 |
Литература: Программирование и ремонт Импульсные блоки питания Неисправности и замена Радиоэлектронная аппаратура Микросхема в ТА Рубрикатор ТА Кабельные линии Обмотки и изоляция Радиоаппаратура Гибкие диски часть 2 часть 3 часть 4 часть 5 Ремонт компьютера часть 2 Аналитика: Монтаж Справочник Электроника Мощные высокочастотные транзисторы 200 микросхем Полупроводники ч.1 Часть 2 Алгоритмические проблемы 500 микросхем 500 микросхем Сортировка и поиск Монады Передача сигнала Электроника Прием сигнала Телевидиние Проектирование Эвм Оптимизация Автомобильная электроника Поляковтрансиверы Форт Тензодатчик Силовые полевые транзисторы Распределение частот Резисторные и термопарные Оберон Открытые системы шифрования Удк
[15]
INT1 - Порт D, бит 3 - вход внешних прерываний 1. Подробнее см. описание прерываний. INT0 - Порт D, бит 2 - вход внешних прерываний 0. Подробнее см. описание прерываний.
TXD - Порт D, бит 1 - выход передатчика UART. Если разрешена работа передатчика UART, независимо от состояния DDRD1 этот вывод сконфигурирован как выход.
RXD - Порт D, бит 0 - выход приемника UART. Если разрешена работа приемника UART, независимо от состояния DDRD0 этот вывод сконфигурирован как выход. Когда UART использует вывод для приема данных, единица в PORTD0 подключает встроенный подтягивающий резистор.
ПРОГРАММИРОВАНИЕ ПАМЯТИ
Программирование битов блокировки памяти
Микроконтроллер имеет два бита блокировки, которые могут быть оставлены незапрограммированными (1) или программироваться (0), при этом достигаются свойства приведенные в таблице 20.
Таблица 26. Режимы защиты и биты блокировки
Биты блокировки | Тип защиты | |
Режим LB1 | LB2 | описание |
1 1 | 1 | защита не установлена |
2 0 | 1 | дальнейшее программирование флэш памяти и EEPROM запрещено |
3 0 | 0 | как режим 2, но запрещено и чтение |
Примечание: биты блокировки стираются только при полном стирании памяти
Биты конфигурации (Fuse bits)
В AT90S2333/4433 предусмотрены шесть бит конфигурации - SPIEN, BODLEVEL, BODEN, и CKSEL[2:0]. Когда запрограммирован бит SPIEN (0) разрешен режим последовательного программирования. По умолчанию бит запрограммирован (0). В режиме последовательного программирования этот бит недоступен.
BODLEVEL. Задает уровень срабатывания схемы сброса по пропаданию питания. Если бит незапрограммирован (1), этот уровень - 2.7В, для
запрограммированного бита - 4В. По умолчанию бит незапрограммирован.
BODEN. Когда этот бит запрограммирован (0), разрешен сброс по пропаданию питания. По умолчанию бит незапрограммирован.
CKSEL[2:0]. В таблице 4 приведены значения задержки при сбросе на которые влияют эти биты. По умолчанию биты установлены в 010 - 64mS+16K CK. Код устройства
Все микроконтроллеры фирмы Atmel имеют 3-байтовый сигнатурный код, по которому идентифицируется устройство. Этот код может быть прочитан в параллельном и последовательном режимах. Эти три байта размещены в отдельном адресном пространстве и для AT90S4433 имеют следующие значения:
1.$000: $1E - код производителя - Atmel
2.$001: $92 - 4 кБ флэш памяти
3.$002: $01 - при $01=$92 - м/сх AT90S4433 для AT90S2333:
1.$000: $1E - код производителя - Atmel
2.$001: $91 - 2 кБ флэш памяти
3.$002: $05 - при $01=$92 - м/сх AT90S2333
Программирование флэш памяти и EEPROM
AT90S2333/4433 имеют 2кБ или 4кБ перепрограммируемой флэш памяти программ и 256 байт энергонезависимой памяти данных. При поставке флэш память и память данных стерты (содержат FFh) и готовы к программированию. Микросхемы поддерживают высоковольтный (12В) параллельный режим программирования и низковольтный режим последовательного программирования. Напряжение +12В используется только для разрешения программирования, этот вывод почти не потребляет тока. Последовательный режим программирования предусмотрен для загрузки программы и данных в системе пользователя (внутрисистемное программирование). В обоих режимах программирования память программ и данных программируется байт за байтом. Для программирования EEPROM предусмотрен цикл автоматического стирания при программировании в последовательном режиме.
Параллельное программирование.
Ниже рассмотрено параллельное программирование флэш памяти программ, энергонезависимой памяти данных, битов блокировки и конфигурации. Некоторые выводы процессоров ниже называются именами, отражающими функциональное назначение сигналов при параллельном программировании. Выводы не приведенные в следующей таблице называются своими обычными именами.
Таблица 27. Имена выводов
Имя сигнала при программирован. | Имя вывода | Вх/Вых | Функция |
RDY/BSY | PD1 | Вых | 0: мкросхема занята программированием 1: мкросхема готова к приему команды |
OE | PD2 | Вх | Разрешение выходов (активный 0) |
WR | PD3 | Вх | Импульс записи (активный 0) |
BS | PD4 | Вх | Выбор байта |
XA0 | PD5 | Вх | Действие XTAL бит 0 |
XA1 | PD6 | Вх | Действие XTAL бит 1 |
Биты XA0 и XA1 определяют действие происходящее по положительному импульсу XTAL1. Установки битов приведены в следующей таблице:
Таблица 28. Установка XA1 и XA0
XA1 | XA0 | Действие при подаче импульса XTAL 1 |
0 | 0 | Загрузка адреса памяти программ или данных (старший/младший байт задается выводом BS |
0 | 1 | Загрузка данных (старший/младший байт для флэш памяти задается выводом BS) |
1 | 0 | Загрузка команды |
1 | 1 | Не работает, холостой ход |
По импульсу WR или OE загружается команда определяющая действие по вводу или выводу. В байте команды каждому биту присвоена функция, как показано в таблице 29.
Таблица 29. Биты конфигурации командного байта
Бит | Значение при установке |
7 | Стирание кристалла |
6 | Запись битов конфигурации, расположенных в следующих позициях байта данных: D5-SPIEN, D4-BODLEVEL, D3-BODEN, D2-D0-CKSEL (0 для программирования, 1 для стирания) |
5 | Запись битов блокировки, расположенных в следующих позициях байта данных: D2 - LB2, D1 - LB1 (для программирования устанавливать 0) |
4 | Запись памяти программ или данных (определяется битом 0) |
3 | Чтение сигнатуры |
2 | Чтение битов блокировки и конфигурации, расположенных в следующих позициях байта данных: D5-SPIEN, D4-BODLEVEL, D3-BODEN, D2-D0 -CKSEL (для BS=1) или D2-LB2, D1-LB1 (для BS=0) |
1 | Чтение памяти программ или данных (определяется битом 0) |
0 | доступ к памяти программ, 1 к памяти данных |
ВХОД В РЕЖИМ ПРОГРАММИРОВАНИЯ
Следующий алгоритм переводит устройство в режим параллельного программирования:
1.Подать напряжение 4.5...5.5В на выводы питания.
2.Установить RESET и BS в 0 и выдержать не меньше 100 нС.
3.Подать 12В на RESET и выждать не менее 100 нС перед изменением
BS. Любая активность на выводе BS в течение этого времени приведет к тому, что микросхема не включится в режим программирования.
СТИРАНИЕ КРИСТАЛЛА
При стирании кристалла стираются память программ и данных, а также биты блокировки. Биты блокировки не сбрасываются до
полного стирания памяти программ и данных. Биты конфигурации не изменяются. (Стирание кристалла производится перед его
программированием).
Загрузка команды "стереть кристалл"
1.Установить XA1,XA0 в 10. Это разрешает загрузку команды.
2.Установить BS в 0
3.Установить PC(1..0) PB(5..0) в 1000 0000. Это команда стирания кристалла.
4.Подать положительный импульс на XTAL1. При этом загружается команда и начинается стирание памяти программ и данных. После импульса XTAL1, подать отрицательный импульс на WR, чтобы разрешить стирание битов блокировки по окончанию цикла стирания. Подождать около 10 мС до окончания цикла стирания. Стирание кристалла не генерирует сигнала RDY/BSY.
ПРОГРАММИРОВАНИЕ ФЛЭШ ПАМЯТИ
Загрузить команду "программирование флэш памяти"
1.Установить XA1,XA0 в 10. Это разрешает загрузку команды.
2.Установить BS в 0
3.Установить PC(1..0) PB(5..0) в 0001 0000. Это команда программирования флэш памяти
4.Подать положительный импульс на XTAL1. При этом загружается команда.
Загрузить младший байт адреса
1.Установить XA1,XA0 в 00. Это разрешает загрузку адреса.
2.Установить BS в 0. Это выбирает младший байт адреса.
3.Установить на PC(1..0) PB(5..0) младший байт адреса.
4.Подать положительный импульс на XTAL1. При этом загружается младший байт адреса. Загрузить старший байт адреса
1.Установить XA1,XA0 в 00. Это разрешает загрузку адреса.
2.Установить BS в 1. Это выбирает старший байт адреса.
3.Установить на PC(1..0) PB(5..0) старший байт адреса. ($00..$01)
4.Подать положительный импульс на XTAL1. При этом загружается старший байт адреса. Загрузить байт данных
1.Установить XA1,XA0 в 01. Это разрешает загрузку данных.
2.Установить на PC(1..0) PB(5..0) младший байт данных.
3.Подать положительный импульс на XTAL1. При этом загружается младший байт данных. Запись младшего байта данных.
1.Установить BS в 0. Это выбирает младший байт данных
2.Подать на WR отрицательный импульс. Это инициирует программирование байта. RDY/BSY переходит в низкое состояние.
3.Перед программированием следующего байта подождать, пока RDY/BSY перейдет в высокое состояние.
Загрузить байт данных
1.Установить XA1,XA0 в 01. Это разрешает загрузку данных.
2.Установить на PC(1..0) PB(5..0) старший байт данных.
3.Подать положительный импульс на XTAL1. При этом загружается старший байт данных.