Все контактные выводы модулей SO-DIMM и разъемов системной платы обычно покрываются золотом, что позволяет добиться более надежной работы модулей. Избегайте модулей с оловянным покрытием контактов, поскольку взаимодействие олова с золотом приведет к коррозии и отказу в работе модулей памяти.

Модули SO-DIMM со 144-контактными выводами

Такие модули предназначены для ноутбуков на базе процессоров Pentium и Athlon. Модулями поддерживаются чтение и запись данных 64-разрядными блоками, что делает их идеальным выбором для использования вместе с процессорами Pentium и Athlon. Они комплектуются микросхемами памяти различных типов, включая EDO, SDRAM, работающую на частоте 66 МГц, РС100 SDRAM и РС133 SDRAM. Коррекция ошибок ЕСС 144-контактными модулями SO-DIMM не поддерживается.

При установке модулей необходимо удостовериться в совместимости модуля и системной платы. В большинстве случаев можно установить модуль с большей частотой вместо более медленного модуля, однако тип памяти должен совпадать. Например, в компьютер можно устанавливать память стандарта РС133, даже если системой поддерживаются только модули РС100 или РС66, однако модули SDRAM нельзя использовать для системной платы с поддержкой модулей EDO и наоборот. Кроме того, не рекомендуется устанавливать модули памяти с меньшей частотой.

Показатели быстродействия 144-контактных модулей SO-DIMM приведены в табл. 6.10.

Таблица в. 10. Быстродействие 144-контактных модулей SO-DIMM

Пропускная способность равна частоте, умноженной на ширину шины данных, что в результате дает объем данных, которые могут быть переданы модулю или от него.

Еще одной важной характеристикой является CAS Latency (column address strobe), или CL. Иногда эта характеристика называется задержкой чтения (read latency). Этим параметром описывается количество тактов между регистрацией сигнала CAS и фактической передачей данных. Меньшее значение параметра означает большую производительность. Обычно модули SDRAM имеют параметр CL, равный 2 или 3. Если это возможно, выбирайте модули с более низким значением параметра CL, так как набор микросхем системной платы считает это значение из микросхемы ROM SPD (serial presence detect), установленной в модуле памяти, и переключится на более быстрый режим работы.

Модули SO-DIMM со 144 контактами имеют стандартные размер и форму (рис. 6.2).

г,00 мм (0,0794 IK)

1.о0мм(0,07Г] (2X)

б,ммм(0,гзб-

2,56 мм (0,100

67,45 мм (2,656")

U5

3.B0 мм (0,150)

*\,50mm(0,0594».L.L.„Л*.

Омм(0,07Э-)-.д ii

«и, ,п ,»>, \-Контакт! 0.60 мм0,60 мм 30мм0.13~1 контакт 1

(0.024*) 10,0316") 60,50 мм (2.386")-

63,60 мм (2,504-)-

20г00ь (0.7В7-)

31.88 мм (1,255") ,62mm(1,245")

№

( 31,

(0.7В7

i i

4.00mm[0,IST*1T

li

Контакт 143

(Контакты 2-144 на обратной стороне)

Рис. 6.2.144-контактный модуль SO-DIMM

Все модули имеют нечетные контакты (1-143) на передней панели и четные контакты (2-144) на задней. Длина модуля составляет 2,66 дюйма (67,6 мм). Количество микросхем, установленных на модуле, может меняться, как и физическая высота модуля. Обычно модуль имеет высоту 1 дюйм (25,4 мм) или 1,25 дюйма (31,75 мм), хотя существуют модули и с другой высотой.

Модули обычно снабжены микросхемой ROM SPD, от которой системная плата получает конкретные спецификации установленного модуля. Микросхема ROM показана на рис. 6.2 в виде компонента "Ш".

В модулях есть небольшие пазы между контактами 59 и 61 передней панели. Эти пазы препятствуют установке модулей неправильной стороной и указывают на напряжение модуля. Методы размещения пазов для обозначения различных напряжений питания демонстрируются на рис. 6.3.

1,75 мм

2,50 мм

нлп

3,25 мм

га

Расположение левого ключа: Vdd=5B

Расположение центрального ключа: VDD=3,3B

Расположение правого ключа: зареэерви р овано

Рис. 6.3. Расположение выреза для различных напряжений питания Ш-шпактного модуля SO-DIMM

Хотя стандартом допускается использование модулей с напряжением питания 5 В, все современные 144-контактные модули SO-DIMM имеют центральный паз, указывающий на напряжение питания 3,3 В. За счет сниженного напряжения модули отличаются пониженными энергопотреблением и тепловыделением.

Модули SO-DIMM, собираемые на основе микросхем EDO или SDRAM, обладают максимальным объемом в 512 Мбайт. Рабочая частота модулей также может отличаться. Самые распространенные объемы модулей приведены в табл. 6.11.

Таблица 6.11. Объем, глубина и разрядность 144-контактных модулей SO-DIMM

Объем, Мбайт

Глубина и разрядность

32

64

128

256

512

(4 М х 64 бит) (8Мх64бит) (16Мх64бит) (32 Мх 64 бит) (64 М х 64 бит)

Объем модуля памяти можно вычислить, умножив глубину на разрядность. 144-контактного модуля составляет 64 бита, что соответствует 8 байтам. Например, модуль объемом 512 Мбайт организован в виде 64 млн. строк по 64 бит (8 байт) в каждой, что равно 512 млн. байт (64 млн.хв).

Стандартные назначения контактов такого модуля, использующего микросхемы FPM или EDO RAM, представлены в табл. 6.12 и 6.13.

Таблица 6.12. Назначение выводов 144-контактного модули EDO/FPM SO-DIMM [передняя панель)

Стандартные назначения контактов такого модуля, использующего микросхемы SDRAM, представлены в табл. 6.14 и 6.15.