Ремонт принтеров, сканнеров, факсов и остальной офисной техники


назад Оглавление вперед




[13]

КЦ401Б

КЦ402В

КЦ405В

КЦ409В

КЦ407А

КЦ401Г* КЦ401В**

Средний выпрямленный

250

500 при кр<55

ток, мА, не более

С

500*

1000

1000

3000

300 при

toKp<85 С

400**

Постоянное обратное напряжение, В, не более

500

400

400

400

200

Частота без ограничения

1

5

5

1

+85

режимов, кГц

Температура окружающей среды, °С, не более

+85

+85

+85

+85

Габаритные размеры (без

64X50X15

38x20X7

22X22X7

65X17X7

выводов), мм

32X26X10* 64x50X10**

Особенности конструк-

Для навесного

Для печатного

Для навесного

ции

монтажа

монтажа

монтажа

Таблица П2

Электрические параметры транзисторов КТ838А, КТ840А, Б

Параметр

Номинальное значение

Режим измерений

КТ838А 1

КТ840А 1

КТ840Б

Обратный ток коллектора,

1

UK9 =1500 В, UE3 =0

мА, не более

3

UKb =750 В

3

ИКБ =700 В

Напряжение насыщения

5

1к = 4,5 А, 1в=2 А

коллектор - эмиттер, В, не более

3

3

1к=4 А, 1Б=1,2 А

Напряжение насыщения

1,5

1к = 4,5 А, 1в=2 А

база - эмиттер, В, не более

1,6

1,6

1к = 4 А, 1Б=2 А

Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ, Ь21Э. не менее

10

10

Икв =5 В, 1к = 0,6 А

Граничное напряжение,

ИКЭОгР, В, не менее

700

1Кнас = 0,3 А, Ik = 0,1 А, L = 40 мГн

400

350

Ik нас =0,3 А, Ik = 0,1 А, L = 25 мГн

Время спада импульса тока коллектора ten, мкс,

1,5 (0,7 тип)

насВзап = 1,8 А Г = 4,5

А, Еп = 500 В

не более

0,6

0,6

!Бнас=0,5А, !взап=1А, Еп =

200В

Время рассасывания tрасс, мкс, не более

10 (тип)

CM. ten

3,5

3,5

А

А,

Таблица ПЗ

Предельно допустимые параметры транзисторов КТ838А, КТ840А, Б

Параметр

Предельно допустимое значение

КТ838А

КТ840А

КТ840Б

Постоянный ток кол-

5

6

6

лектора, А, не более


Постоянный ток базы, А, не более

2

2

Импульсный ток коллектора, А, не более

7,5

8 при t„<20 мкс; Q>2

8 при t„<20 мкс; Q>2

Постоянное обратное напряжение эмиттер - база иЭБ, В, не более

5 при IOT = 10 мА; 7,5 при Ь,Б = = 100 мА

5

5

Постоянное напряжение коллектор - эмиттер U Кэшах. В

400 при ЯЭБ = = 100 Ом

350 при R„ -= 100 Ом

Импульсное напряжение коллектор -эмиттер икЭ

Ru max , В не тер UK3 R и max

менее

1500 при R= = 10 Ом, t,„,<2 мкс, Q>4, <75° С

900 t„<80 мкс, teP>1 мкс, Q>2,

UэБ<0

750 t„<80 мкс, Ъи>>1 мкс, Q>2,

U3e<o

Мощность, рассеиваемая на коллекторе При Тн=25°С, Рктах,

Вт

12,5

60

60

Запирающий ток ба ы, IBwn А, не боиее: постоянный импульсный

0,1 3,5

Таблица П3,а

Основные электрические параметры мощных составных транзисторов КТ834А, КТ834Б, КТ834В при

Параметр

Значение

минимальное типовое

максимальное

Обратный ток коллектор - эмиттер при

RM=100 Ом, мА:

КТ834А (при икЭ = 500 В)

0,01

0,2

3

КТ834Б (при UK3 =460 В)

0,01

0,2

3

КТ834В (при иКЭ =400 В)

0,01

0,2

3

Статический коэффициент передачи тока в

150

500

3000

схеме ОЭ: при 1к = 5 A иКЭ = 5 В,

при 1к =10 А икэ =5 В

60

250

71250

Обратный ток эмиттера при иЭБ =5 В, мА

10

25

50

Напряжение насыщения коллектор -

1,2

1,5

2

эмиттер при 1к = 15 А, 1Б=1,5 А, В

Граничное напряжение при L=25 мГн, 1к =

0,1 А, В:

КТ834А

400

450

490

КТ834Б

350

400

440

КТ834В

300

340

375

Время спада тока коллектора при 1кнас =

1,2

10А, 1Бнас=1Б зап = 1А, Lto = =250 В, Ьобр =

- 5 А, мкс

Максимально допустимое постоянное

500

450

400

напряжение коллектор - эмиттер при

=100 Ом, В

Максимальное допустимое импульсное

400

350

300

напряжение коллектор - эмиттер при

хФР>2 мкс, Rfo =100 Ом, В

Максимально допустимое постоянное

8

8

8

напряжение эмиттер - база, В


Максимально допустимый постоянный ток

15

15

15

коллектора, А

Максимально допустимый импульсный ток коллектора при >500 мкс, Q>100, А Максимально допустимый постоянный ток базы, А

20

3,5

20

3,5

20

3,5

Максимально допустимая постоянная

100

100

100

рассеиваемая на коллекторе мощность при

Ткорп = +25вС, Вт

Примечание Транзисторы КТ834А - КТ834В предназначены для устройств управления двигателями, вторичных источников электропитания, компенсационных стабилизаторов напряжения, электронных систем зажигания автомобилей.

Таблица П4

Параметры диодов для выпрямления вторичных преобразованных напряжений

I Номинальное значение

Параметр

КД212А

КД221А

КД221В К

КД213А

КД213Б

КД212Б*

КД221Б*

Д 221 Г*

КД213В*

КД213Г*

Постоянное прямое напряже-

1,0

1,4

1,4

1,0

1,2

ние при t = 25° С, L=10 А, В,

не более

Постоянный прямой ток,

1

0,7

0,3

10

10

Шр.ср,

А, не более

0,5*

0,2*

Постоянное обратное

200

100

400

200

200

напряже-

ние, В, не более

100*

200*

600*

100*

100*

Импульсный прямой ток при

50

2 I

Апр-ср

2 I

Апр-ср

100

100

<10 мс, Q>1000, А

Частота без ограничения

100

25

25

100

100

режимов, кГц

Температура окружающей

+85

+85

+85

+85

+85

среды, °С

Таблица П5

Параметр

Номинальное значение

КД411А

КД411Б

КД411В

КД411Г

Максимально допустимое

700

600

500

400

обратное постоянное напря-

жение, В

Максимально допустимый

прямой импульсный ток си-

нусоидальной формы дли-

тельностью 8 - 13 мкс, А, при

частотах следования:

до 500 Гц

10

10

10

10

16 кГц

11

11

-

-

20 кГц

5

5

-

-

Максимально допустимый

8

8

прямой импульсный ток при t

= 20 - 27 мкс и частоте до

16000 Гц, А

Максимальный постоянный

1

1

1

1

прямой ток, А

1 Л

Постоянное прямое напряжение

1,4

1.4

1 ,4

1 9%

при Ir! А, В, не более



[стр.Начало] [стр.1] [стр.2] [стр.3] [стр.4] [стр.5] [стр.6] [стр.7] [стр.8] [стр.9] [стр.10] [стр.11] [стр.12] [стр.13] [стр.14] [стр.15]