Ремонт принтеров, сканнеров, факсов и остальной офисной техники


назад Оглавление вперед




[41]

Все интегральные схемы ТТЛ, выпускаемые промышленостью можно разделить на следующие группы:

-стандартные - серии 155,133.

-быстродействующие с диодами Шотки - серии 530, 531, 533, 1531.

-Маломощные с диодами Шотки - серии 533, 555, 1533.

Основные различия перечисленные выше серий в их быстродействии и потребляемой мощности. Типовые параметры БЛЭ различных серий ТТЛ приведены в таблице 6. Напряжение питания + 5±5%(+5±10%) равно или

Таблица 6

Серии

tз.р.

нс

P

МВт

и1

и вых В

и вых

В

j1

•> вых

mA

J0

•> вых

mA

К155

10

10

>2,4

<0,4

4

16

К531

3

20

>2,7

<0,5

8

20

К555

10

2

>2,7

<0,5

1

8

Х0

Rk1 Y0

Rk2

Y1

Базовый элемент эмиттерно-связанной логики (БЛЭ ЭСЛ). ИС ЭСЛ

являются самыми быстродействующими из существующих. Быстродействие здесь достигается уменьшением логического перепада между уровнями 0 и 1. При этом, естественно, снижается помехоустойчивость элемента.

Основой БЛЭ ЭСЛ является токовый ключ , выполненный на двух транзисторах (рис. 152). На базу транзистора VT2 подано некоторое постоянное

!опорное напряжение Uоп . На базу второго

транзистора VT1 поступает входной сигнал Х0 , который может быть больше или меньше иоп. . В зависимости от этого токи между транзисторами VT1 и VT2 перераспределяются, а следовательно, и изменяется выходное напряжение Y0, Y1. Ток, потребляемый ключом, при этом остается постоянным.

Быстродействие токового ключа велико, т.к. , во-первых транзисторы не заходят в область насыщения и во-вторых перепад между значениями лог.0 и лог.1 мало и составляет ~(0,6-0,7)в.

С токового ключа снимаются одновременно два сигнала: прямой и инверсный Y0 = X0, Y = X0

иоп

-ип

Рис.152 Токовый ключ БЛЭ ЭСЛ.


Полная схема БЛЭ ЭСЛ приведена на рис. 153

III

III

XVTo

4

Rn+1

о

Xn

Rn+2

R0

Rn

VTn VT

Rn+3

VTn+2

1

Rn+4

Rn+6

VTn+3

Y2

Y1

-Ип

Рис.153 Схема БЛЭ ЭСЛ.

Функционально схему БЛЭ можно разбить на три узла: токовый ключ на транзисторах VTVT и резисторе Rn+3, источник эталонного напряжения, выполненный на диодах VД1, VД2, резисторах Rn+5, Rn+6 и эмиттерного повторителя на транзисторе VTn+2 и выходные эмиттерные повторители на транзисторах VTn+3, VTn+4 .

Если на все входы Х0...Хп подать напряжение близкое к логическому 0 (~-1,7в) то все транзисторы VTVT будут закрыты и ток резистора Rn+3 будет протекать через транзистор VTn+1, к базе которого приложено напряжение . На коллекторе транзистора VTn напряжение близко к нулевому и с эмиттерного повторителя VTn+3 снимается напряжение IJY2 равное примерно -0,9в (логическая 1).

Через резистор Rn+2 протекает ток ключа и на нем падает напряжение Щ~1Дп+2 . Это напряжение поступает на эмиттерный повторитель VTn+4. На выходе VTn+4 напряжение Шп~-1,7в (логический 0).

Если на один из входов Х0... Xn подать напряжение логической 1, то соответствующий транзистор перейдет в активный режим и ключ изменит свое состояние. Это приведет к тому, что на выходе IJY2 будет формироваться логический 0, а на выходе IJY1 - логическая 1.

Таким образом, рассмотренная схема реализует по выходу Y2 операцию ИЛИ-НЕ, а по выходу Y1-операцию ИЛИ

Y = (X0 + X1 + • • -Xn), Y2 = (X0 + X1 + -Xn).

Для повышения помехоустойчивости БЛЭ ключ и эмиттерные повторители питаются по раздельным цепям питания. Действительно ток потребляемый


ключом постоянен, а ток потребляемый эмиттерными повторителями импульсный.

Статические характеристики БЛЭ приведены на рис.154

ивх ив

вхмак вх мин -I-1-1-

ив,

-0.9в

-1.7в

Jвых

-л-

ивх и и1

вхмак вхмин

и1

выхмин

ив.

1

-0.98в

-1.65в

t ивых

а)б)в)

Рис.154 Статические характеристики БЛЭ ЭСЛ передаточная (а), входная (б), выходная (в).

Входное напряжение вблизи иоп= -1,3 является запрещенным. Логический перепад выходного напряжения составляет примерно 0,88в. Выходное сопротивление элемента мало. Основные серии 100, 500, 1500. Напряжение пита-

±10%

ип=-5,2 в.

ния

VT1

R

Вх

оип

>Вых1

VT2

°Вых2

Рис.155 БЛЭ ИЛ.

Базовый элемент интегрально-инжекторной логики применяется в БИС и состоит только из полупроводниковых транзисторов, отличается высокой технологичностью и низким напряжением питания. Схема БЛЭ приведена

на рис. 155. Особенностью элемента является: отсутствие резисторов, использование импульсного токового принципа питания, малые логические перепады, что обеспечивает высокое быстродействие.

В состав БЛЭ входит многоколлекторный транзистор УГ2 и генератор базового тока транзистора, выполненного на транзисторе УГ1. Ток инжектора задается

внешним резистором R, который является общим на группу элементов.

2

Важной особенностью элемента И Л является возможность изменять ток

инжектора в пределах от 1нА до 1мА и тем самым менять его быстродействие.

2

Принцип работы схемы И Л заключается в следующем. Допустим сигнал на входе элемента присутствует (лог. 1). В этом случае ток инжектора втекает в базу транзистора VT насыщает его и на его выходах создается логический 0. Реально выходное напряжение равно 0,1ч0,2в. Если на вход элемента подключить сигнал "0" (ивх~0,1ч0,2в), то транзистор запирается и ток инжектора не проходит через эмиттерный переход транзистора VT2 . Напряжение на выходе элемента определяется внешними цепями и равно ~(0,6-0,7)в



[стр.Начало] [стр.1] [стр.2] [стр.3] [стр.4] [стр.5] [стр.6] [стр.7] [стр.8] [стр.9] [стр.10] [стр.11] [стр.12] [стр.13] [стр.14] [стр.15] [стр.16] [стр.17] [стр.18] [стр.19] [стр.20] [стр.21] [стр.22] [стр.23] [стр.24] [стр.25] [стр.26] [стр.27] [стр.28] [стр.29] [стр.30] [стр.31] [стр.32] [стр.33] [стр.34] [стр.35] [стр.36] [стр.37] [стр.38] [стр.39] [стр.40] [стр.41] [стр.42] [стр.43] [стр.44] [стр.45] [стр.46] [стр.47] [стр.48] [стр.49] [стр.50] [стр.51] [стр.52]