состав смесителя, напряжение сигнала не подается. При подаче на вывод 5 напряжения гетеродина в нагрузке происходит компенсация встречно направленных составляющих тока с частотой гетеродина, протекающих в коллекторных цепях транзисторов основной и вспомогательной пар. Комбинационные составляющие не претерпевают изменений. Такой преобразователь, в частности, может найти применение в приемниках однополосных сигналов.

$9

Рис. 2.5. Преобразовательная (а) и модуляторная (б) микросхемы серии 235

Гетеродинная часть микросхем на транзисторе T7 может быть использована в нескольких вариантах.

Режим работы транзисторов микросхемы по постоянному току определяется делителем Rio, Re, R?, Rs, Тй. Транзистор Тй используется как термокомпенсирующий диод.

Нижняя граничная частота по сигнальному входу для микросхемы 235ПС1 не более 600 кГц, а для микросхемы 235ПС2. не более 50 кГц и соответственно по гетеродинному входу 50 кГц и 1 кГц. Микросхема обеспечивает крутизну преобразования не менее 2 мА/В при частоте сигнала 150 и частоте гетеродина 148,4 МГц. Коэффициенты подавления по сигнальному и гетеродинному входам не менее 10 дБ. Сопротивление сигнального входа не менее 1, а. гетеродинного не менее 1,5 кОм. Емкости сигнального и гетеродинного входов не более 25 пФ. Напряжение собственного гетеродина не менее 300 мВ. Напряжение питания 6,3 В±10%, потребляемая мощность не более 35 мВт.

Примеры практического использования микросхем показаны на рис. 2.4,3, и.

Микросхемы 235МП1 (рис. 2.5,6) и 235МП2 представляют собой кольцевые модуляторы, выполненные по единой схеме и различающиеся только емкостью отдельных конденсаторов. Последовательно с диодами Д1 -

Д4 включены резисторы R5 - R8 для улучшения симметрии. Симметрирование входов и выходов модулятора производится с помощью резисторов R1, R2, R11, R12. Для подачи напряжения на диагонали моста в схеме имеются две пары резисторов: R3, R4 и R9, R10.

Если подключить к микросхеме трансформаторы и подать напряжения несущей и модулирующей частот так, как показано на рис. 2А,к, то на выходе появится модулированное колебание, в спектре которого будут содержаться составляющие верхней и нижней боковых частот. Составляющие с частотой несущей и модулирующего сигнала будут подавлены. Можно выполнить модулятор и без трансформаторов. В этом случае микросхему включают между симметрирующими усилительными микросхемами 235УН4, обеспечивающими парафазные выходы.

Микросхемы 235МП1 и 235МП2 используют и для создания фазовых детекторов. Напряжения гетеродина и сигнала подают через симметрирующие усилители 235УП1 на входы 1, 3 к 9, 11, а выходное напряжение НЧ снимают с нагрузки (с фильтрующим конденсатором), включенной между выводами 5 и 7.

Нижняя граничная частота по сигнальному входу у микросхемы 235МП1 не превышает 10, а у микросхемы 235МП2 - 2,5 кГц. Крутизна характеристики в режиме фазового детектора на частоте 0,2 МГц не менее 6,5 мВ/град, коэффициент передачи модулятора на этой частоте более 0,2. Коэффициент подавления ВЧ в диапазоне 50 - 2500 кГц изменяется от 26 до 14 дБ.

Пример модулятора на микросхеме 235МП1 приведен на рис. 2.4,к.

Микросхемы серии 435 для аппаратуры радиосвязи. Серия состоит из 14 гибридных микросхем, предназначенных для создания высококачественной радиоаппаратуры, работающей в диапазоне до 200 Мгц.

По полноте укомплектования, электрическим параметрам и функциональным возможностям микросхем серия 435 превосходит серии 219, 235 и др. Некоторые микросхемы серии 435 выполнены аналогично лучшим микросхемам серии 235.

Серия 435 содержит усилитель ВЧ и ПЧ с АРУ (435УВ1) с крутизной проходной характеристики не менее 60 мА/В; экономичный усилитель ПЧ (435УР1) с крутизной проходной характеристики более 120 мА/В; три усилителя НЧ (435УН1, 435УН2 и 435УНЗ), первый из которых характеризуется высокой универсальностью, а последний повышенной выходной мощностью (40 мВт); усилитель-ограничитель (435УП1) с амплитудными детекторами для частотных дискриминаторов; микросхему усилителя-генератора 435УП2, предназначенную для создания двух независимых генера-торов или четырех коммутируемых эмиттерных повторителей; микросхему 435КН1 с шестью независимыми транзисторными ключами и микросхему 435КН2 с двумя идентичными независимыми коммутаторами; универсальную микросхему 435 ХП1, работающую на частотах до 200 МГц; двойной балансный смеситель (435ХА1); кольцевой модулятор (435МА1); формирователь импульсных сигналов (435АП), выполненный на триггере Шмитта; детектор AM сигналов с усилителем постоянного тока и эмиттерным повторителем (435ДА1).

Напряжение питания микросхем 6 В±10 %.

Рис. 2.6. Широкополосный усилитель на микросхеме К175УВЗ

Микросхемы серии К175 для радиовещательной аппаратуры. Серия состоит из пяти микросхем, позволяющих выполнить в интегральном исполнении основные узлы радиовещательных приемников.

Микросхема К175УВ1 представляет собой широкополосный усилитель с коэффпциентом усиления по напряжению не менее 10. Коэффициент гармоник не более 10%. Входное сопротивление не менее 1 кОм. Выпускают дзе модификации микросхемы с различными верх» ними частотами (30 и 45 МГц).

Напряжение питания микросхемы 6,3 В+10 % при токе потребления не более 15 мА.

Микросхема К175УВ2 является универсальным усилителем. Универсальность микросхемы определяется наличием в ней дифференциального усилителя.

Микросхему выпускают в двух модификациях, различающихся верхней рабочей частотой (40 или 55 МГц). Входное сопротивление микросхемы не менее 1 кОм, коэффициент шума не более 10 дБ, крутизна проходной характеристики не менее 10 мА/В.

Напряжение питания микросхемы 6 В+10 % при токе потребления не более 3,5 мА.

Микросхема К175УВЗ является стабилизированным экономичным усилителем с повышенной крутизной проходной характеристики (250 - для модификации А и 400 мА/В - для модификации Б). Верхняя граничная частота 2,5 МГц, входное сопротивление не менее 750 Ом, коэффициент шума не более 10 дБ.

Напряжение питания б В+10 % при токе потребления не более 2 мА.

Микросхема К175УВ4 является усилителем-преобразователем ВЧ и определяет частотный диапазон

аппаратуры, создаваемой на микросхемах серии К175. Верхняя граничная частота усилителя-преобразователя ВЧ составляет 150 МГц. Крутизна проходной характеристики на частоте 1 МГц не менее 10 мА/В. Напряжение питания 6,3 В+10 %. Ток потребления не более 3 мА.

Микросхема К175ДА 1 содержит детектор AM сигналов и детектор АРУ с усилителем постоянного тока. Коэффициент передачи детектора не менее 0,4, коэффициент передачи по цепи АРУ не менее 20. Напряжение питания 6 В+10 %. Ток потребления не более 2 мА.

На рис. 2.6 показан для примера широкополосный усилитель на микросхеме К175УВЗ.

2.3. СЕРИИ МИКРОСХЕМ ДЛЯ ТЕЛЕВИЗИОННОЙ АППАРАТУРЫ

Микросхемы серии К224. Серия К224 одна из наиболее распространенных в практике радиолюбителей. За годы выпуска серии состав ее и параметры микросхем существенно изменились. На мо«

мент написания книги серия состояла из 31 микросхемы. В основном они предназначены для создания телевизионной аппаратуры, но могут найти широкое применение и в радиовещательных приемниках.

Микросхема К2УС242 (рис. 2.7,а) представляет собой однокас-кадный универсальный усилитель для приемников AM и ЧМ.

Транзистор ti может быть включен по схеме ОЭ, ОБ или ОК. В зависимости от схемы включения меняются функции, выполняемые имеющимися в микросхеме пассивными компонентами. В схеме ОЭ резистор Rz используют в качестве нагрузочного, резистор R3 стабилизирует режим транзистора, конденсатор С2 при соединении выводов 6 и 7 уменьшает обратную связь по переменной составляющей, а цепь R4, С3 выполняет роль фильтра в цепи питания, если напряжение питания подают на вывод 9.

Смещение на базу транзистора подают обычно от внешнего стабилизированного источника (3 В) через вывод 2 и резистор R{. Эта цепь может быть использована для подачи напряжения АРУ (например, от микросхемы К2ЖА243).

При включении по схеме ОЭ сигнал поступает на базу транзистора через вывод 1 и конденсатор Сь Нагрузка может быть апериодической или резонансной. В первом случае ее сопротивление должно выбираться из условия пребывания рабочей точки в линейной активной области характеристик при заданном питающем напряжении и из условия обеспечения требуемого коэффициента усиления. При резонансной нагрузке первичную обмотку трансформатора целесообразно включить между выводами 4 к 8, а напряжение питания подать на вывод 9 (см. рис. 2.8,а). Для расширения полосы пропускания параллельно контуру можно подключить резистор сопротивлением 5 - 10 кОм.

Микросхему К2УС242 можно использовать в качестве смесителя. При этом сигнал подают через вывод 1 на базу транзистора, а напряжение гетеродина - через вывод 6 на эмиттер. Для выделения ПЧ целесообразно использовать пьезокерамический фильтр, связанный с микросхемой через согласующий трансформатор.

На основе рассматриваемой микросхемы можно создать и гетеродин. Его выполняют по схеме с индуктивной связью с переменным конденсатором в выходном контуре (при необходимости перестройки гетеродина).

Примеры использования микросхемы К2УС242 в усилителе и в преобразователе показаны на рис. 2.8,а, б.

Микросхему К2УС242 можно использовать в диапазоне 0,15 - 30 МГц. При этом параметры устройства существенно зависят от схемы включения транзистора и параметров навесных элементов. Для примера можно отметить, что в усилительном режиме при включении транзистора по схеме ОЭ микросхема на частоте 10 МГц имеет входное сопротивление 150 Ом и обеспечивает крутизну передаточной характеристики не менее 25 мА/В. Напряжение питания 3,6 - 9 В, потребляемая мощность не более 15 мВт.

Микросхема К2УС245 (рис. 2.7,6) предназначена для создания бестрансформаторных усилителей НЧ. Она выполнена на пяти транзисторах. Каскад на транзисторе ti используется как эмиттерный повторитель. Он обеспечивает входное сопротивление микросхемы больше 15 кОм, что необходимо при согласовании с высокоумным выходом амплитудного детектора.

Остальные каскады представляют собой апериодические усилители, причем каскад на транзисторе Гз работает как змиттерный повторитель. Резисторы в эмиттерных цепях транзисторов обеспечивают обратную связь по переменной и постоянной составляющим. Кроме того, можно подавать напряжение обратной связи с выходного каскада усилителя НЧ на базы транзисторов Т2 (через вывод 5) и ts (через вывод 8). Благодаря этому коэффициент нелинейных искажений на частоте 1 кГц не превышает 3%. Коэффициент усиления на этой частоте больше 140. Диапазон частот от 80 Гц до 20 кГц. Напряжение питания микросхемы 5,4-12 В, потребляемая мощность не превышает 80 мВт.

На рис. 2.8,0 показан один из возможных вариантов использования микросхемы К2УС245.

Микросхема К2УС247 (рис. 2.7,в) предназначена для создания выходных УПЧИ. Она представляет собой двухкаскадный усилитель, выполненный по схеме ОЭ - ОБ.

Имеющиеся в микросхеме резисторы задают режимы работы транзисторов по постоянному току. Конденсаторы С1 и С2 разделительные, конденсатор С3 уменьшает обратную связь по переменной составляющей в первом каскаде, а конденсатор С4 обеспечивает включение транзистора Т2 по схеме ОБ.

Используя выводы 2, 4, 5 и 5, можно в широких пределах менять режимы работы транзисторов.

Выходной сигнал снимают с коллектора транзистора 72 (вывод 9) и подают затем на видеодетектор тракта