 |
Литература: Программирование и ремонт Импульсные блоки питания Неисправности и замена Радиоэлектронная аппаратура Микросхема в ТА Рубрикатор ТА Кабельные линии Обмотки и изоляция Радиоаппаратура Гибкие диски часть 2 часть 3 часть 4 часть 5 Ремонт компьютера часть 2 Аналитика: Монтаж Справочник Электроника Мощные высокочастотные транзисторы 200 микросхем Полупроводники ч.1 Часть 2 Алгоритмические проблемы 500 микросхем 500 микросхем Сортировка и поиск Монады Передача сигнала Электроника Прием сигнала Телевидиние Проектирование Эвм Оптимизация Автомобильная электроника Поляковтрансиверы Форт Тензодатчик Силовые полевые транзисторы Распределение частот Резисторные и термопарные Оберон Открытые системы шифрования Удк
[50]
Таблица 39. Характеристики внешней памяти данных, напряжение питания от 4,0 до 6,0 В, без состояния ожидания
Обозн. | Параметр | Генератор 8 МГц | Настраиваемый генератор | ЕД. измер. | |||
Мин | Макс | Мин | Макс | ||||
0 | 1/tclcl | Частота генератора | 0,0 | 8,0 | МГц | ||
1 | tlhll | Ширина импульса ALE | 32,5 | 0,5tclcl -30,0 | нс | ||
2 | tavll | Действительность адреса A до низкого ALE | 22,5 | 0,5tclcl -40,0 | нс | ||
3a | tllaax st | Удержание адреса после низкого ALE, команды ST/STD/STS | 67,5 | 0,5tclcl -5,0 | нс | ||
3 b | 4lax ld | Удержание адреса после низкого ALE, команды LD/LDD/LDS | 15,0 | 15,0 | нс | ||
4 | tavllc | Действительность адреса C до низкого ALE | 22,5 | 0,5tclcl -40,0 | нс | ||
5 | tavrl | Действительность адреса до низкого RD | 95,0 | 1,0tclcl -30,0 | нс | ||
6 | tavwl | Действительность адреса до низкого WR | 157,5 | 1,5tclcl -30,0 | нс | ||
7 | tllwl | Низкий ALE до низкого WR | 105,0 | 145 | 1,0tclcl -20,0 | 1,0tclcl + 20,0 | нс |
8 | tllrl | Низкий ALE до низкого RD | 42,5 | 82,5 | 0,5tclcl -20,0 | 0,5tclcl + 20,0 | нс |
9" | tdvrh | Установка данных до высокого RD | 60,0 | 60,0 | нс | ||
10 | trldv | Низкое чтение до действительных данных | 70,0 | 1,0tclcl -55,0 | нс | ||
11 | trhdx | Удержание данных после высокого RD | 0,0 | 0,0 | нс | ||
12 | trlrh | Ширина импульса RD | 105,0 | 1,0tclcl -20,0 | нс | ||
13 | tdvwl | Установка данных до низкого WR | 27,5 | 0,5tclcl -35,0 | нс | ||
14 | twhdx | Удержание данных после высокого WR | 0,0 | 0,0 | нс | ||
Т5 | tdvwh | Действительность данных до высокого WR | 95,0 | 1,0tclcl -30,0 | нс | ||
16 | twlwh | Ширина импульса WR | 42,5 | 0,5tclcl -20,0 | нс | ||
Примечания: 1. В установившемся режиме (не в переходном) значения IOL должны
внешними средствами ограничиваться на уровне:
Максимальный IOL на каждом выводе порта - 10 мА
Максимальный IOL по всем выводам выхода - 300 мА
Порт A - 26 мА
Порты A, B, D - 15 мА
В случае превышения тестовых величин IOL величина VOL может превысить соответствующие значения.
Не гарантируется вытекающий ток вывода больше указанного.
2.При тактовой частоте XTAL = 4 МГц тактовая частота шины тоже 4 МГц.
3.Минимальное значение VCC в режиме Power Down составляет 2 В
Таблица 40. Характеристики внешней памяти данных, напряжение питания от 4,0 до 6,0 В,
состояния ожидания 1 цикл
Обозн | Параметр | Генератор 8 МГц | Настраиваемый генератор | Ед. измер | |||
Мин | Макс | Мин | Макс | ||||
0 | 1/tcici | Частота генератора | 0,0 | 8,0 | МГц | ||
10 | trldv | Низкое чтение до действительных данных | 195,0 | 2,0tclcl -55,0 | нс | ||
12 | trlrh | Ширина импульса RD | 230,0 | 2,0tclcl -20,0 | нс | ||
15 | tdvwh | Действительность данных до высокого WR | 220,0 | 2,0tclcl -30,0 | нс | ||
16 | twlwh | Ширина импульса WR | 167,5 | 1,5tclcl -20,0 | нс | ||
T1T2T3
T4
Системная тактовая частота O
ALE
Адрес (15 - 8) Предмета.
Данные/Адрес (7 - 0) Предиеетв. одрее )[
WR
Данные/Адрес (7 - 0) Предшеетв. одрееАдр<
RD
4
2
13
Адрес
3a
6
3b
-ш.
8
10
Адрес
Данные
16
Данные
15
Адрес 14
11
Адрес
12
Примечание: Тактовый цикл T3 присутствует только в том случае, когда разрешено состояние ожидания внешней SRAM.
Рис. 68. Временные диаграммы тактирования внешней памяти
0
7
5
9
Временная диаграмма внешнего тактового сигнала
Таблица 41. Характеристики внешней памяти данных, напряжение питания от 2,7 до
6,0 В, без состояния ожидания
Обозн. | Параметр | Генератор 8 МГц | Настраиваемый генератор | ЕД. измер | |||
Мин | Макс | Мин | Макс | ||||
0 | 1/tclcl | Частота генератора | 0,0 | 4,0 | МГц | ||
1 | tlhll | Ширина импульса ALE | 70,0 | 0,5tclcl -55,0 | нс | ||
2 | tavll | Действительность адреса A до низкого ALE | 60,0 | 0,5tclcl -65,0 | нс | ||
3a | tllaax st | Удержание адреса после низкого ALE, команды ST/STD/STS | 130,0 | 0,5tclcl -65,0 | нс | ||
3b | tllax ld | Удержание адреса после низкого ALE, команды LD/LDD/LDS | 15,0 | 15,0 | нс | ||
4 | tavllc | Действительность адреса C до низкого ALE | 60,0 | 0,5tclcl -65,0 | нс | ||
5 | tavrl | Действительность адреса до низкого RD | 200,0 | 1,0tclcl -50,0 | нс | ||
6 | tavwl | Действительность адреса до низкого WR | 325,0 | 1,5tclcl -50,0 | нс | ||
7 | tllwl | Низкий ALE до низкого WR | 230,0 | 270,0 | 1,0tclcl -20,0 | 1,0tclcl +20,0 | нс |
8 | tllrl | Низкий ALE до низкого RD | 105,0 | 145,0 | 0,5tclcl -20,0 | 0,5tclcl + 20,0 | нс |
9 | tdvrh | Установка данных до высокого RD | 95,0 | 95,0 | нс | ||
10 | trldv | Низкое чтение до действительных данных | 170,0 | 1,0tclcl -80,0 | нс | ||
11 | trhdx | Удержание данных после высокого RD | 0,0 | 0,0 | нс | ||
12 | trlrh | Ширина импульса RD | 230,0 | 1,0tclcl -20,0 | нс | ||
13 | tdvwl | Установка данных до низкого WR | 70,0 | 0,5tclcl -55,0 | нс | ||
14 | twhdx | Удержание данных после высокого WR | 0,0 | 0,0 | нс | ||
Т5 | tdvwh | Действительность данных до высокого WR | 210,0 | 1,0tclcl -40,0 | нс | ||
16 | twlwh | Ширина импульса WR | 105,0 | 0,5tclcl -20,0 | нс | ||
Таблица 42. Характеристики внешней памяти данных, напряжение питания от 2,7 до
6,0 В, состояния ожидания 1 цикл
Обозн | Параметр | Генератор 8 МГц | Настраиваемый генератор | ЕД. измер. | |||
Мин | Макс | Мин | Макс | ||||
0 | 1/tclcl | Частота генератора | 0,0 | 8,0 | МГц | ||
10 | trldv | Низкое чтение до действительных данных | 420,0 | 2,0tclcl -20,0 | нс | ||
12 | trlrh | Ширина импульса RD | 480,0 | 2,0tclcl -20,0 | нс | ||
15 | tdvwh | Действительность данных до высокого WR | 460,0 | 2,0tclcl -40,0 | нс | ||
16 | twlwh | Ширина импульса WR | 355,5 | 1,5tclcl -20,0 | нс | ||