Тиристоры (тринисторы) представляют собой многослойную структуру, имеющие три вывода: анод, катод и управляющий электрод. ВАХ тиристора приведена на рис.15. На управляющий электрод поступает управляющий ток Тупр , снижающее напряжение включения Ивкл.

КУ202Н

Та i

I

Тупр1>Тупр2>Тупр3>Тупр4>Тупр-0

Тупр

Иа

Рис. 15 ВАХ тиристора (с), условное обозначение незапираемого (а) и запираемого (в) тиристора

Тиристоры делятся на запираемые и незапираемые. Запираемые тиристоры способны переключатся из открытого состояния в закрытое при подаче на управляющий электрод сигнала отрицательной полярности. Незапираемые тиристоры отключаются только при снижении анодного тока до уровня Та<

Тудерж.

Такимобразом

тиристор имеет два устойчивых состояния и используетсяв

формирователях импульсов и в схемах автоматического

управления.

Симисторы симметричные тиристоры имеют

структуру, три симметричную амперную сигналами.

( )

пятислойную электрода и вольт -

Тупр-0

Рис.16 ВАХ симистора (б), условное обозначение симистора (а)

характеристику (рис.16). Открытие симистора управляющими Симисторы в отличии от тиристоров имеют возможность проводить

ток в двух направлениях, поэтому на них можно подавать переменное напряжение. Симисторы, как и тиристоры могут применяться в формирователях, коммутаторах, в регуляторах тока и напряжения.

Важнейшими параметрами тиристоров являются: ток удержания Тудерж, напряжение в открытом состоянии, ток отпирания Тупр, средний ток, импульсный ток, время включения и отключения и т. д.

Излучающие диоды представляют собой полупроводниковые диоды, излучающие из области p-n перехода кванты энергии. Излучение происходит через прозрачную стеклянную пластину, размещенную в корпусе диода. По характеристике излучения диоды делятся на две группы: диоды с излучением в видимой области спектра, получившие название светодиоды и диоды с излучением в инфракрасной области спектра, получившие название ИК -диоды.

Светодиоды применяются в качестве световых индикаторов, а ИК -диоды в качестве источников излучения в оптоэлектронных приборах и в качестве первичных преобразователей информации.

Маркировка полупроводниковых приборов предусматривает шесть символов. Первый символ - буква (для приборов общего применения) или цифра (для приборов специального назначения), указывающая исходный полупроводниковый материал, из которого изготовлен диод: Г(1) - германий, К(2) - кремний, А(3) - арсенид галлия.

Второй символ - буква, обозначающая подкласс диода: Д -

выпрямительные, высокочастотные и импульсные; В - варикапы, С - стабилитроны и стабисторы; Н - динисторы; У - тиристоры; Л - излучающие диоды и т.д.

Третий символ - цифра, указывающая назначение диода, например: 1, 2, 3 - выпрямительные диоды, 5- импульсные, 6 - СВЧ и т.д.

Четвертый и пятый символы - двухзначное число, указывающее порядковый номер разработки (у стабилитронов - номинальное напряжение стабилизации).

Шестой символ - буква, обозначающая параметрическую группу прибора. Например: КД521А - кремниевый импульсный диод, номер разработки 21, группа А, общего применения.

2.3. Полупроводниковые транзисторы

Все полупроводниковые транзисторы делятся на две группы: биполярные и униполярные (полевые) транзисторы.

Биполярным транзистором называется полупроводниковый прибор с двумя

взаимодействующимиp-Пэмиттер(э) коллектор(к)

переходами.Биполярные♦-p n p

база(б)

ТэТк

эмиттер(э) коллектор(к) ♦ n p n

\

Хбаза(б)

ТэТк

Тб

а)

б)

Рис.17 Биполярные транзисторы типа "p-n-p" (а) и "n-p-n" (б)

транзисторы различаются по структуре. В зависимости от чередования областей различают биполярные транзисторы типа "p-n-p" и "n-p-n" (рис.17).

Транзисторытакже

подразделяются по мощности, частоте и другим признакам.

Принцип действия биполярного транзистора основан на использовании физических процессов, происходящих при переносе основных носителей электрических зарядов из эмиттерной области в коллекторную через базу.

I = I + I б,

экб

где 1э, 1к, 1б - токи соответственно в цепи эмиттера, коллектора, базы.

Важнейшими параметрами, характеризующими качество транзистора, являются дифференциальный коэффициент передачи тока из эмиттера в коллектор - a и дифференциальный коэффициент передачи тока из базы в коллектор - р\

при Икэ- const. bа

а =

Мб 1 - а

>>1

Современные транзисторы имеют а-(0,9-0,99)<1 и в-(4-10000). Основными параметрами, характеризующими транзистор как нелинейный четырехполюсник (рис. 18.) являются:

активный

коэффициент усиления по току KI

AL AL

коэффициент усиления по напряжению K коэффициент усиления по мощности

Kp =

= AU вы AU в AP

z XX вых

APвх

входное сопротивление Rв

выходное сопротивление Rв

AU в

AIвх

Обычно транзисторы включаются в электрическую схему таким образом, чтобы один из его электродов был входным, второй выходным, а третий общий

U