Ремонт принтеров, сканнеров, факсов и остальной офисной техники


назад Оглавление вперед




[61]

Контакт

Сигнал

Контакт

Сигнал

Контакт

Сигнал

Контакт

Сигнал

1

VREF

51

VSS

101

A9

151

D042

3

VSS

53

D019

103

VSS

153

D043

6

ООО

55

DQ24

105

A7

155

VOD

7

DQ1

57

VDD

107

A5

157

VDD

9

VDD

59

DQ25

109

A3

159

VSS

11

DOS0

61

DQS3

111

A1

161

VSS

13

D02

63

VSS

113

VDD

163

DQ48

15

VSS

65

□026

115

a10

165

DQ49

17

DQ3

67

D027

117

BAD

167

VDD

19

DQ8

69

VDD

119

WE#

169

0QS6

21

VDD

71

ceo

12v

SO*

171

DQ50

23

dq9

73

cb1

123

A13

173

VSS

25

DOS1

75

VSS

125

VSS

175

dq51

27

VSS

77

0OS8

127

D0.32

177

DQS6

29

DO10

79

cb2

129

D033

179

VDD

31

D011

81

VDD

131

VDO

181

dq57

33

VDD

83

CB3

133

DQS4

183

D0S7

35

ско

85

NC

135

DQ34

185

VSS

37

сков

87

VSS

137

VSS

187

D0.58

39

VSS

B9

CK2

139

DQ35

189

dq59

41

D016

91

CK2#

141

D040

191

VDD

43

DQ17

93

VDD

143

VDD

193

SDA

45

VQD

95

CKE1

145

D041

195

SCL

47

00S2

97

NC

147

DOS5

197

VTJDSPD

49

00.18

99

a12

149

VSS

199

VDD ID

Таблица 6.19. Назначение контактов 200-контактного модуля DOR SDRAM SO-DIMM (задняя пана ль)

Контакт

Сигнал

Контакт

Сигнал

Контакт

Сигнал

Контакт

Сигнал

2

VREF

52

VSS

102

Ав

152

D046

4

VSS

54

D023

104

VSS

154

DQ47

6

DD4

56

DQ28

105

A6

156

VDD

8

DQ5

58

VDD

108

A4

158

ck1(f

10

VDD

во

DQ29

110

A2

160

ck1

12

DM0

62

om3

112

AO

162

VSS

14

DOB

64

VSS

114

VDD

164

DQ52

16

VSS

66

DO 30

116

BAt

166

DQ53

18

OQ7

58

D031

(18

HAS*

168

VDD

20

DQ12

70

VDD

120

CAS#

170

dm6

22

VOD

72

CB4

122

S1#

172

DQ54

24

0013

74

CBS

124

NC

174

VSS

26

dm1

76

VSS

126

VSS

176

DQ55

28

VSS

78

dm8

128

D036

178

DQ60

30

DQ14

80

CB6

130

DQ37

180

VDD

32

DQ15

82

VDD

132

VDD

182

D061

34

VDD

84

CB7

184

dm4

184

dm7

36

VDD

86

NC

136

D038

1b6

VSS

38

VSS

88

VSS

138

VSS

188

DQ62

40

VSS

90

VSS

140

DQ39

190

DQ63

42

DQ20

92

VDD

142

dq44

192

VDD

44

DQ21

94

VDD

144

VDD

194

SAO

46

VDD

96

CKEO

146

DQ45

196

sa1

48

dm2

98

NC

148

DM5

198

sa2

50

dq22

100

All

150

VSS

200

NC


Все контакты модулей DIMM имеют позолоченное покрытие и должны соответствовать покрытию разъемов памяти системной платы.

В табл. 6.20 рассматривается назначение каждого контакта.

Таблица 6.20. Описания контактов 200-контактного модули DOR SDRAM SO-DIMM

СигналОписаниеКоличество контакта

А(0 .9.11:13)Ввод адреса13

А1 О/АРВвод адреса/команда Auto Ргеспа где1

ВА(0:1)Адрес банка SDRAM2

CAStСгробадрвсастолбца(режимАс1Ье Low)1

СВ(7:0)Ввод-вывод битов проварки данных8

СК[0:2)Ввод тактовой частоты, плюс3

СК(0:2)#Ввод тактовой частоты, минус3

СКЕ(0:1)Clock Enables2

DM{0:8)Маски данных9

DO 10:63)В вод-вывод данных64

DOS (0:6)Стробы данных9

ncНе подключен (зарезервирован)6

РА5#Строб строки адреса (режим Active Low)1

S(0:1 )#Команда Chip Selects (режим Active Low)2

SA(0:2)Адрес SPD3

SCLSPD Clock Input1

5DASPD ввод-вывод данных1

VDDПитания ядра и ввода-вывода33

VDDIDОпределение уровней VDD, VDDO1

VDDSPDОпределение сигнала SPD (Serial Presence Detect)7

VP.EFКоманда Input/Output Reference2

VSSЗемли33

WEft Команда Write Enable (Active Low) 1

Модули micro-DIMM

Это новый тип модуля памяти, который в основном используется в субноутбуках, устройствах PDA и иаладоиных компьютерах. Как и все модули DIMM, модули micro-DIMM имеют контакты на обеих сторонах панели модуля, выполняющие различные функции. Существует два основных типа модулей micro-DIMM: 144- и 172-контактные. Версия со 144 контактами содержит микросхемы памяти SDRAM и напоминает по своим характеристикам 144-контактные модули SO-DIMM. Версия со 172 контактами содержит микросхемы памяти DDR SDRAM и похожа на 200-контактные модули SO-DIMM. Модули micro-DIMM примерно вдвое меньше модулей SO-DIMM, но предоставляют при этом сопоставимый объем памяти и производительность.

Модули SDRAM micro-DIMM со 144-контактны ми выводами

Эти модули напоминают 144-контактные модули SDRAM SO-DIMM, однако имеют вдвое меньший размер, что допускает их установку в небольшие корпуса мобильных устройств. Кроме размера модули обладают теми же спецификациями, что и 144-контактные модули SDRAM SO-DIMM, включая следующие:

стандартизированные комитетом JEDEC вид и назначение контактов;

шина данных шириной 64 бита (8 байт);

микросхемы памяти SDRAM;

напряжение питания 3,3 В;

микросхема ROM SPD,


Модули micro-DIMM имеют размер 1,5 дюйма (38 мм) в длину и 1,18 дюйма (30 мм) в высоту, что вдвое меньше соответствующего модуля SO-DIMM. В отличие от SO-DIMM, модули micro-DIMM не имеют пазов в области контактов; однако соответствующий паз есть в левой части модуля. Размеры модулей SO-DIMM и micro-DIMM отличаются.

Существуют 144-контактные модули SDRAM micro-DIMM на базе микросхем PC 100 или PC 133 SDRAM. Обычно вместо модулей PC 100 можно устанавливать модули PC 133, но не наоборот. Параметры 144-контактных модулей SDRAM micro-DIMM приведены в табл. 6.21.

Таблица 6.21. Быстродействие 144-контактных модулей SDRAM micro-DIMM

Тип модуля

Время цикля нс

Чистота модуля, МГц

Шина данных, байт

Пропускная способность,

Мбайт/с

PC100

100

В

800

РС133

7,5

133

в

1066

Пропускная способность равна частоте, умноженной на ширину данных. В результате получается скорость, с которой данные могут быть записаны или прочитаны из модуля.

Как и для модулей SDRAM SO-DIMM, важной характеристикой модулей micro-DIMM является CAS Latency (column address strobe), или CL. Иногда эта характеристика называется задержкой чтения (read latency). Этим параметром описывается количество тактов между регистрацией сигнала CAS и фактической передачей данных. Меньшее значение параметра означает большую производительность. Обычно модули SDRAM имеют параметр CL, равный 2 или 3. Если это возможно, выбирайте модули с более низким значением параметра CL, так как набор микросхем системной платы считает это значение из микросхемы ROM SPD (serial presence detect), установленной в модуле памяти, и переключится на более быстрый режим работы.

Схема 144-контактньгх модулей SDRAM micro-DIMM показана на рис. 6.6.

1.0 мм (0,039)

15Х)„

ЗВ,13мм(1.501*1

37,87 мм (1.491")

Контакт 1

1,0 мм(0.039")

0,37 мм (0.01S-I

.180 мм (0,1 S0)

i h

30, IZmh (1.188*) 29.87 мм(1.176*)

15.00 мм (0,S9r)

JL1,10 мм (0.0ДЗ*)

Контакт 1430,90 мм (0,035*1

(Контакты 2-144 на обратной стороне)

0,50 мм

«.ого-j

Рис. 6.6, 144-контактны о модули SDRAM micro-DIMM

Все 144-контактные модули SDRAM micro-DIMM имеют нечетные контакты (1-143) на передней панели и четные (2-144) - на задней. Длина модуля составляет 1,5 дюйма (38 мм), а высота - 1,18 дюйма (30 мм), Количество микросхем в модуле зависит от их объема.

Модули обычно снабжены микросхемой ROM SPD, от которой системная плата получает конкретные спецификации установленного модуля. Микросхема ROM показана на рис. 6.6 в виде компонента "U5".

Модули отличаются небольшим вырезом в левой части, который препятствует неправильной установке в разъем системной платы.



[стр.Начало] [стр.1] [стр.2] [стр.3] [стр.4] [стр.5] [стр.6] [стр.7] [стр.8] [стр.9] [стр.10] [стр.11] [стр.12] [стр.13] [стр.14] [стр.15] [стр.16] [стр.17] [стр.18] [стр.19] [стр.20] [стр.21] [стр.22] [стр.23] [стр.24] [стр.25] [стр.26] [стр.27] [стр.28] [стр.29] [стр.30] [стр.31] [стр.32] [стр.33] [стр.34] [стр.35] [стр.36] [стр.37] [стр.38] [стр.39] [стр.40] [стр.41] [стр.42] [стр.43] [стр.44] [стр.45] [стр.46] [стр.47] [стр.48] [стр.49] [стр.50] [стр.51] [стр.52] [стр.53] [стр.54] [стр.55] [стр.56] [стр.57] [стр.58] [стр.59] [стр.60] [стр.61] [стр.62] [стр.63] [стр.64] [стр.65] [стр.66] [стр.67] [стр.68] [стр.69] [стр.70] [стр.71] [стр.72] [стр.73] [стр.74] [стр.75] [стр.76] [стр.77] [стр.78] [стр.79] [стр.80] [стр.81] [стр.82] [стр.83] [стр.84] [стр.85] [стр.86] [стр.87] [стр.88] [стр.89] [стр.90] [стр.91] [стр.92] [стр.93] [стр.94] [стр.95] [стр.96] [стр.97] [стр.98] [стр.99] [стр.100] [стр.101] [стр.102] [стр.103] [стр.104] [стр.105] [стр.106] [стр.107] [стр.108] [стр.109] [стр.110] [стр.111] [стр.112] [стр.113] [стр.114] [стр.115] [стр.116] [стр.117] [стр.118] [стр.119] [стр.120] [стр.121] [стр.122] [стр.123] [стр.124] [стр.125] [стр.126] [стр.127] [стр.128] [стр.129] [стр.130] [стр.131] [стр.132] [стр.133] [стр.134] [стр.135] [стр.136] [стр.137] [стр.138] [стр.139] [стр.140] [стр.141] [стр.142] [стр.143] [стр.144] [стр.145] [стр.146] [стр.147] [стр.148] [стр.149] [стр.150] [стр.151] [стр.152] [стр.153] [стр.154] [стр.155] [стр.156] [стр.157] [стр.158] [стр.159] [стр.160] [стр.161] [стр.162] [стр.163] [стр.164] [стр.165] [стр.166] [стр.167] [стр.168] [стр.169] [стр.170] [стр.171] [стр.172] [стр.173] [стр.174] [стр.175] [стр.176] [стр.177] [стр.178] [стр.179] [стр.180] [стр.181] [стр.182] [стр.183] [стр.184] [стр.185] [стр.186] [стр.187] [стр.188] [стр.189] [стр.190] [стр.191] [стр.192] [стр.193] [стр.194] [стр.195] [стр.196] [стр.197] [стр.198] [стр.199] [стр.200] [стр.201] [стр.202] [стр.203] [стр.204] [стр.205] [стр.206] [стр.207] [стр.208] [стр.209] [стр.210] [стр.211] [стр.212] [стр.213] [стр.214] [стр.215] [стр.216] [стр.217] [стр.218] [стр.219] [стр.220] [стр.221] [стр.222] [стр.223]