Ремонт принтеров, сканнеров, факсов и остальной офисной техники


назад Оглавление вперед




[5]

б у +6,38

Л м Выход

Рис. 2.2. Варианты применения усилительных микросхем серии 235:

а - резонансный усилитель ВЧ; б - апериодический усилитель ПЧ; в - усилитель ПЧ с пьезокерамическим фильтром на входе; г - резонансный усилитель ПЧ с АРУ; д - дифференциальный усилитель; е - микрофонный усилитель; ж - регулируемый резонансный усилитель ПЧ с эмиттерным повторителем на выходе; з - частотный детектор; и - резонансный усилитель ОЭ - ОБ; к - кварцевый гетеродин с удвоителем частоты; л - апериодический усилитель ОЭ - ОБ; м - преобразователь частоты с собственным


кварцевым гетеродином

Для выравнивания частотной характеристики в эмиттерной цепи первого каскада использована частотная коррекция, благодаря чему микросхему можно применять как широкополосный усилитель. Коэффициент усиления регулируется с глубиной 18 дБ изменением со-противтения резистора, подключаемого между выводами 2 и 5. Поскольку этот резистор оказывается включенным в цепь обратной связи, то изменение его сопротивления практически не оказывает влияния на стыковочные параметры микросхемы. Наличие вывода 4 позволяет подавать входной сигнал непосредственно на базу транзистора Т3, минуя входной каскад. Мискросхемы могут применяться с различными по характеру нагрузками (LC-контур, электромеханический фильтр и др.).

Микросхемы 235УР2 и 235УР8 различаются номиналами используемых конденсаторов. Применение в микросхеме 235УР8 конденсаторов большей емкости снижает нижнюю граничную частоту до 75 кГц вместо 250 кГц у микросхемы 235УР2. На частотах 1,6 и 25 МГц микросхемы обеспечивают крутизну проходной характеристики соответственно не менее 75 и 25 мА/В, входное сопротивление не менее 3 кОм, а входную емкость не более 15 пФ. При коэффициенте устойчивости 0,9 обе микросхемы на частоте 1,6 МГц обеспечивают усиление более чем в 300 раз.

Пример построения усилителя на основе микросхемы 235УР2 показан на рис. 2.2,6.

Микросхемы 235УРЗ (рис. 2.1,0) и 235УР9 предназначены для использования в усилителе ПЧ с апериодической или селективной нагрузкой. Они отличаются от микросхем 235УР2 и 235УР8 наличием цепи

АРУ.

Обе микросхемы выполнены по одинаковой электрической схеме и различаются номиналами используемых конденсаторов. Микросхемы содержат по два одинаковых усилительных каскада, собранных по схеме ОК - ОБ. Транзисторы T1 и Т3, включенные по схеме с ОК, предназначены для согласования каскадов, а транзисторы Т2 и T4 обеспечивают усиление по напряжению. Напряжение АРУ подают на базовые входы транзисторов T1 и Т3 через диоды Д( и Д2. Максимальная глубина регулирования 86 дБ.

На диодах Д3 и Д4 выполнено устройство, которое позволяет менять характер температурной зависимости крутизны характеристики микросхемы перекоммутацией внешних выводов. Например, если замкнуть выводы 7 и 8, температурная зависимость становится отрицательной и микросхему можно стыковать с пьезокерамнческим фильтром, имеющим обратную температурную зависимость.

Помимо построения различных усилителей ПЧ (рис. 2.2,0, г) микросхемы 235УРЗ и 235УР9 можно использовать в качестве ограничителей с максимальным выходным напряжением не менее 2,3 В или в качестве аналоговых ключей. Обе микросхемы обеспечивают на частоте 25 МГц крутизну проходной характеристики не менее 30, а на частоте 1,6 МГц - не менее 70 мА/В. На этой же частоте входное сопротивление превышает 2,5 кОм, входная емкость не более 20 пФ5 выходное сопротивление не менее 15 кОм, а выходная емкость составляет около 6 пФ. При коэффициенте устойчивости более 0,8 максимальный коэффициент усиления превышает 400. Напряжение питания микросхем 6,3 В+10 %, потребляемая мощность не более 23 мВт.

Микросхемы 235УН4 (рис. 2.1,г) и 235УН10 обладают широкими функциональными возможностями. Они могут быть использованы как дифференциальные широкополосные усилители, усилители НЧ с эмиттерным повторителем, инверторы, парафазные усилители, симметричные ограничители, электронные ключи и т. д.

Основу микросхем, которые различаются только номиналами используемых конденсаторов, составляет дифференциальный каскад на транзисторах Т2 и Т5 с токостабилизирующим элементом на транзисторе Т3. В базовом делителе дифференциальной пары применен для термокомпенсации диод Д1. Транзистор. T4 в диодном включении стабилизирует режим транзистора Т3. Входные сигналы можно подать на выводы lull или 2 и 10. Выходное напряжение снимают с выводов 5 и 7. На обоих выходах микросхем включены эмиттерные повторители на транзисторах Т} и Т6. При использовании в качестве входных выводов 1 и 11 нижняя граница частотного диапазона усилителя на микросхеме 235УН4 составляет 2,5 кГц а на микросхеме 235УН10 0,3 кГц. Верхняя граничная частота на уровне 3 дБ достигает соответственно 4 и 7,5 МГц. На частоте 10 кГц входное сопротивление не менее 4 кОм, а коэффициент усиления не менее 16.

Микросхемы обеспечивают подавление синфазного сигнала с коэффициентом не менее 40 дБ. Коэффициент асимметрии выходных напряжений не превышает 10 %.

С помощью внешнего резистора, включенного между выводами 5 и 4, можно регулировать коэффициент усилителя в пределах до 4 дБ. При подаче сигналов на входы 2 и 10 микросхемы могут быть применены для усиления постоянного тока.

При использовании микросхем в качестве ограничителей порог ограничения по входному сигналу составляет 110+40 мВ. Если микросхема работает в качестве аналогового ключа, то запирающее напряжение следует подавать на эмиттеры транзисторов T2 и т1 через вывод 9. При наличии запирающего напряжения затухание сигнала не менее 34 дБ. Напряжение питания 6,3 В+10 %, потребляемая мощность не более 23 мВт. Пример использования микросхемы приведен на рис. 2.2Д

Микросхему 235УН5 (рис. 2.1,5) применяют для усиления НЧ колебаний. Первый каскад микросхемы на транзисторе Т} выполнен по схеме ОЭ, второй каскад на транзисторе Т2 работает как эмит-терный повторитель, обеспечивая согласование с оконечным пара-фазным каскадом на транзисторах Т3 и 7Y На частоте 1 кГц микросхема усиливает не менее чем в 400 раз. Входное сопротивление не менее 4 кОм. Максимальное выходное напряжение на парафаз-ном выходе не менее 1 В. Рабочий диапазон частот 25 Гц - 100 кГц, причем


верхнюю граничную частоту можно регулировать внешним конденсатором, включаемым между выводом 8 и корпусом.

Предусмотрена возможность подачи входного сигнала непосредственно на базу транзистора Т2, минуя первый усилительный каскад. Усиление микросхемы при этом уменьшается в 30 - 40 раз. При необходимости может быть использован только первый каскад.

Напряжение питания микросхемы 6,3 В+10 %, потребляемая мощность не более 14 мВт. Пример включения микросхемы в усилительном режиме показан на рис. 2.2,е.

Микросхемы 235УР7 (рис. 2Л,е) и 235УР11 используют преимущественно в усилителях ПЧ. Они отличаются от микросхем 235УР2 и 235УР8 меньшим усилением, наличием цепи АРУ и большим входным сопротивлением, а от микросхем 235УРЗ и 235УР9 - лучшей равномерностью усиления в частотном диапазоне и меньшей глубиной регулировки коэффициента усиления.

Каждая из микросхем содержит усилитель на транзисторах Т1 и Т2 и многоцелевой каскад на транзисторе Т3. Последний может быть использован как развязывающий эмиттерный повторитель, дополнительная ступень усиления с коллекторной нагрузкой или амплитудный транзисторный детектор.

Каскад, выполненный по схеме ОК на транзисторе Т1, обеспечивает согласование с предыдущим каскадом. Основное усиление дает транзистор Т2, включенный по схеме ОБ. Смещение баз транзисторов задается термокомпенсирующей цепью, на которую через вывод 4 подают напряжение АРУ (максимальная глубина АРУ не менее 46 дБ). Нагрузкой входного каскада служит резистор R$, напряжение с которого можно подать на базу транзистора Т3, если соединить выводы 8 и 10.

Режим ограничения в микросхемах реализуется в активной области за счет уменьшения коэффициента усиления каскада. При увеличении входного сигнала возрастают постоянные составляющие токов баз транзисторов Т1 и T2, а следовательно, и падение напряжения на резисторах Re и R7. Положительные смещения на базах уменьшаются, транзисторы работают при меньшей крутизне передаточной характеристики. За счет диода Д{ создаются предыскажения входного сигнала. Этим частично компенсируются искажения в усилителе. Уменьшению искажений усиливаемого сигнала способствует и отрицательная обратная связь из-за падения напряжения на резисторе R4.

Верхняя граничная частота микросхем составляет 100 МГц, а нижняя для микросхемы 235УР7 не превышает 100 кГц и для микросхемы 235УР11 75 кГц. На частоте 1,6 МГц крутизна проходной характеристики обеих микросхем более 10 мА/В, а на частоте 100 МГц более 5 мА/В. При коэффициенте устойчивости более 0,8 на частоте 4,2 МГц коэффициент усиления более 100. Микросхема имеет на частоте 1,6 МГц входное сопротивление не менее 2 кОм, выходное сопротивление не менее 10 кОм, входную емкость не более 20 пФ, а выходную емкость не более 15 пФ. Напряжение питания 6,3 В+10%, потребляемая мощность не более 30 мВт.

Примеры использования микросхем 235УР7 и 235УР11 показаны на рис. 2.2,ж, з.

Микросхема 235ХА6 (рис. 2.1,ж) занимает особое положение в серии 235 из-за своей многофункциональности. Ее называют универсальной. Микросхема состоит из двух идентичных ступеней, позволяющих создавать как независимые однокаскадные устройства, так и различные их комбинации. При этом независимо от схемы включения транзисторов имеющиеся в микросхеме пассивные компоненты обеспечивают постоянство режима по постоянному току. Для термостабилизации режима использованы термозависимые базовые делители с диодами Д{ и Д2, а также глубокая отрицательная обратная связь по постоянному току через резисторы R4 и Rs-

Микросхема 235ХА6 предназначена для использования в диапазоне частот 0,1 - 150 МГц в качестве усилителей ПЧ, ВЧ, сме-сителя, гетеродина, ограничителя, преобразователя или умножителя частоты и т. д.

Крутизна проходной характеристики на частоте 10 МГц превышает 12 мА/В, а на частоте 100 МГц не менее 5 мА/В. На частоте 10 МГц входное сопротивление не менее 1,2 кОм, выходное сопротивление не менее 20 кОм, входная емкость не превышает 15, а выходная около 6 пФ. Напряжение питания 6,3 В+10 %, потребляемая мощность не более 29 мВт.

Примеры применения микросхемы 235ХА6 показаны на рис. 2.2,ы - м.

Микросхема 235ДС1 (рис. 2.3,а) совмещает в себе усилитель - ограничитель и частотный детектор. Усилительная часть на транзисторах ti и tz выполнена по такой же схеме, как и усилитель микросхемы 235УР7. Введение в базовую цепь транзистора Тя вместо диода обеспечивает большую идентичность предыскажений с искажениями, возникающими в каскаде на транзисторе Ту. Напряжение АРУ подают в базовую цепь транзистора Т1 через включенный диодом транзистор Тз. Глубина АРУ более 52 дБ. Усилитель микросхемы 235ДС1 имеет такие же параметры, как и усилитель микросхемы 235УР7.

Частотный детектор микросхемы выполнен на диодах Д1 и Д2. Для фильтрации ВЧ составляющей продетектированного сигнала применен общий для двух диодных детекторов конденсатор С$. Коэффициент передачи частотного детектора более 0,35. Напряжение питания микросхемы 6,3 В±10 %, потребляемая мощность не более 30 мВт.

Примеры построения усилителя-ограничителя и частотного детектора с ограничителем приведены на рис.

2.4,а, б.



[стр.Начало] [стр.1] [стр.2] [стр.3] [стр.4] [стр.5] [стр.6] [стр.7] [стр.8] [стр.9] [стр.10] [стр.11] [стр.12] [стр.13] [стр.14] [стр.15] [стр.16] [стр.17] [стр.18] [стр.19] [стр.20] [стр.21] [стр.22] [стр.23] [стр.24] [стр.25] [стр.26] [стр.27] [стр.28] [стр.29] [стр.30] [стр.31] [стр.32] [стр.33] [стр.34] [стр.35] [стр.36] [стр.37] [стр.38] [стр.39] [стр.40] [стр.41] [стр.42] [стр.43] [стр.44] [стр.45] [стр.46] [стр.47] [стр.48] [стр.49] [стр.50] [стр.51] [стр.52] [стр.53] [стр.54] [стр.55]