В модуле DIMM используется метод Serial Presence Detect (определение наличия микросхем методом последовательного поиска). Для реализации этого метода в модуле DIMM предусмотрена небольшая микросхема EEPROM или даже микросхема флэш-памяти, которая содержит описание DIMM в специальном формате. Эти последовательно поступающие данные могут считываться через специальные контакты и позволяют системной плате автоматически выбирать конфигурацию, в точности соответствующую типу установленного модуля DIMM.

Существует несколько различных вариантов модулей DIMM, например модули памяти с буфером или без буфера, с напряжением питания 3,3 или 5 В. Модули DIMM с буфером содержат в себе дополнительные микросхемы буфера, используемые для взаимодействия с системной платой. К сожалению, микросхемы буфера замедляют модули памяти DIMM и поэтому совершенно не эффективны при более высоких скоростях. Исходя из этих соображений, во всех персональных компьютерах используются модули DIMM без буфера. Напряжение питания большинства модулей DIMM, предназначенных для ПК, составляет 3,3 В. Установка 5-вольтного модуля памяти в разъем 3,3 В приведет к его повреждению. Чтобы этого избежать, в разъемах и модулях памяти используются соответствующие ключи.

Ключ типа DRAMКлюч рабочего напряжения

° птттттттт! (ТП11111111111111111М11111111111 ГГТ1 пи шипи! in шипи! in шипи! in ни Q

-I I- Без буфера5,0 В -I -

5,0 В -I I I- Зарезервирован 3,3 В

С буфером

Рис. 6.6. Ключ 184-контактного модуля DIMM памяти DRAM

Буферизированные модули памяти с рабочим напряжением 5 В обычно используются в компьютерах Apple, а также в других системах, не относящихся к семейству x86. К счастью, установочные ключевые пазы модулей DIMM различных типов, как показано на рис. 6.6, расположены по-разному. Подобная конструкция позволяет избежать установки модуля памяти в разъем другого типа.

Назначение выводов модулей DDR DIMM

В табл. 6.10 показана конфигурация выводов 184-контактного модуля памяти DDR SDRAM DIMM. Обратите внимание, что контакты, расположенные на разных сторонах платы памяти, различны.

Модуль DIMM памяти DDR SDRAM имеет ключ, который указывает на используемое напряжение (рис. 6.7).

По обеим сторонам модуля расположено два паза, предназначенных для обеспечения совместимости с разъемами памяти разного профиля. Расположение ключа (слева, в центре или справа от промежутка между 52 и 53 контактами) не только соответствует определенному напряжению, но и предотвращает установку модуля в не подходящий для него разъем.

I гтттттттттгттттттттттттттт

52 контакта

ш

гттттттттттттттттттттттт

40 контактов

VDDQ = 2,5B VDDQ = 1,8B П VDDQ = TBD

Центральная линия

Рис. 6.7. Ключ 184-контактного модуля DIMM памяти DDR

SDRAM