Такие модули доступны в нескольких вариантах объемом до 256 Мбайт. Самые распространенные объемы модулей приведены в табл. 6.22.

Объем модуля памяти можно вычислить, умножив глубину на разрядность. 144-контактный модуль имеет шину данных шириной 64 бит, что соответствует 8 байтам. Например, модуль объемом 256 Мбайт организован в виде 32 млн. строк по 64 бит (8 байт) в каждой, что равно 256 млн. байт (32 млн. х 8).

Стандартные назначения контактов такого модуля представлены в табл. 6.23 и 6.24.

Таблица 6.22. Объем, глубина и разрядность 144-контактных модулей SDRAM micro-DIMM Объем, МбайтГлубина и разрядность

648 х 64 бит

12816 x 64 бит

25632 х 64 бит

Таблица 6.23- Назначение контактов 144-контактного модуля SDRAM micro-DIMM (передняя панель)

Таблица 6.24. Назначение контактов 144-контактного модуля SDRAM micro-DIMM (задняя панель)

Все контакты модулей DIMM имеют позолоченное покрытие и должны соответствовать покрытию разъемов памяти системной платы.

Модули DDR SDRAM micro-DIMM со 172-контактными выводами

Эти модули напоминают 200-контактные модули DDR SDRAM SO-DIMM, но имеют вдвое меньший размер, что позволяет устанавливать такие модули в небольшие корпуса портативных устройств. Спецификации 172-контактных модулей micro-DIMM аналогичны спецификациям 200-контактных модулей DDR SDRAM SO-DIMM, включая следующее:

стандартизированные комитетом JEDEC вид и назначение контактов;

шина данных шириной 64 бита (8 байт);

микросхемы памяти DDR SDRAM;

рабочая частота 200 МГц (РС1600), 266 МГц (РС2100) и 333 МГц (РС2700);

напряжение питания 3,3 В;

микросхема ROM SPD.

Эти модули имеют размер 1,8 дюйма (45,5 мм) в длину и 1,18 дюйма (30 мм) в высоту, что вдвое меньше соответствующего модуля SO-DIMM. В отличие от SO-DIMM, модули micro-DIMM не имеют пазов в контактной области; однако в левой части модуля есть вырез, обеспечивающий правильность установки в разъем системной платы. В отличие от модулей DDR SO-DIMM, модули DDR micro-DIMM не поддерживают функции коррекции ошибок с помощью кода ЕСС.

Существуют 172-контактные модули SDRAM micro-DIMM с микросхемами стандартов РС1600, РС2100 и РС2700. Обычно вместо модулей с низкой частотой можно устанавливать более быстродействующие модули, но не наоборот. Параметры 172-контактных модулей DDR SDRAM micro-DIMM приведены в табл. 6.25.

Таблица 6.25. Быстродействие 172-контактных модулей SDRAM micro-DIMM

Время цикла, указанное в наносекундах, соответствует реальной частоте работы памяти, но память DDR передает данные дважды за один рабочий цикл, поэтому эффективная частота памяти DDR всегда равна удвоенной реальной частоте. Пропускная способность такой памяти равна ширине шины данных, умноженной на эффективную частоту. В результате будет получен объем данных, который может быть записан в модуль памяти или считан из него.

Как и для модулей DDR SDRAM SO-DIMM, важной характеристикой модулей micro-DIMM является CAS Latency (column address strobe), или CL. Иногда эта характеристика называется задержкой чтения (read latency). Этим параметром описывается количество тактов между регистрацией сигнала CAS к фактической передачей данных. Меньшее значение параметра означает большую производительность. Обычно модули SDRAM имеют параметр CL, равный 2,5 или 2. Если это возможно, выбирайте модули с более низким значением параметра CL, так как набор микросхем системной платы считает это значение из микросхемы ROM SPD (serial presence detect), установленной в модуле памяти, и переключится на более быстрый режим работы.

Модули DDR SDRAM micro-DIMM со 172 контактами имеют стандартную форму (рис. 6.7).

1.0 мм (0.03Э1

45,44 мм(1,789)

1,0".

Контакт \ (0,039")

U2

> /-Ч Q

037 mm0,50 mm

(0.015I(0,020-)

30.05 мм (1.183")

29,95 мм

15,00 mm (0,5ВГ)

I

V

Контакт 171 (Контакты 2-172 на обратной сторона)

о.ба мм to.0351

0,74 мм 10,029";

Рис. 6,7.172-контактные модули DDR SDRAM micro-DIMM

Все 172-контактные модули DDR SDRAM micro-DIMM имеют нечетные контакты (1-171) на передней панели и четные (2-172)- на задней панели. Модуль имеет длину 1,8 дюйма (45,5 мм) и высоту 1,18 дюйма (30 мм). Количество микросхем в модуле зависит от его объема.

Модули micro-DIMM содержат микросхему ROM SPD, от которой системная плата получает характеристики установленного модуля.

Такие модули доступны в нескольких вариантах объемом до 256 Мбайт. Самые распространенные объемы модулей приведены в табл. 6.26.

Таблица. 6.26. Объем, глубина и разрядность 172-контактных модулей DDR SDRAM micro-DIMM

Объем модуля памяти можно вычислить, умножив глубину на разрядность, 172-контактный модуль имеет шину данных шириной 64 бит, что соответствует 8 байтам. Например, модуль объемом 256 Мбайт организован в виде 32 млн. строк по 64 бит (8 байт) в каждой, что равно 256 млн. байт (32 млн. х 8),

Стандартные назначения контактов такого модуля представлены в табл. 6.27 и 6.28.

Таблица 6.27. Назначение контактов 172-контактного модуля DDR SDRAM micro-DIMM (передняя панель)