Все контакты модулей DIMM покрываются золотом и должны соответствовать покрытию на контактах гнезда для установки модуля.

Модули SO-DIMM с 200-контактными выводами

Такие модули используются для установки памяти стандарта DDR SDRAM, применяемой в большинстве современных высокопроизводительных ноутбуков. Обычно память DDR SDRAM работает при напряжении 2,5 В, что позволяет более эффективно использовать энергию батареи. Каждый модуль имеет шину данных шириной 64 бит, поэтому парной установки модулей не требуется. Доступны версии модулей стандарта PCI600 (200 МГц), РС2100 (266 МГц) и РС2700 (333 МГц); кроме того, есть модули, поддерживаюшие коррекцию ошибок с помощью кода ЕСС. Модули с коррекцией ошибок помогают сохранить целостность

данных в случае возникновения различных программных ошибок. Для коррекции зздейству-ется дополнительный бит памяти на каждый бант данных. Код ЕСС должен поддерживаться набором микросхем системной платы.

При установке модулей DDR SDRAM необходимо удостовериться в их совместимости с системой, В большинстве случаев можно установить более быстрый модуль вместо медленного, но только если используется один и тот же тип микросхем памяти. Например, если система требует установки модулей стандарта РС2100 или PC 1600, то модуль РС2700 также можно использовать. Однако устанавливать более медленные модуля памяти вместо более быстрых нельзя.

Характеристики 200-контактных модулей DDR SDRAM приведены в табл. 6.16.

Таблица 6.1В. Быстродействие 200-контактных модулей DDR SDRAM

Время цикла, указанное в наносекундах (миллиардных долях секунды), соответствует реальной частоте работы памяти, однако память DDR передает данные дважды за один цикл, поэтому эффективная частота памяти DDR всегда равна удвоенной реальной частоте. Пропускная способность такой памяти равна ширине шины данных, умноженной на эффективную частоту. В результате будет получен объем данных, который можно записать в модуль пли считать из него за секунду реального времени.

Еще одной важной характеристикой является CAS Latency (column address strobe), или CL Иногда эта характеристика называется задержкой чтения (read latency). Этим параметром описывается количество тактов между регистрацией сигнала CAS и фактической передачей данных. Меньшее значение параметра означает большую производительность. Обычно модули SDRAM имеют параметр CL, равный 2,5 или 2. Если это возможно, выбирайте модули с более низким значением параметра CL, так как набор микросхем системной платы считает это значение из микросхемы ROM SPD (serial presence detect), установленной в модуле памяти, и переключится на более быстрый режим работы.

Модули SO-DIMM, имеющие 200 контактов обладают стандартными размером и формой (рис. 6.4).

31.88ммП.255-) ,62 мм(1,245)

з.ао мм (О,ISO-) Lrd

X

1,10 ьш {0,043") 0,80 мм (0.035*1

Контакт 189

(контакты 2-200 на обратной сторона.

Рис. 6.4. 200-контактный модуль DDR SDRAM SO-DIMM

У всех 200-контактных модулей SO-DIMM нечетные выводы (1-199) расположены на передней панели, а четные (2-200) - на задней. Длина контактного вывода составляет 2,66 дюйма (67,6 мм). Количество микросхем в модуле может отличаться, как и высота модуля. Обычно модуль имеет высоту 1 дюйм (25,4 мм) или 1,25 дюйма (31,75 мм), хотя существуют модули высотой до 1,5 дюйма (38,1 мм) (высота модуля может немного отличаться). Большие модули могут не подойти к некоторым ноутбукам, поэтому перед приобретением модуля убедитесь в его совместимости с определенной моделью ноутбука.

Хотя размер 200-контактных модулей соответствует размеру 144-контактных модулей, контактные выводы расположены ближе друг к другу, а ключевой паз смещен намного левее, что прегмтствует установке 200-контактных модулей в разъемы для 144-контактных модулей и наоборот.

Модули обычно снабжены микросхемой ROM SPD, от которой системная плата получает конкретные спецификации установленного модуля. Микросхема ROM показана на рис. 6.4 в виде компонента "U9".

В модулях есть небольшие пазы между контактами 39 и 41 передней панели. Эти пазы препятствуют установке модулей неправильной стороной и указывают на напряжение модуля. Методы размещения пазов для обозначения различных напряжений питания демонстрируются на рис. 6.5.

-1,8 мм -

Mn 1

п

2,7 мм

4,0 мм

1,00 мм

Расположение левого ключа: =2.5 В

Расположение правого ключа: 4™=! .5 В

Рис. 6,5, Обозначение напряжения на 200-контактных модулях SO-DIMM

Хотя промышленными стандартами допускается использование модулей с напряжением питания 1,5 В, на данный момент в большинстве ноутбуков установлены модули с пазом левого смещения, что означает напряжение питания 2,5 В. Паз помогает предотвратить установку модулей с неподходящим напряжением питания.

Существует несколько вариантов 200-контактных модулей SO-DIMM, объем которых может достигать 1 Гбайт, В модулях используются микросхемы памяти DDR SDRAM с различными тактовыми частотами. Самые распространенные объемы модулей приведены в табл. 6.17.

Таблица 8.17. Объем, глубина и разрядность 200-контактных модулой SO-DIMM

Объем модуля памяти можно вычислить, умножив глубину на разрядность. Ширина шины данных 64 бит для 200-контактного модуля соответствует 8 байтам. Например, модуль объемом 1 Гбайт организован в виде 128 млн. строк по 64 бит (8 байт) в каждой, что составляет 1024 млн. байт (128 млн. х8).

Стандартные назначения контактов 200-контактного модуля SO-DIMM приведены в табл. 6.18 и 6.19.