Ремонт принтеров, сканнеров, факсов и остальной офисной техники


назад Оглавление вперед




[122]

Таблица 6.3. Модули памяти DRAM и стандарты/пропускная способность шин (прошлое, настоящее и будущее)

Стандарты памяти

Формат модуля памяти

Тип микросхемы

Тактовая частота, МГц

Количество

циклов данных

за такт

Скорость шины памяти, тысяч циклов в секунду

Ширина шины

памяти, байт

Пропускная способность,

FPM

SIMM

60ns

22

22

8

177

EDO

SIMM

60ns

33

33

8

266

PC66

SDR DIMM

10ns

67

66

8

533

PC100

SDR DIMM

8ns

100

100

8

800

PC133

SDR DIMM

7,5ns

133

133

8

1 066

PC1600

DDR DIMM

DDR200

100

2

200

8

1 600

PC2100

DDR DIMM

DDR266

133

2

266

8

2133

PC2400

DDR DIMM

DDR300

150

2

300

8

2 400

PC2700

DDR DIMM

DDR333

167

2

333

8

2 666

PC3000

DDR DIMM

DDR366

183

2

366

8

2933

PC3200

DDR DIMM

DDR400

200

2

400

8

3 200

PC3600

DDR DIMM

DDR444

222

2

444

8

3 555

PC4000

DDR DIMM

DDR500

250

2

500

8

4000

PC4300

DDR DIMM

DDR533

267

2

533

8

4266

RIMM1200

RIMM-16

PC600

300

2

600

2

1 200

RIMM1400

RIMM-16

PC700

350

2

700

2

1 400

RIMM1600

RIMM-16

PC800

400

2

800

2

1 600

RIMM2100

RIMM-16

PC1066

533

2

1066

2

2133

RIMM2400

RIMM-16

PC1200

600

2

1200

2

2 400

RIMM3200

RIMM-32

PC800

400

2

800

2

3 200

RIMM4200

RIMM-32

PC1066

533

2

1066

2

4266

RIMM4800

RIMM-32

PC1200

600

2

1200

2

4800

RIMM6400

RIMM-64

PC800

400

2

800

2

6 400

RIMM8500

RIMM-64

PC1066

533

2

1066

2

8 533

RIMM9600

RIMM-64

PC1200

600

2

1200

2

9 600

ns (нс) - наносекунды.

EDO - Extended Data Out (расширенные возможности вывода данных).

DIMM -Dual Inline Memory Module (модуль памяти с двухрядным расположением выводов).

DDR - Double Data Rate (удвоенная скорость передачи данных).

Мбит/с - мегабит в секунду.

FPM - Fast Page Mode (быстрый постраничный режим).

SIMM- Single Inline Memory Module (модуль памяти с однорядным расположением выводов). RIMM - Rambus Inline Memory Module (модуль памяти стандарта Rambus).


я

и Т

а а. о

с с

ц

о

,

я

Я«о

ВS.

Яо>

в&

ц

SI =

ас

а,

и

- * «ян

В" О И

ила ч &в н

&вgи

ИО)Я

оute

е-кS3

468-й, 33 МГц

32

33

1

133

Pentium 66 МГц

64

66

1

533

Pentium I/II/III, 100 МГц

64

100

1

800

Pentium I/II/III, 133 МГц

64

133

1

1 066

Athlon, 200 МГц

64

100

2

1 600

Athlon, 266 МГц

64

133

2

2133

Athlon, 333 МГц

64

167

2

2 666

Athlon, 400 МГц

64

200

2

3 200

Pentium 4, 400 МГц

64

100

4

3 200

Pentium 4, 533 МГц

64

133

4

4266

Pentium 4, 600 МГц

64

150

4

4 800

FSB - Front Side Bus.

DRAM, поскольку сигналы, по которым работает память такого типа, синхронизированы с тактовым генератором системной платы.

Как и для оперативной памяти EDO, для памяти этого типа требуется поддержка набором микросхем системной логики. Начиная с наборов 430VX и 430TX, выпущенных в 1997 году, все наборы микросхем системной логики компании Intel полностью поддерживают SDRAM. Этот тип памяти стал самым популярным в новых системах, выпущенных в 2000 и 2001 годах.

Эффективность SDRAM значительно выше по сравнению с оперативной памятью FPM или EDO. Поскольку SDRAM - это тип динамической оперативной памяти, ее начальное время ожидания такое же, как у памяти FPM или EDO, но общее время цикла намного короче. Схема синхронизации пакетного доступа SDRAM выглядит так: 5-1-1-1, т. е. четыре операции чтения завершаются всего лишь за восемь циклов системной шины (сравните с 11 циклами для EDO и 14 для FPM).

Кроме этого, память SDRAM может работать на частоте 133 МГц (7,5 нс) и выше, что стало новым стандартом для системного быстродействия начиная с 1998 года. Фактически все новые персональные компьютеры, проданные с 1998 по 2000 год, имеют память типа

SDRAM.

Память SDRAM поставляется в виде модулей DIMM и, как правило, ее быстродействие оценивается в мегагерцах, а не в наносекундах (табл. 6.5).


Длительность цикла, нс

Частота, МГц

Спецификация

15

66

PC66

10

100

PC66

8

125

PC100

7,5

133

РС133

DDR SDRAM

Память DDR (Double Data Rate - двойная скорость передачи данных) - это еще более усовершенствованный стандарт SDRAM, при использовании которого скорость передачи данных удваивается. Это достигается не за счет удвоения тактовой частоты, а за счет передачи данных дважды за один цикл: первый раз в начале цикла, а второй - в конце. Именно благодаря этому и удваивается скорость передачи (причем используются те же самые частоты и синхронизирующие сигналы).

Память DDR предлагается такими выпускающими процессоры компаниями, как AMD и Cyrix, и такими изготовителями наборов микросхем системной логики, как VIA Technologies, ALi (Acer Labs, Inc.) и SiS (Silicon integrated Systems). Официально стандартизация DDR была предпринята Консорциумом DDR, в который входят компании Fujitsu, Ltd., Hitachi, Ltd., Hyundai Electronics Industries Co., Mitsubishi Electric Corp., NEC Corp., Samsung Electronics Co., Texas Instruments, Inc. и Toshiba Corp. В основном память DDR SDRAM используется в системах, оснащенных процессорами AMD и Cyrix.

Память DDR SDRAM выпускается в виде 184-контактных модулей DIMM (рис. 6.2).

Поставляемые модули DIMM памяти DDR SDRAM отличаются своим быстродействием, пропускной способностью и обычно работают при напряжении 2,5 В. Они представляют собой, в сущности, расширение стандарта SDRAM DIMM, предназначенное для поддержки удвоенной синхронизации, при которой передача данных, в отличие от стандарта SDRAM, происходит при каждом тактовом переходе, т. е. дважды за каждый цикл. Для того чтобы избежать путаницы, обычную память SDRAM часто называют памятью с одинарной скоростью передачи данных (Single Data Rate - SDR). Характеристики различных модулей памяти стандартов SDRAM и DDR SDRAM приведены в табл. 6.6.

2,00 мм (0,079") R (4x)

2,50 мм (0,098") D

(2x)

2,30 мм (0,091")

Вид спереди 133,50 мм (5,256") 133,20 мм (5,244")

2,30 мм (0,091")

Контакт 1

1,27 мм 1,02 мм

(0,050")

1**Г0,90 мм (0,35") R , ... мм 6,35 мм

1,02 мм ,Д 0гп-м

(0,040") (0,250")

120,65 мм (4,75")-

4,00 мм (0,157") макс.

31,88 мм (1,255") ~Г 31,62 мм (1,245") 17,78 мм (0,700")

Контакт 92

1,37 мм (0,054") 1,17 мм (0,046")

Рис. 6.2. Модуль DIMM памяти DDR SDRAM (184-контактный)



[стр.Начало] [стр.1] [стр.2] [стр.3] [стр.4] [стр.5] [стр.6] [стр.7] [стр.8] [стр.9] [стр.10] [стр.11] [стр.12] [стр.13] [стр.14] [стр.15] [стр.16] [стр.17] [стр.18] [стр.19] [стр.20] [стр.21] [стр.22] [стр.23] [стр.24] [стр.25] [стр.26] [стр.27] [стр.28] [стр.29] [стр.30] [стр.31] [стр.32] [стр.33] [стр.34] [стр.35] [стр.36] [стр.37] [стр.38] [стр.39] [стр.40] [стр.41] [стр.42] [стр.43] [стр.44] [стр.45] [стр.46] [стр.47] [стр.48] [стр.49] [стр.50] [стр.51] [стр.52] [стр.53] [стр.54] [стр.55] [стр.56] [стр.57] [стр.58] [стр.59] [стр.60] [стр.61] [стр.62] [стр.63] [стр.64] [стр.65] [стр.66] [стр.67] [стр.68] [стр.69] [стр.70] [стр.71] [стр.72] [стр.73] [стр.74] [стр.75] [стр.76] [стр.77] [стр.78] [стр.79] [стр.80] [стр.81] [стр.82] [стр.83] [стр.84] [стр.85] [стр.86] [стр.87] [стр.88] [стр.89] [стр.90] [стр.91] [стр.92] [стр.93] [стр.94] [стр.95] [стр.96] [стр.97] [стр.98] [стр.99] [стр.100] [стр.101] [стр.102] [стр.103] [стр.104] [стр.105] [стр.106] [стр.107] [стр.108] [стр.109] [стр.110] [стр.111] [стр.112] [стр.113] [стр.114] [стр.115] [стр.116] [стр.117] [стр.118] [стр.119] [стр.120] [стр.121] [стр.122] [стр.123] [стр.124] [стр.125] [стр.126] [стр.127] [стр.128] [стр.129] [стр.130] [стр.131] [стр.132] [стр.133] [стр.134] [стр.135] [стр.136] [стр.137] [стр.138] [стр.139] [стр.140] [стр.141] [стр.142] [стр.143] [стр.144] [стр.145] [стр.146] [стр.147] [стр.148] [стр.149] [стр.150] [стр.151] [стр.152] [стр.153] [стр.154] [стр.155] [стр.156] [стр.157] [стр.158] [стр.159] [стр.160] [стр.161] [стр.162] [стр.163] [стр.164] [стр.165] [стр.166] [стр.167] [стр.168] [стр.169] [стр.170] [стр.171] [стр.172] [стр.173] [стр.174] [стр.175] [стр.176] [стр.177] [стр.178] [стр.179] [стр.180] [стр.181] [стр.182] [стр.183] [стр.184] [стр.185] [стр.186] [стр.187] [стр.188] [стр.189] [стр.190] [стр.191] [стр.192] [стр.193] [стр.194] [стр.195] [стр.196] [стр.197] [стр.198] [стр.199] [стр.200] [стр.201] [стр.202] [стр.203] [стр.204] [стр.205] [стр.206] [стр.207] [стр.208] [стр.209] [стр.210] [стр.211] [стр.212] [стр.213] [стр.214] [стр.215] [стр.216] [стр.217] [стр.218] [стр.219] [стр.220] [стр.221] [стр.222] [стр.223] [стр.224] [стр.225] [стр.226] [стр.227] [стр.228] [стр.229] [стр.230] [стр.231] [стр.232] [стр.233] [стр.234] [стр.235] [стр.236] [стр.237] [стр.238] [стр.239] [стр.240] [стр.241] [стр.242] [стр.243] [стр.244] [стр.245] [стр.246] [стр.247] [стр.248] [стр.249] [стр.250] [стр.251] [стр.252] [стр.253] [стр.254] [стр.255] [стр.256] [стр.257] [стр.258] [стр.259] [стр.260] [стр.261] [стр.262] [стр.263] [стр.264] [стр.265] [стр.266] [стр.267] [стр.268] [стр.269] [стр.270] [стр.271] [стр.272] [стр.273] [стр.274] [стр.275] [стр.276] [стр.277] [стр.278] [стр.279] [стр.280] [стр.281] [стр.282] [стр.283] [стр.284] [стр.285] [стр.286] [стр.287] [стр.288] [стр.289] [стр.290] [стр.291] [стр.292] [стр.293] [стр.294] [стр.295] [стр.296] [стр.297] [стр.298] [стр.299] [стр.300] [стр.301] [стр.302] [стр.303] [стр.304] [стр.305] [стр.306] [стр.307] [стр.308] [стр.309] [стр.310] [стр.311] [стр.312] [стр.313] [стр.314] [стр.315] [стр.316] [стр.317] [стр.318] [стр.319] [стр.320] [стр.321] [стр.322] [стр.323] [стр.324] [стр.325] [стр.326] [стр.327] [стр.328] [стр.329] [стр.330] [стр.331] [стр.332] [стр.333] [стр.334] [стр.335] [стр.336] [стр.337] [стр.338] [стр.339] [стр.340] [стр.341] [стр.342] [стр.343] [стр.344] [стр.345] [стр.346] [стр.347] [стр.348] [стр.349] [стр.350] [стр.351] [стр.352] [стр.353] [стр.354] [стр.355] [стр.356] [стр.357] [стр.358] [стр.359] [стр.360] [стр.361] [стр.362] [стр.363] [стр.364] [стр.365] [стр.366] [стр.367] [стр.368] [стр.369] [стр.370] [стр.371] [стр.372] [стр.373] [стр.374] [стр.375] [стр.376] [стр.377] [стр.378] [стр.379] [стр.380] [стр.381] [стр.382]