Микросхема К237ХКЗ (рис. 2.14,в) представляет собой усилитель с выпрямителем для индикатора уровня записи и оконечный усилитель магнитной записи.

Рис. 2.15. Микросхема К237ГС1

3<i+t2S

8ч5В

ft,, J Q*?*

<ЧНН

4

/г магнитит

що K7W ад-J)

1П

[4-1 Иадшвте/Ш.

330

запаси

тщшша 8)ТемёрВЧ v*

до га +йя

" °НН* HZ37XK2 BxoS % ВЧ

Чип*-\ HY

Рис. 2.16. Варианты применения микросхем серии К237:

а - усилитель НЧ; б - предварительный усилитель НЧ; в - усилитель записи и воспроизведения магнитофона; г - генератор тока стирания и подмагничивания со стабилизатором напряжения; д - блок ВЧ; е - усилитель ВЧ с детектором и усилителем АРУ

Оконечный апериодический усилитель выполнен на транзисторах Т1 - T3 В микросхеме предусмотрена возможность коррекции частотной характеристики с помощью внешних компонентов. Коэффициент нелинейных искажений усилителя не превышает 0,6 %. На транзисторе Г4 выполнен выпрямитель индикатора записи по схеме с разделенной нагрузкой. Для сглаживания пульсаций параллельно индикатору подключают электролитический конденсатор большой емкости.

Напряжение питания микросхемы 5 В +10 %, потребляемая мощность не более 22 мВт.

Микросхемы К237ХК5 (рис. 2.14,г) и К237ХК6 (рис. 2.14,5) предназначены для радиоприемника с УКВ диапазоном. Первая из микросхем позволяет создать усилитель ВЧ с коэффициентом усиления 10 - 25 и преобразователь, а вторая - усилитель ЧМ сигналов ПЧ 10,7 МГц и детектор.

Для обеих микросхем напряжение питания 5 - 10 В, а потребляемая мощность не более 80 мВт.

Микросхема К237ГС1 (рис. 2.15) предназначена для создания генератора тока стирания и подмагничи-вания и стабилизатора напряжения питания магнитофона.

Генератор тока стирания и под-магничивания выполняют на транзисторах Т1 и Т2 по двухтактной трансформаторной схеме (рис. 2.16.г). Стабилизатор напряжения построен по компенсационной схеме на транзисторах T3 - T1. Благодаря наличию выводов 4 - 6 существует возможность регулирования значения стабилизированного напряжения.

Рис. 2.17. Истоковый повторитель серии К513

При использовании магнитных головок типов УГ-9 и СГ-9 генератор настраивают на частоту 55 кГц. Он обеспечивает ток стирания не менее 80 мА, а ток подмагничивания 0,7 - 1,5 мА. Микросхема позволяет получить градацию стабилизированных напряжений от 4 до 6 В. Максимальный ток стабилизации не менее 25 мА. Напряжение питания 6 - 10 В, потребляемая мощность не более 320 мВт.

На рис. 2.16 приведены примеры использования отдельных микросхем серии К237.

Серия К513 состоит из трех модификаций истокового повторителя К513УЕ1 (рис. 2.17).

Он предназначен для работы в аппаратуре магнитной записи в качестве предварительного усилителя при использовании злек-третных конденсаторных микрофонов. Истоковый повторитель позволяет согласовать высокое выходное сопротивление электретного микрофона с низким входным сопротивлением усилителя.

Диапазон рабочих частот повторителя (20 - 20000 Гц), т. с. шире, чем у отечественных электретных микрофонов МКЭ-2, МКЭ-3. Неравномерность частотной характеристики не более 3 дБ. Коэффициент нелинейных искажений менее 1%. Приведенное к входу напряжение шума в полосе частот 20 - 20000 Гц не более 12 мкВ. Выходное сопротивление менее 150 Ом. Модификации А, Б и В микросхемы различаются по крутизне характеристики транзистора (более 0,1, 0,2 и 0,25 мА/В).

На частоте 1 кГц коэффициент передачи повторителя в режиме холостого хода не менее 0,12.

2.5. СЕРИИ МИКРОСХЕМ ДЛЯ ЛИНЕЙНЫХ И ИМПУЛЬСНЫХ

УСТРОЙСТВ

Промышленностью освоена широкая номенклатура серий микросхем, предназначенных для создания линейных и импульсных устройств различного назначения.

Это в первую очередь серии К101, КП8, КИ9, К122, К124, К162, К218, К228, К249, К722.

Рис. 2.18. Микросхемы серии К122

Микросхемы серий КИ8, К122 и К722 для линейных и пороговых устройств. Серии КИ8, К122 и К722 близки по составу и различаются конструктивным оформлением микросхем. Для этих серий характерна

универсальность входящих в их состав микросхем. Рассмотрим схемотехнические особенности некоторых из них.

Микросхема К122УД1 является однокаскадным дифференциальным усилителем постоянного тока, принципиальная схема которого показана на рис. 2.18,а.

Основу усилителя составляют транзисторы Т} и Т2 с идентичными параметрами. Совместно с равными по сопротивлению резисторами Ri и Ri эти транзисторы образуют сбалансированную мостовую схему. В идеальном случае напряжение на диагонали моста между выводами 5 и 9 при отсутствии входного сигнала должно быть равно нулю.

Одно из важнейших достоинств дифференциальных усилителей заключается в том, что балансировка моста не нарушается и в случае синфазного воздействия на выводы 4 и 10. Обычно появление синфазного сигнала объясняется наличием наводок или других помех. Они вызывают одинаковые по амплитуде и фазе изменения напряжений на входах обоих транзисторов, а следовательно, и идентичные изменения токов через них. В результате напряжение между выводами 5 и 9 не претерпевает изменений, что свидетельствует о подавлении синфазной помехи.

Полезный сигнал обычно подается на дифференциальный вход между базовыми выводами транзисторов Т} и Т2. В этом случае входные сигналы обоих транзисторов равны по амплитуде и противоположны по фазе. Изменение тока коллектора одного из транзисторов сопровождается противофазным изменением тока второго транзистора. Как следствие, появляется и меняется в соответствии с сигналом разность напряжений между коллекторами транзисторов дифференциальной пары (выводы 5 и 9).

Кроме работы на симметричный выход микросхема К122УД1 может использоваться и с несимметричным выходом. При этом несколько ухудшается подавление синфазной помехи.

Важным элементом большинства интегральных дифференциальных усилителей является токостабилизирующий двухполюсник (генератор то-ка), подобный тому, который выполнен в рассматриваемой микросхеме на транзисторе Т3 и включен в общую эмит-терную цепь транзисторов Т1 и Т2. Двухполюсник играет важную роль в обеспечении подавления синфазной помехи и заменяет вы-сокоомный резистор, создание которого в полупроводниковых микросхемах вызывает ряд затруднений.

Если токостабилизирующий двухполюсник идеален, т. е. имеет бесконечное дифференциальное сопротивление, то воздействие синфазной помехи вызывает только приращение потенциала эмиттеров Транзисторов TI и Т2. При этом токи и потенциалы их коллекторов не изменяются. Если же токостабилизирующий двухполюсник не идеален, то приращение потенциала эмиттеров транзисторов TI и Т2 сопровождается приращением токов и потенциалов их коллекторов, т. е. появлением синфазной составляющей на выходе усилителя. При некоторой несимметрии плеч дифференциальной пары это приведет и к возникновению паразитной дифференциальной составляющей выходного напряжения. Таким образом, внутреннее дифференциальное сопротивление токостабилизирующего двухполюсника должно быть как можно больше.

Режим транзистора токостабилизирующего элемента определяется резистором R3 и делителем базового смещения, образованным резисторами R6, R4 и R5, а также транзистором Т4 в диодном включении. Транзистор T4 применен для стабилизации тока транзистора Т3 при изменении температуры.

Изменением потенциала на базе транзистора Т3 (для этого можно использовать выводы 8, 11 или 12) достигают изменения динамического диапазона усилителя, а также входного сопротивления.

Микросхему К122УД1 выпускают в трех модификациях (А, Б и В). Они различаются по значению питающего напряжения (±4В±10% и ±6,ЗВ±10%), минимальному коэффициенту усиления (15 и 24), входному сопротивлению (6 и 3 кОм), входному току (10 -и 20 мкА) и по другим параметрам.

Микросхема К122УН1 (рис. 2.18,6) - двухкаскадный усилитель переменного тока. Ее выпускают в пяти модификациях, различающихся напряжением питания (6,3 В±10% и 12,6 В±10%), минимальным коэффициентом усиления (от 250 до 800 на частоте 12 кГц и от 30 до 50 на частоте 5 МГц) и постоянным напряжением на выходе (2,4 - 3,8 В для модификаций А и Б, 7,0 - 9,6 В для остальных). Входное сопротивление 2, выходное сопротивление 1,2 - 3 кОм.

Каскад на транзисторе Т1 выполнен по схеме ОЭ. Транзистор Т2 может быть использован как в схеме ОЭ, так и в схеме ОК. Через резисторы Rt и Ra транзисторы охвачены отрицательной обратной связью, определяющей и стабилизирующей режимы по постоянному току. Для устранения обратной связи по переменному току достаточно подключить конденсатор большой емкости к выводам 5 или 11. Выводы 3 и 11 используют для соединения микросхемы с резистивными или емкостными элементами, меняющими или полностью устраняющими последовательную обратную связь в каждом каскаде, реализующими новые цепи обратной связи позволяющими регулировать режим транзисторов по постоянному току и т. д. Вывод 10 предусмотрен для подключения фильтрующих или корректирующих конденсаторов.

В зависимости от схемы включения транзистора Т2 роль нагрузки могут выполнять резисторы R7 (в схеме ОК) или R5 (в схеме ОЭ), а также внешние элементы.

Микросхема К122УН2 (рис. 2.18,е) представляет собой трех-каскадный усилитель с каскодным соединением транзисторов Г2 и Т3. Включенный по схеме ОЭ транзистор T1 охвачен обратной связью по напряжению через резистор R1.

Транзистор T1 может служить для усиления или для создания необходимого режима работы транзисторов Т2 и Т3 по постоянному току. Вывод 4 можно использовать для подачи сигнала, если для усиления использовать