Нагрузочный MOS резистор

WP:Запись PORTE

WD:Запись DDRE

RL:Чтение фиксатора PORTE

RP:Чтение состояния вывода PORTE

RD:Чтение DDRE

n:4, 5, 6, 7

ISCnl ISCnO

л

о

э

Рис. 65 Схема организации выводов порта E (выводы с PE4 по PE7)

Порт F

Порт F является 8-разрядным портом. В пространстве памяти I/O этому порту соответствует только PINF, $00($20) - выводы входа порта F. Все входы порта F соединены с аналоговым мультиплексором присоединенным, в свою очередь, к аналого-цифровому преобразователю. Выводы порта F, кроме выполнения функций входов мультиплексора, могут быть использованы и в качестве цифровых входов, что позволяет пользователю в одно и то же время использовать часть выводов порта F в качестве цифровых входов и оставшуюся часть в качестве аналоговых входов.

АДРЕСА ВЫВОДОВ ВХОДОВ ПОРТА F - PINF- (PORT F Input Pins Address)

Бит76543210

$00 ($20) PINF7 PINF6 PINF5 PINF4 PINF3 PINF2 PINF1 PINF0"1 PINF

Чтение/ЗаписьR R RRRRRR

Начальное значение Hi-Z Hi-Z Hi-Z Hi-Z Hi-Z Hi-Z Hi-Z Hi-Z

PINF - адрес выводов входа порта E не является регистром в полном смысле этого слова, эти адреса обеспечивают считывание физического состояния каждого вывода порта.

т.

3

RP: Чтение состояния вывода PORTF n: 0 ... 7

к мультиплексору ADC

AINn

Рис. 66 Схема организации выводов порта F (выводы с PF0 по PF7)

Программирование памяти

Биты блокирования программирования памяти

MCU микроконтроллеров ATmega603/103 оснащено двумя битами которые могут быть оставлены незапрограммированными (в состоянии 1) или запрограммированы (состояние 0). Влияние состояний битов на работу микроконтроллеров показано в Таблице 34.

Таблица 34. Режимы защиты битов блокировки

Примечание: Биты блокировки, при выполнении операции очистки кристалла, могут быть только стерты (состояние 1)

Биты-предохранители

Микроконтроллеры ATmega603/103 оснащены четырьмя битами-предохранителями SPIEN, SUT1, SUT0 и EESAVE. При запрограммированном в состояние 0 бите SPIEN разрешается последовательная загрузка программы. По умолчанию бит SPIEN находится в состоянии 0, в режиме последовательного программирования он недоступен и при выполнении операции очистки кристалла его состояние не меняется. Биты-предохранители SUT1 и SUT0 определяют длительность цикла запуска MCU. Подробности см. в Таблице 6. По умолчанию эти биты не запрограммированы (состояние битов 11) и задают длительность цикла запуска в 16 мс.

При запрограммированном бите-предохранителе EESAVE память EEPROM предварительно обрабатывается циклом очистки кристалла. По умолчанию бит-предохранитель EESAVE не запрограммирован (состояние 1), он не может быть запрограммирован если хотя бы один бит блокировки запрограммирован.

Байты сигнатуры (коды идентификации)

Все микроконтроллеры фирмы Atmel оснащены тремя байтами кода сигнатуры, позволяющими идентифицировать прибор. Этот код может быть считан и в последовательном и в параллельном режимах.

Эти три байта расположены в отдельном адресном пространстве. Для микроконтроллера ATmeqa603 это:

1.$00: $1E (показывает что прибор изготовлен фирмой Atmel)

2.$01: $06 (показывает что прибор оснащен 64 Кбайтами Flash памяти)

3.$02: $01 (если по адресу $01 находится содержимое $06, то это микроконтроллер ATmega603)

Для микроконтроллера Atmeqa103 это:

1.$00: $1E (показывает что прибор изготовлен фирмой Atmel)

2.$01: $01 (показывает что прибор оснащен 128Кбайтами Flash памяти)

3.$02: $01 (если по адресу $01 находится содержимое $01, то это микроконтроллер

Atmega103)

Программирование Flash и EEPROM памяти

Микроконтроллеры ATmega603/103 оснащены внутрисистемно программируемой Flash памятью, емкостью 64/128 Кбайт, и 2/4 Кбайтами EEPROM памяти данных. При поставке микроконтроллеров и встроенная Flash память программ и EEPROM память данных находятся в очищеном состоянии (т.е. содержимое в состоянии $FF) и они готовы к программированию. Приборы поддерживают режим высоковольтного (12 В) параллельного программирования и режим низковольного последовательного программирования. Напряжение программирования 12 В используется только если программирование разрешено, в ином случае ток по этому выводу не потребляется. Режим последовательного программирования является обычным способом загрузки программ и данных в микроконтроллеры, находящиеся непосредственно в системе пользователя.

Матрица памяти программ микроконтроллеров ATmega603/103 организована из 256/512 страниц по 256 байт каждая. При программировании Flash памяти данные программы фиксируются в буфере страницы, что позволяет программировать сразу целую страницу данных программы в любом из режимов программирования.

Матрица EEPROM памяти данных микроконтроллеров программируется по-байтово (байт - за - байтом) во всех режимах программирования. В последовательном режиме программирования встроенная функция самотактирования EEPROM выполняет автоматическую предварительную очистку каждого программируемого байта.

Режим параллельного программирования

В данном разделе описывается программирование и проверка Flash памяти программ, EEPROM памяти данных, битов блокирования программирования памяти и битов-предохранителей в режиме параллельного программирования. Используемые при этом импульсы должны быть длительностью не менее 500 нс, если это специально не оговорено.

Обозначения сигналов

В данном разделе ряд выводов микроконтроллеров ATmega603/103 указывается обозначениями сигналов, отражающими их функциональное назначение в процессе параллельного программирования, а не по обозначениям выводов. Выводы не указанные в таблице имеют обычные обозначения.