.макс - максимально допустимое напряжение между базами б1 и б2 однопереходного транзистора.

Иб2э.макс - максимально допустимое напряжение между второй базой и эмиттером однопереходного транзистора.

П - коэффициент передачи однопереходного транзистора. Отношение разности максимально возможного эмиттерного напряжения и падения напряжения на p-n переходе к приложенному межбазовому напряжению.



[стр.Начало] [стр.1] [стр.2] [стр.3] [стр.4] [стр.5] [стр.6] [стр.7] [стр.8] [стр.9] [стр.10] [стр.11] [стр.12] [стр.13] [стр.14] [стр.15] [стр.16] [стр.17] [стр.18] [стр.19] [стр.20] [стр.21] [стр.22] [стр.23] [стр.24] [стр.25] [стр.26] [стр.27] [стр.28] [стр.29] [стр.30] [стр.31] [стр.32] [стр.33] [стр.34] [стр.35] [стр.36] [стр.37] [стр.38] [стр.39] [стр.40] [стр.41] [стр.42] [стр.43] [стр.44] [стр.45] [стр.46] [стр.47] [стр.48] [стр.49] [стр.50] [стр.51] [стр.52] [стр.53] [стр.54] [стр.55] [стр.56] [стр.57] [стр.58] [стр.59] [стр.60] [стр.61] [стр.62] [стр.63] [стр.64] [стр.65] [стр.66] [стр.67] [стр.68] [стр.69]