Ремонт принтеров, сканнеров, факсов и остальной офисной техники


назад Оглавление вперед




[49]

Таблица 38. Система команд программирования в последовательном режиме

Команда

Формат команды

Описание

Байт 1

Байт 2

Байт 3

Байт 4

Разрешить

1010 1100

0101 0011

xxxx xxxx

xxxx xxxx

Разрешает последовательное

программирование

программирование после установки

(Programming Enabb)

RESET на низкий уровень

Очистить кристалл

1010 1100

100x xxxx

xxxx xxxx

xxxx xxxx

Очищает Flash и EEPROM память

(Chip Erase)

Читать память

0010 H000

aaaa aaaa

bbbb bbbb

oooo oooo

Читает H (1 или 0) и данные o

программ (Read

памяти программ по слову адреса

Program Memory)

a:b

Загрузить страницу

0100 H000

xxxx xxxx

xbbb bbbb

iiii iiii

Записывает H (1 или 0) и данные i в

памяти программ

память программ по слову адреса

(Load Program

b

Memory Page)

Записать страницу

0100 1100

aaaa aaaa

bxxx xxxx

xxxx xxxx

Записывает страницу памяти

памяти программ

программ по адресу a:b

(Write Program

Memory Page)

Читать EEPROM

1010 0000

xxxx aaaa

bbbb bbbb

oooo oooo

Читает данные o из EEPROM

память (Read

памяти по адресу a:b

EEPROM Memory)

Записать в EEPROM

1100 0000

xxxx aaaa

bbbb bbbb

iiii iiii

Записывает данные i в EEPROM

память (Wr ite

память по адресу a:b

EEPROM Memory)

очистить Flash память) делается выдержка 10 мс, подается положительный импульс на вывод RESET и начинается выполнение алгоритма с пункта 2.

5.Flash память программируется сразу по одной странице. Страница загружается по одному байту подачей 7 младших битов адреса и байта данных вместе с командой «Загрузить страницу памяти программ». Страница памяти программ сохраняется загрузкой команды «Записать страницу памяти программ» вместе с 9 старшими битами адреса.

6.Матрица EEPROM программируется по одному байту загрузкой адреса и данных вместе с с соответствующей командой «Записать». Соответствующие ячейки памяти EEPROM, перед записью новых данных, автоматически очищаются. Следующий байт может быть записан через 4 мс (при напряжении питания 2,7 В) или через 1 мс мс (при напряжении питания 5,0 В).

7.Любой байт в области памяти может быть проверен командой «Читать», которая возвращает содержимое по заданному адресу через последовательный выход вывода PE1(PDO/TXD).

8.По полном завершении сеанса программирования, для перехода к нормальной работе, вывод RESET должен быть установлен на высокий уровень.

9.Выполнить последовательность отключения питания (при необходимости) Установить низкий уровень на выводе XTAL1 (если не использовался кварцевый кристалл). Установить высокий уровень на выводе RESET.

Отключить напряжение питания VCC.


Читать биты

0101 1000

xxxxxxxx

xxxx xxxx

xxxx x 21x

Читает биты блокировки.

блокировки

0 - запрограммирован,

(Read Lock Bits)

1 - незапрограммирован

Записать биты

1010 1100

111x x 21x

xxxx xxxx

xxxx xxxx

Записывает биты блокировки. При

блокировки

программировании биты 1,2 = 0

(Write Lock Bits)

Читать биты-

0101 0000

xxxx xxxx

xxxx xxxx

xx 5x 61 43

Читает биты-предохранители.

предохранители

0 - запрограммирован,

(Read Fuse Bits)

1 - незапрограммирован

Записать биты-

1010 1100

101x 61 43

xxxx xxxx

xxxx xxxx

Записывает биты-предохранители.

предохранители

Устанавливает биты 6, 4,3=0 для

(Wr ite Fuse Bits)

программирования битов, 1 для очистки битов

Читать байт

0011 0000

xxxx xxxx

xxxx xxbb

oooo oooo

Читает байт сигнатуры o по адресу

сигнатуры (Read

b

Signature Byte)

Примечания: a = старшие биты адреса b = младшие биты адреса H = 0 - младший байт, 1 - старший байт

0= выход данных

1= вход данных

x = состояние значения не имеет

1= бит блокировки 1

2= бит блокировки 2

3= бит-предохранитель SUT0 4= бит-предохранитель SUT1 5= бит-предохранитель SPIEN 6= бит-предохранитель EESAVE

При последовательной записи в микроконтроллеры ATmega603/103 данные микроконтроллером ATmega 103 выбираются по нарастающему фронту на SCK.

При последовательном чтении данных из микроконтроллеров ATmega603/103 данные тактируются по падающему фронту на SCK. Объяснение представлено на Рис. 67.

ВхдоаднпныхслРЕдо°(вРаот1л/хр;; /мв>сзсзсзсзсзсз<1!вх.

Выход поспедогю-гепьнныхX X X X X Хв\

данных PE1(PD0/TXD-

Вход последовательного тактового сигнала PB7(SCK)-1 1-1 1-1 1-1 1-1 1-1 1-1 1-1 L

t t t t t t t t

Выборка

Рис. 67. Временные диаграммы режима последовательного программирования.


Предельно допустимые режимы эксплуатации

Диапазон рабочих температур

от -40°C до +105°C

Диапазон температур хранения

от -65°C до +150°C

Напряжение на любом выводе относительно земли

от -1,0 В до +7,0 В

Максимальное рабочее напряжение

6,6 В

Потребление по постоянному току

300 мА

Примечание: Воздействия за пределами указанных в таблице режимов могут привести к выходу прибора из строя. Указанные режимы являются стрессовыми и постоянная работа приборов в этих и других режимах за пределами, указанными в спецификациях, недопустима. Длительное воздействие предельных режимов может привести к снижению надежности приборов.

Характеристики по постоянному току

TA = от -40°Qw 85°C, VCC = от 2,7 В до 6,0 В (если не оговорено другое)

Обо-

Параметр

Условия

Мин

Тип

Макс

Ед. из-

знач

мерен.

vil

Входное напряжение низкого уровня

-0,5

0,3 vcc

В

vil1

Входное напряжение низкого уровня

XTAL

-0,5

0,2 vcc

В

vih

Входное напряжение высокого уровня

Исключая (XTAL, RESET)

0,6 vcc

vcc+0,5

В

V

Входное напряжение высокого уровня

XTAL

0,8 vcc

vcc+0,5

В

V

Входное напряжение высокого уровня

RESET

V

cc

vcc+0,5

В

vol

Выходное напряжение низкого уровня(1)

o = 20 мА vcc = 5В

0,6

Порты A, B, C, D

o = 10 мА vcc = 3В

0,5

В

V

oh

Выходн. напряжение высокого уровня

Ioh = -3 мА, vcc = 5В

4,2

Порты A, B, C, D

Ioh = -1,5мА, vcc = 3В

2,3

В

iil

Входной ток утечки вывода I/O

vcc = 6В,

низкий уровень

-8,0

8,0

мкА

iih

Входной ток утечки вывода I/O

vcc = 6 В,

высокий уровень

-8,0

8,0

мкА

RRST

Нагрузочный резистор сброса

100

500

кОм

ri/o

Нагрузочный резистор I/O

35

120

кОм

icc

Потребляемый ток в режимах:

Активный, 4 МГц,

vcc=3 В(2)

3,0

мА

Idle, 4 МГц, VCC=3 В

1,0

1,2

мА

Power Down, 4 МГц,

8,5

15

мкА

VCC=3 В, WDT разрешен

Power Down, 4 МГц,

< 1

2,0

мкА

VCC=3 В, WDT запрещен

V

acio

Напряжение смещения входа аналогового компаратора

vcc = 5 В

40

мВ

iaclk

Утечка по входу аналогового компаратора

vcc = 5 В

V = V /2

in cc

-50

50

нА

tacpd

Задержка аналогового компаратора

vcc = 2,7 В, vcc = 4,0 В

750 500

нс



[стр.Начало] [стр.1] [стр.2] [стр.3] [стр.4] [стр.5] [стр.6] [стр.7] [стр.8] [стр.9] [стр.10] [стр.11] [стр.12] [стр.13] [стр.14] [стр.15] [стр.16] [стр.17] [стр.18] [стр.19] [стр.20] [стр.21] [стр.22] [стр.23] [стр.24] [стр.25] [стр.26] [стр.27] [стр.28] [стр.29] [стр.30] [стр.31] [стр.32] [стр.33] [стр.34] [стр.35] [стр.36] [стр.37] [стр.38] [стр.39] [стр.40] [стр.41] [стр.42] [стр.43] [стр.44] [стр.45] [стр.46] [стр.47] [стр.48] [стр.49] [стр.50] [стр.51]