Ремонт принтеров, сканнеров, факсов и остальной офисной техники


назад Оглавление вперед




[29]

Рис. 6.3. Схема замены ИС ЭНН с логическим выходом ИК на ИС КР1008ВЖб(7).

На рис. 6.4 приведена схема замены импортной ИС с открытым стоком выхода ИК Диоды VD1 и VD2 формируют соответствующую импульсную последовательность, а транзисторы VT1 и VT2, образуя выход с

открытым коллектором, моделируют выход ИК ИС с открытым стоком.

Выводы микросхемы ХО, XI, Х2, YO, Y1, Y2, Y3, 0V, U, HS и NSI подключаются на соответствующие контактные площадки заменяемой ИС. Вывод SB подключается к выводу микропереключателя со стороны транзисторов импульсного ключа (точка КТ1 на рис. 6.1).

Для замены импортной микросхемы на отечественную КР1008ВЖ1 можно изготовить переходную плату, разместив на ней необходимые дополнительные элементы. На рис. 6.5 показан чертеж переходной платы для схемы, приведенной на рис. 6.4. Форма и размеры переходной платы выбраны с учётом размещения её в телефон-ddikpiombki

трубке между основной платой и динамической головкой.

Контактныеплощадки

переходной платы (в рамке на рис. 6.5) и контактные площадки заменяемой ИС на основной плате телефона соединяются межу собой жгутом из тонких проводов. Схемы соединения контактных площадок переходной платы с контактными площадками основной платы, из которой выпаяна ИС ЭНН, для различных типов ИС различны и приведены в таблице 6.3. В ячейках таблицы показаны номера выводов контактных площадок заменяемой микросхемы на основной плате телефона. Расположение самих ячеек соответствует расположению контактных

площадок на переходной плате. Например, для микросхемы KS5805A контактную площадку YO, которая расположена рядом с выводом 22 ИС КР1008ВЖ1, необходимо соединить с контактной площадкой от вывода 16 микросхемы KS5805A на основной плате.

Для того чтобы в телефоне работал повтор последнего набранного номера, необходимо внести изменения на плате наборного поля. Нужно разорвать дорожку, которая идет от контактной площадки Х2 к кнопке "#", и соединить разорванный конец дорожки от этой кнопки к контактной площадке ХО. В телефонах-трубках, если принять контактную площадку, расположенную ближе к динамической головке за первую, то контактная площадка Х0 - третья, а Х2 - седьмая.

Если все соединения сделаны правильно, а номер не набирается, следует проверить напряжение на стабилитроне переходной платы. При Пониженном его значении (менее 2,0 В) необходимо увеличить ток через стабилитрон при помощи резистора в цепи питания микросхемы (раздел 3.3). При замене микросхем CIC9102E, CIC9104E, KS5805B, LR4Q993, МК50993, Т40998, UM9151, UM9151-3, WE9102 и WE9104 стабилитрон VD1 может не понадобится, так как он должен иметься на основной плате телефона.

1 КС1ЭЭГ

кс1заА,г

KCWAJ-

Рис. 6.4. Схема замены ИС ЭНН с открытым стоком выхода ИК на КР1008ВЖ1.

48

о go б о-5

т

14

3

Рис. 6.5. Переходная плата для замены ИС ЭНН с открытым стоком выхода ИК, микросхемой КР1008ВЖ1.

R2

VD2

VD3

R3

о d} ее -Н- ее -й- ее CD е

е е е е о о

ООО ООО

ооооооеоооо ок о ,

22120VT1 .R4I

КР1008ВЖ1Б Л

111 VT20E"

ооооооеоооо ок о

о -й- оо-Ц-оо сэ о

X1 Х2 Y0 ХО NSI HS OV U Y3 SB Y1 Y2J

VD1

С1

R1


Табл. 6.3. Соответствие контактных площадок переходной платы с контактными площадками заменяемой микросхемы.

Соответствие контактных площадок переходной платы контактным площадкам заменяемой микросхемы:

ЕТ40992 НМ9100А1 KS6805A KS6805B KS68C05 KS6851

LR40992 LR40993

MK50992N

МК60993

Т40992 Т40993

CIC992BE

ЕТ40982 HD970040D

KS5804

LR40981A

MK5173AN МК50981 TR50981AN

WE9192B

НМ9100Б KS5853

CIC9104E UM9151-3

WE9104

CIC9102E UM9151

WE9102

4

5

16

4

5

14

3

4

14

15

16

1

16

17

18

3

18

17

3

16

15

2

16

15

14

9

11

15

9

12

6

1

13

6

1

11

5

1

11

12

5

4

10

5

4

SB

15

14

SB

13

12

SB

13

12

SB

2

3

SB

2

3

Второй вариант замены ИС ЭНН с логическим выходом ИК показан на рис. в.в. В этом случае необходимо добавить ключ на полевом n-канальном транзисторе с индуцированным каналом и изолированным затвором КР1014КТ1 А(В), подключив его параллельно выходу диодного моста. Особенность схемы состоит в том, что импульсный ключ ТА используется как разговорный ключ, а набор номера осуществляется токовым ключом на КР1014КТ1А(В). Вели в ТА присутствует разговорный ключ, то вывод 18 ИС КР1008ВЖ5(7) необходимо подключить на него, а импульсный ключ ТА отключить (вместо него будет работать токовый ключ на КР1014КТ1А(В).

Импульсы, управляющие работой ключа, подаются на затвор токового ключа с выхода ИК ИС и полностью соответствуют требованиям технических условий для отечественных телефонных сетей, так как ИС КР1014КТ1А(В) в режиме насыщения имеет сопротивление менее 50 Ом.

DD1 КР10088Ж5(7)

21

vd1+vd4

х2 х1

19

ЛИНИЯ АТС

НИ

0-

С1270 R1 ЗООк

R1

!680к

VT1 кр1014кпв

1

18

ТА

на - схему телефона

Рис. 6.6. Схема замены микросхемы

номеронабирателя на

ИС КР1008ВЖ5(7) и

токовый ключ

КР1014КТ1В.


7. ЗАЩИТА И ДОРАБОТКА ТА

Амплитуда посылок сигнала индукторного вызова достигает 120 В, а на которых станциях и 200 В. Именно это напряжение представляет наибольшую опасность для электронной "начинки" телефона. При снятии трубки во время яка напряжение посылок индукторного вызова может вывести из строя основные элементы ТА (импульсный ключ, микросхему номеронабирателя, электретный микрофон). Это может произойти как из-за пробоя внутри элементов, так за счёт превышения допустимой рассеиваемой мощности на них.

на выход

ИК ИС ЭНН

на вход иктл

*VD1 13+15В

Рис. 7.1. Способ защиты выхода ИК ИС ЭНН с открытым стоком.

на вход

ИКТА

на выход икисэнн

Рис. 7.2. Рекомендуемая схема защиты выхода ИК ИС ЭНН с открытым стоком.

7.1. ЗАЩИТА МИКРОСХЕМЫ НОМЕРОНАБИРАТЕЛЯ

Самым слабым местом в ИС является выход импульсного ключа. Для ИС ЧНН пробой внутреннего полевого транзистора импульсного ключа с открытым стоком наступает при напряжении свыше 30 В. Естественно, напрашивается простейшей способ защиты - ограничить напряжение, которое может появиться на выходе ИК ИС при пробое транзисторов ИК ТА или снятии трубки во время звонка.

Для этого между нулевой шиной и выходом ИК ИС включается стабилитрон с напряжением стабилизации 13у15 В (рис. 7.1). Но этот способ защиты не дает гарантии полной защиты, поскольку при пробитом коллекторном переходе транзистора VT1 импульсного ключа ТА (рис. 6.1,а и 6.1,6) и попытке набора номера через открытый выход ИК ИС пойдет весь ток линии, что моментально приведет к выходу из строя микросхемы номеронабирателя.

Гарантированную защиту выхода ИК ИС обеспечивает применение дополнительного транзистора, включенного по схеме, приведенной на рис. 7.2. Здесь транзистор VT1 включен по схеме эмиттерного повторителя. Когда выход ИК микросхемы ЭНН находится в высокоимпедансном состоянии, то переход эмиттер -коллектор транзистора VT1 закрыт. При наборе номера выход ИК ИС подключается к обшей шине. Ток, протекающий через резистор R1 (рис. 6.1,в и 6.1,6) и переход база-эмиттер защитного транзистора VT1, открывает его и подключает вход ИК ТА на землю. Импульсный ключ ТА закрывается.

Если к эмиттеру транзистора VT1 (рис. 7.2) по любой причине будет приложен высокий потенциал, то при появлении малейшего тока в цепи: эмиттер-база транзистора VT1 - выход ИК ИС - корпус, транзистор VT1 открывается и весь ток проходит через него. Это исключает выход из строя микросхемы номеронабирателя.

Наиболее опытные радиолюбители могут возразить, что защитный транзистор следует подключать так, как показано на РИС. 7.3. Однако продолжительная практика использования схемы, приведённой на рис. 7.2, показала её полную надёжность.

Такой способ защиты весьма эффективен и позволяет снимать трубку даже во время междугородного звонка, если, конечно, защищены транзисторы ИК. Междугородный звонок при отсутствии описанной защиты наиболее опасен для ТА из-за повышенной частоты следования посылок вызывного сигнала, что повышает вероятность снятия трубки во время звонка.

Для ИС с логическим выходом ИК перечисленные способы не пригодны, так как напряжение выхода ИК ИС не превышает напряжение питания ИС. В этом случае выход ИК ИС следует включить через диод, как показано на рис. 7.4. Для

обеспечения надежного запирания транзистора VT1 при напряжении низкого уровня на выходе ИК ИС с базы на корпус необходимо включить резистор R2 сопротивлением 100у300 кОм. Резистор R1 должен присутствовать на плате телефона. Его сопротивление может находиться в довольно широких пределах.

Микросхему номеронабирателя с встроенным источником опорного напряжения можно защитить и по цепи питания. Для этого необходимо с входа питания ИС на корпус включить стабилитрон с напряжением стабилизации 4,7у5,6 В (КС147А,Г; КС 156А,Г и т. п.). Но в этом, как правило, нет необходимости. При надежно защищенном выходе ИК микросхемы номеронабирателей практически не выходят из строя по питанию благодаря внутренней защите.

на вход ИКТА

пи

]1М

VT1 КТ502Е

Рис. 7.3. Схема защиты выхода ИК ИС ЭНН с открытым стоком и резисторами в базовой цепи.

его

7.2. ЗАЩИТА ИМПУЛЬСНОГО КЛЮЧА ТА

Сравним параметры отечественных и импортных транзисторов наиболее часто используемых в схемах

ИК:

Транзистор

8кэ макс? В

1к и макс? мА

А к макс? 131

2N5551

180

600

0,35

KTJ03E

100

360

0,35

2N5401

160

600

0,35

КТ602Е

90

350

0,35

Предельно допустимые значения напряжения и импульсного тока зарубежных транзисторов значительно превышает аналогичные параметры отечественных. Поэтому они кажутся на первый взгляд более надежными, однако это не так. Практика показывает, что зарубежные транзисторы выходят из строя довольно часто, чего нельзя сказать об указанных отечественных, успешно используемых для их замены. Причина



[стр.Начало] [стр.1] [стр.2] [стр.3] [стр.4] [стр.5] [стр.6] [стр.7] [стр.8] [стр.9] [стр.10] [стр.11] [стр.12] [стр.13] [стр.14] [стр.15] [стр.16] [стр.17] [стр.18] [стр.19] [стр.20] [стр.21] [стр.22] [стр.23] [стр.24] [стр.25] [стр.26] [стр.27] [стр.28] [стр.29] [стр.30] [стр.31] [стр.32] [стр.33] [стр.34] [стр.35] [стр.36] [стр.37] [стр.38] [стр.39] [стр.40] [стр.41] [стр.42] [стр.43] [стр.44] [стр.45]