Ремонт принтеров, сканнеров, факсов и остальной офисной техники


назад Оглавление вперед




[58]

DDR SDRAM

Память DDR (Double Data Rate - двойная скорость передачи данных) - это еще более усовершенствованный стандарт SDRAM, при использовании которого скорость передачи данных удваивается. Это достигается не за счет удвоения тактовой частоты, а за счет передачи данных дважды за один цикл: первый раз в начале цикла, а второй - в конце. Именно благодаря этому и удваивается скорость передачи (причем используются те же самые частоты и синхронизирующие сигналы).

Память стандарта DDR получила поддержку на рынке графических плат и затем стала основным стандартом для современных ПК, К настоящему времени DDR SDRAM поддерживается основными производителями процессоров, наборов микросхем системной логики и модулей оперативной памяти.

Модули памяти DDR SDRAM появились на рынке в 2000 году и стали стремительно проникать на рынок только после появления набора микросхем 845МР в марте 2002 года.

В ноутбуках применяются 200-контактные модули SO-DIMM или 172-контактные модули micro-DIMM стандарта DDR SDRAM.

Поставляемые модули SO-DIMM памяти DDR SDRAM отличаются быстродействием, пропускной способностью и обычно работают при напряжении 2,5 В. Они представляют собой, в сущности, расширение стандарта SDRAM DIMM, предназначенное для поддержки удвоенной синхронизации, при которой передача данных, в отличие от стандарта SDRAM, происходит при каждом тактовом переходе, т.е. дважды за каждый цикл. Для того чтобы избежать путаницы, обычную память SDRAM часто называют памятью с одинарной скоростью передачи данных (Single Data Rate- SDR). Характеристики различных модулей памяти стандартов SDRAM и DDR SDRAM приведены в табл. 6.5.

Таблица 6.S. Типы и пропускная способность модулей памяти DDR SDRAM

Стандарт

Формат

Тип микро-

Частота

Количество

Скорость

Ширина

Пропускная

модуля

модуля

схемы

шины, МГц

циклов дан-

шины, мил-

шины,

способность,

ныл за такт

Ли ОН ОВ ЦИКЛОВ

байт

Мбайт/с

• секунду

РС1600

DDR DIMM

DDR200

100

2

200

е

1 600

РС2100

DDR SIMM

DDR266

133

2

266

В

2 133

PC2400

DDR DIMM

D0P300

150

2

300

S

2 400

PC2700

DDR DIMM

DDR333

166

2

333

в

2 667

PC30O0

DOR DIMM

DDR366

163

2

366

3

2933

PC3200

DDR DIMM

DDR400

200

2

400

8

3 200

PC35O0

DDR DIMM

DDR433

216

2

433

8

3466

РС3700

DDR DIMM

DDR466

233

2

466

S

3 733

PC4000

DDR DIMM

DDRSOO

250

2

500

8

4 ООО

РС4300

DDR DIMM

DDR533

266

2

533

8

4 266

DDR2 SDRAM

Члены организации JEDEC в течение нескольких лет работали над спецификацией DDR2, которая постепенно приобретала реальные очертания. Производство микросхем и модулей памяти DDR2 качалось в середине 2003 года, а наборы микросхем системной логики и соответствующие системные платы, поддерживающие DDR2, появились в первой половине 2004 года. Память DDR2 SDRAM представляет собой более быстродействующую версию стандартной памяти DDR SDRAM - большая пропускная способность достигается за счет использования дифференциальных пар сигнальных контактов, обеспечивающих улучшенную передачу сигналов и устранение проблем с сигнальными шумами/интерференцией. Предполагалось, что DDR2 обеспечит учетверенную скорость передачи данных, однако финальные образцы предоставляют лишь удвоенную скорость передачи, а модифицированный метод передачи сигналов позволяет достичь более высокой производительности. Максимальная частота памяти DDR достигает 533 МГц, в то время как рабочая частота модулей памяти DDR2 начинается с 400 МГц, доходит до 800 МГц и выше.


Кюме более высокого быстродействия и щюпускной способности, память стандарта DDR2 обладает и другими достоинствами, в частности уменьшенным по сравнению с памятью DDR напряжением (1,8 вместо 2,5 В), благодаря чему модули памяти DDR2 потребляют меньше энергии и выделяют меньше тепла. Микросхемы DDR2, обладающие большим количеством контактных выводов, поставляются в корпусе FBGA (Fine-pitch Ball Grid Array) вместо TSOP (Thin Small Outline Package), используемого для большинства микросхем DDR и SDRAM. Микросхемы FBGA соединены с подложкой (как правило, самим модулем памяти) посредством близко расположенных шаровых припоев, размещенных на поверхности микросхемы.

RDRAM

Стандарт Rambus DRAM (RDRAM) представляет собой радикально новую архитектуру модулей памяти, которые устанавливались в высокопроизводительных компьютерах с 1999 по 2002 год. Компании Intel и Rambus подписали соглашение о сотрудничестве в 1996 году, согласно которому Intel обязалась поддерживать память стандарта RDRAM до 2001 года. После этой даты Intel продолжала поддерживать память RDRAM, установленную в выпущенных ранее системах, однако новые наборы микросхем системной логики и системные платы были уже предназначены для DDR SDRAM. Более того, все последующие наборы микросхем и системные платы Intel поддерживают установку исключительно модулей памяти DDR или DDR2. Изначально предполагалось, что память стандарта RDRAM будет сопровождать выпуск быстродействующих процессоров до 2006 гада.

Модули памяти

Существует два основных стандарта на модули памяти, применяемые в современных но-утбках: SO-DIMM (small outline dual inline memory module) it micro-DIMM (micro dual inline memory module). Всего есть три основных типа SO-DIMM и два типа micro-DIMM. различающиеся размером, рабочей частотой и доступными конфигурациями (табл. 6.6). Размер, форма и расположение выводов модулей SO-DIMM и micro-DIMM стандартизированы комитетом JEDEC. Использование промышленного стандарта позволяет быть уверенным в совместимости и взаимозаменяемости различных систем и производителей.

Таблица 6.6. Типы модулей памяти для ноутбуков

Количество контактов

Тип модуля

Ширина шины данных, бит

Тип памяти

72

SO-DIMM

32

FPM/EDO

144

SO-DIMM

64

FPM/EDO

144

SO-DIMM

64

SDRAM

200

SO-DIMM

64

DDR SDRAM

144

micro-DIMM

64

SDRAM

172

miCFO-DfMM

64

□ DP SDRAM

Модули SO-DIMM обычно используются в ноутбуках, а модули micro-DIMM - в субноутбуках, PDA и наладоиных компьютерах.

Модули SO-DIMM

В большинстве ноутбуков используются модули SO-DIMM, которые являются уменьшенными версиями стандартных модулей DIMM, применяемых в настольных компьютерах. Хогя по размеру н назначению контактных выводов модули SO-DIMM отличаются от стандартных модулей DIMM, выполняемые ими функции одинаковы. Установка и извлечение подобных модулей из разъемов системной платы не составит никакого труда. Модули SO-DIMM снабжены контактными выводами на каждой стороне модуля. Нечетные выводы размещены на передней панели модуля, а четные - на задней. Специальные ключевые пазы обеспечивают правильность установки модулей в разъемы. Смешением пазов обозначается тип напряжения модуля. Существуют различные варианты модулей SO-DIMM и, поскольку не все модули взаимозаменяемы, важно удостовериться, что определенный модуль подходит к той или иной системной плате.


Модули SO-DIMM с 72-контактными выводами

Эти давно устаревшие модули применялись только в портативных компьютерах на базе процессоров 486. Модули SO-DIMM с 72-контактными выводами считывают и записывают данные блоками по 32 бит (4 байт), что соответствует возможностям процессоров 486, обладающих 32-разрядной шиной данных. Модули все еще доступны в продаже для модернизации старых компьютеров, однако их цена намного больше цены на современные модули.

Форма и размер 72-коптактных модулей SO-DIMM показаны на рис. 6.1.

59.в2ми{2,355-)

э.ао ии ю.150-1

макс.

2,00

1.10мм<0,МЗ-) 0,90 мм [0,035")

Контакты 2.-72 на обратной сторона

Рис. 6.1. 72-контактный модуль SO-DIMM

Такие модули доступны в нескольких версиях объемом до 64 Мбайт. Большинство оснащены микросхемами памяти FPM/EDO со временем доступа 60 нс и рабочим напряжением 3,3 Вт. Распространенные объемы модулей SO-D1MM приведены в табл. 6.7.

Таблица 6.7. Объем, глубина и разрядность 72-контактных модулей SO-DIMM

Объем, МбайтГлубина и разрядность

4ЦМхЭ2бит)

В2Мх32бит}

16(4 М х 32 бит)

32[в M х 32 бит)

64(16Мх32бит)

В 72-контактных модулях SO-DIMM применяется 32-разрядная шина данных со строковой емкостью 4 байт. Например, модуль памяти объемом 64 Мбайт организован в виде 16 млн. строк по 32 бит (4 байт) в каждой строке. Это составляет 64 млн. байт (16 млн. х4).

Назначение выводов такого модуля по стандарту JEDEC представлено в табл. 6.8 и 6.9.

Таблица 6.8. Назначение выводов 72-контактного модуля SO-DIMM (лицевая сторона)

Контакт

Сигнал

Контакт

Сигнал

Контакт

Сигнал

Контакт

Сигнал

1

VSS

19

А10

37

DQ16

55

NC

3

D01

21

сое

39

VSS

57

0025

5

D03

23

сою

41

СА£2#

59

OQ26

7

DQ5

25

D012

43

CAS1*

61

V0D

9

DQ7

27

0014

45

RAS1S

63

ООЗО

11

PRD1

29

А11

47

WE#

65

NC

13

AI

31

А6

49

0О18

67

PRD3

15

A3

33

RAS3*

51

DQ20

69

PADS

17

А5

35

00.! 5

53

0022

71

PRD7



[стр.Начало] [стр.1] [стр.2] [стр.3] [стр.4] [стр.5] [стр.6] [стр.7] [стр.8] [стр.9] [стр.10] [стр.11] [стр.12] [стр.13] [стр.14] [стр.15] [стр.16] [стр.17] [стр.18] [стр.19] [стр.20] [стр.21] [стр.22] [стр.23] [стр.24] [стр.25] [стр.26] [стр.27] [стр.28] [стр.29] [стр.30] [стр.31] [стр.32] [стр.33] [стр.34] [стр.35] [стр.36] [стр.37] [стр.38] [стр.39] [стр.40] [стр.41] [стр.42] [стр.43] [стр.44] [стр.45] [стр.46] [стр.47] [стр.48] [стр.49] [стр.50] [стр.51] [стр.52] [стр.53] [стр.54] [стр.55] [стр.56] [стр.57] [стр.58] [стр.59] [стр.60] [стр.61] [стр.62] [стр.63] [стр.64] [стр.65] [стр.66] [стр.67] [стр.68] [стр.69] [стр.70] [стр.71] [стр.72] [стр.73] [стр.74] [стр.75] [стр.76] [стр.77] [стр.78] [стр.79] [стр.80] [стр.81] [стр.82] [стр.83] [стр.84] [стр.85] [стр.86] [стр.87] [стр.88] [стр.89] [стр.90] [стр.91] [стр.92] [стр.93] [стр.94] [стр.95] [стр.96] [стр.97] [стр.98] [стр.99] [стр.100] [стр.101] [стр.102] [стр.103] [стр.104] [стр.105] [стр.106] [стр.107] [стр.108] [стр.109] [стр.110] [стр.111] [стр.112] [стр.113] [стр.114] [стр.115] [стр.116] [стр.117] [стр.118] [стр.119] [стр.120] [стр.121] [стр.122] [стр.123] [стр.124] [стр.125] [стр.126] [стр.127] [стр.128] [стр.129] [стр.130] [стр.131] [стр.132] [стр.133] [стр.134] [стр.135] [стр.136] [стр.137] [стр.138] [стр.139] [стр.140] [стр.141] [стр.142] [стр.143] [стр.144] [стр.145] [стр.146] [стр.147] [стр.148] [стр.149] [стр.150] [стр.151] [стр.152] [стр.153] [стр.154] [стр.155] [стр.156] [стр.157] [стр.158] [стр.159] [стр.160] [стр.161] [стр.162] [стр.163] [стр.164] [стр.165] [стр.166] [стр.167] [стр.168] [стр.169] [стр.170] [стр.171] [стр.172] [стр.173] [стр.174] [стр.175] [стр.176] [стр.177] [стр.178] [стр.179] [стр.180] [стр.181] [стр.182] [стр.183] [стр.184] [стр.185] [стр.186] [стр.187] [стр.188] [стр.189] [стр.190] [стр.191] [стр.192] [стр.193] [стр.194] [стр.195] [стр.196] [стр.197] [стр.198] [стр.199] [стр.200] [стр.201] [стр.202] [стр.203] [стр.204] [стр.205] [стр.206] [стр.207] [стр.208] [стр.209] [стр.210] [стр.211] [стр.212] [стр.213] [стр.214] [стр.215] [стр.216] [стр.217] [стр.218] [стр.219] [стр.220] [стр.221] [стр.222] [стр.223]