|
||||
Меню:
Главная
Форум
Литература: Программирование и ремонт Импульсные блоки питания Неисправности и замена Радиоэлектронная аппаратура Микросхема в ТА Рубрикатор ТА Кабельные линии Обмотки и изоляция Радиоаппаратура Гибкие диски часть 2 часть 3 часть 4 часть 5 Ремонт компьютера часть 2 Аналитика: Монтаж Справочник Электроника Мощные высокочастотные транзисторы 200 микросхем Полупроводники ч.1 Часть 2 Алгоритмические проблемы 500 микросхем 500 микросхем Сортировка и поиск Монады Передача сигнала Электроника Прием сигнала Телевидиние Проектирование Эвм Оптимизация Автомобильная электроника Поляковтрансиверы Форт Тензодатчик Силовые полевые транзисторы Распределение частот Резисторные и термопарные Оберон Открытые системы шифрования Удк |
[10] потока. Эта зависимость нелинейна. Фоторезисторы имеют высокую инерционность и многие из них не способны работать на частотах более 100Гц. Фотодиод представляет собой полупроводниковый прибор с n-p -переходом. Принцип работы фотодиода заключается в том, что при его освещении возрастает обратный ток, и он не зависит от обратного напряжения. На границе перехода "n-p" возникает ЭДС, величина которой зависит от освещенности и может достигать 0,5-1В. При этом обратное сопротивление фотодиода уменьшается. электрод б) а) в) Рис 32. Конструкция (а), условное обозначение (б) и зависимость Я=Г(ф) для фоторезистора. Фотодиоды используются в электрических цепях измерительной аппаратуры и аппаратуры передачи данных. Они относятся к быстродействующим приборам и реагируют на сигналы до 1МГц. Фотодиоды могут также использоваться в качестве источников питания, например, в солнечных батареях. Основными характеристиками фотодиодов являются световая, вольт-амперная и спектральная. J Сч ф U Ж б) ф4 ф3 ф2 ф1 sirs 5s а) U в) Рис 33. Конструкция (а), условное обозначение (б) и вольт-амперная характеристика (в) фотодиода. фотодиода является активным только преобразование энергии Фототранзистор в отличии от преобразователем, в нем происходит не излучения, но и усиление. Фототранзистор имеет три электрода: эмиттер, коллектор и базу, причем база подвергается облучению потоком лучистой энергии. Конструктивно фототранзисторы выполняются в металлическом корпусе со стеклянным окном. Внутренний эффект в полупроводнике может быть использован для построения других приборов, например, фототиристоров, однопереходных фототранзисторов и др. Оптоэлектронные приборы содержат одновременно источник и приемник световой энергии. Для оптопары как входным так и выходным параметром является электрический сигнал. Особенностью оптопар (оптронов) является отсутствие гальванической связи между входными и выходными цепями. В качестве излучателя оптопары могут быть использованы а)б)в)г) Рис 34. Условное обозначение оптопар: а-резистивная, б-диодная, в-транзисторная, г-тиристорная. светоизлучающий или инфракрасный диод, электрическая лампочка или полупроводниковый лазер. В качестве приемника оптопары находят применение рассмотренные выше фотоэлектрические приборы: фоторезисторы, фотодиоды, фототранзисторы, фототиристоры. На рис.34 приведены условные обозначения основных типов оптопар. Оптопары широко применяются в аппаратуре передачи данных, преобразователях информации, системах автоматического управления. Маркировка оптронов включает в себя семь символов: •первый обозначает материал: А(3) - арсенид галлия; •второй символ - буква О означает оптопара; •третий указывает тип приемника: Д -диод, Т - транзистор, У - тиристор; •четвертый, пятый и шестой символы указывают номер разработки; •седьмой символ - буква, означает группу. Например: АОД130А - диодная оптопара на основе соединений галлия, номер разработки 130, группа параметров А, общего применения. 3 ОТ110 А - транзисторная оптопара, на основе соединения галлия, номер разработки 110, группа параметров А, специального применения. 2.6. Интегральные схемы (ИС) Интегральные схемы в настоящее время являются наиболее распространенной элементной базой при проектировании электронной аппаратуры. Согласно ГОСТ 17021-88 интегральная микросхема - это микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию преобразования, обработки сигнала или накопления информации и имеющее высокую плотность упаковки электрически соединенных элементов и кристаллов, которые рассматриваются как единое целое. В зависимости от технологии изготовления интегральные микросхемы могут быть: полупроводниковыми, пленочными и гибридными. Полупроводниковая микросхема - это микросхема, в которой все элементы и межэлементные соединения выполнены в объеме и на поверхности полупроводника. Пленочная микросхема - микросхема, в которой все элементы и межэлементные соединения выполнены в виде пленок проводящих и диэлектрических материалов. Различают тонкопленочные и толстопленочные ИС. Гибридная микросхема - это микросхема, в которой пассивные элементы выполнены в виде пленок, нанесенных на диэлектрическую подложку, а активные элементы являются навесными. В качестве активных элементов обычно используют бескорпусные диоды, транзисторы или ИС. В зависимости от функционального назначения интегральные микросхемы делятся на аналоговые и цифровые. Аналоговые ИС предназначены для преобразования и обработки аналоговых сигналов, т.е. сигналов, изменяющихся по закону непрерывной функции. Цифровые ИС предназначены для преобразования и обработки дискретных сигналов. В зависимости от количества элементов и компонентов, входящих в ИС, различают: •ИС малой степени интеграции (МИС) - до 50 элементов, •ИС средней степени интеграции (СИС) - до 500 элементов, •ИС большой степени интеграции (БИС) - до 10000 элементов, •ИС сверхбольшой степени интеграции (СБИС) - более 10000 элементов. Современные СБИС содержат до 4 млн элементов. Интегральные микросхемы могут быть построены на базе биполярных транзисторов и на базе МДП-транзисторов (полевых). Последние отличаются минимальными потребляемыми мощностями. Корпуса микросхем изготовляются из стекла, металлостеклянных и металлокерамических композиций, а также из пластмасс и керамики. Наибольшее распространение получили металлокерамический, металлостеклянный, стеклокерамический и пластмассовый корпуса. |
Среды: Smalltalk80 MicroCap Local bus Bios Pci 12С ML Микроконтроллеры: Atmel Intel Holtek AVR MSP430 Microchip Книги: Емкостный датчик 500 схем для радиолюбителей часть 2 (4) Структура компьютерных программ Автоматическая коммутация Кондиционирование и вентиляция Ошибки при монтаже Схемы звуковоспроизведения Дроссели для питания Блоки питания Детекторы перемещения Теория электропривода Адаптивное управление Измерение параметров Печатная плата pcad pcb Физика цвета Управлении софтверными проектами Математический аппарат Битовые строки Микроконтроллер nios Команды управления выполнением программы Перехода от ahdl к vhdl Холодный спай Усилители hi-fi Электронные часы Сердечники из распылённого железа Анализ алгоритмов 8-разрядные КМОП Классификация МПК История Устройства автоматики Системы и сети Частотность Справочник микросхем Вторичного электропитания Типы видеомониторов Радиобиблиотека Электронные системы Бесконтекстный язык Управление техническими системами Монтаж печатных плат Работа с коммуникациями Создание библиотечного компонента Нейрокомпьютерная техника Parser Пи-регулятор ч.1 ПИ-регулятор ч.2 Обработка списков Интегральные схемы Шина ISAВ Шина PCI Прикладная криптография Нетематическое: Взрывной автогидролиз Нечеткая логика Бытовые установки (укр) Автоматизация проектирования Сбор и защита Дискретная математика Kb радиостанция Энергетика Ретро: Прием в автомобиле Управление шаговым двигателем Магнитная запись Ремонт микроволновки Дискретные системы часть 2 | ||