Изменение температуры окружающей среды изменяет параметры транзистора и его статические и динамические характеристики. Это может привести к нарушению выбранного режима работы. Поэтому применяются различные методы температурной стабилизации.

Тк

а)б)

Рис.23. Схема усилителя с ОЭ (а) и выходная характеристика (б).

Эквивалентные схемы транзисторов.

Эквивалентные схемы транзисторов применяются для анализа цепей, содержащих транзисторы. Как известно, транзистор представляет собой совокупность двух встречно включенных взаимодействующих p-n переходов. Обычно транзистор заменяется четырехполюсником. Параметры эквивалентной схемы могут быть определены либо расчетным, либо экспериментальным путем.

В настоящее время чаще всего применяются малосигнальные эквивалентные

схемы

в

h-параметрах. Такая

эквивалентная Тб

схема отражает

зависимость

Тк

Т1

U1

Транзистор

Т2

\тТб

i

U2

hl2Uкlэ.

1

1/h22

а)

Рис.24. Схема четырехполюсника включения с ОЭ (б).

б)

(а), эквивалентная схема транзистора дл.

выходного тока J2 и входного напряжения Ui от входного тока Ji и выходного напряжения U2 транзистора.

Эта зависимость определяется системой уравнений

ДЦ = hiiAFi + hi2AU2;AJ2 = h2iAJi + h22 AU2

где AUi и AU2- изменение входного и выходного напряжений.

AJi и AJ2 - изменения соответствующих токов. Для малых сигналов можно записать

Ui hiiJi + hi2U2 ;"2 "2i"i

J2 = h2iJi + h22U2;

Все h параметры имеют физический смысл.

hii=Ui/Ji- входное сопротивление транзистора при короткозамкнутом выходе

(U2=0).

hi2=Ui/U2 - коэффициент обратной связи по напряжению при разомкнутом по

переменному току входе (Ji=0)

h2i=J2/Ji - коэффициент передачи тока при короткозамкнутом выходе (U2=0) h22=J2/U2 - выходная проводимость при разомкнутом по переменному току

входе (Ji=0).

Коэффициенты h зависят от схемы включения транзисторов (ОБ, ОЭ, ОК). Для транзисторов, включенных с ОЭ

h

i2 Э

БЭ

( AU БЭ

0 при

= R вхэ = -вхб

R вхб ( b + i)h2lэ =

U кэ = 0

V

V

AU

= 0

0 приJБ=0

h =

22

AJ

0 U кэ =0

b

КЭ 0 при J Б = 0

Для высокочастотных схем используется эквивалентная схема в y-параметрах.

Биполярные транзисторы классифицируются по двум параметрам: по мощности и по частотным свойствам. По мощности они подразделяются на маломощные (Рвых<0,3 Вт), средней мощности (0,3 Вт<Рвь1х<1,5 Вт) и мощные (Рвых >i,5 Вт); по частотным свойствам - на низкочастотные (f6<0,3 МГц), средней частоты (0,3МГц< f6<3Mrii), высокой частоты (3МГц<<30МГц) и сверхвысокой частоты (>30МГц).

Маркировка биполярных транзисторов предусматривает шесть символов.

Первый символ - буква (для приборов общего применения) или цифра для приборов специального назначения, указывающая исходный полупроводниковый материал, из которого изготовлен транзистор: Г(1)- германий, К(2)-кремний, А(3)- арсенид галлия.

Второй символ - буква Т, означающая биполярный транзистор,

Третий символ- цифра, указывающая мощность и частотные свойства транзистора

(таблица 2).

Таблица 2.

Четвертый и пятый символы - двухзначное число, указывающее порядковый номер разработки.

Шестой символ- буква, обозначающая параметрическую группу прибора.

Полевые транзисторы. Полевым транзистором называется транзистор, в котором между двумя электродами образуется проводящий канал, по которому протекает ток. Управление этим током осуществляется электрическим полем, создаваемым третьим электродом. Электрод, с которого начинается движение носителей заряда, называется истоком, а электрод, к которому они движутся-стоком. Электрод, создающий управляющее электрическое поле называется затвором.

Различают два типа полевых транзисторов: с управляющим p-n-переходом и

Исток(и)

Затвор(з)

канал

\ /у/Л\

Из!

Сток(с)

6+

+с

и

+

канал n-типа

канал

1 р-типа и

а)б)

Рис.25. Полевой транзистор с управляющим p-n- переходом (а) и его условно обозначение (б).

з

з