Ремонт принтеров, сканнеров, факсов и остальной офисной техники


назад Оглавление вперед




[27]

b)Если в точке КТ1 (рис, 6.1,а) напряжение в норме, а в точке КТ2 на 0,5у0,7 В, а не на 1у2 В, меньше, чем в точке КТ1, следовательно, пробит один из транзисторов импульсного ключа, а микросхема исправна.

c)Если напряжение в точке КТ1 в норме, а в точке КТЗ близко к нулю, то пробиты как выход ИК ИС, так и один или оба ключевых транзистора.

Чтобы убедиться в правильности работы импульсного ключа, при отключенном выводе ИК ИС к базе первого транзистора (VT1) подпаяйте кнопку SB с нормально разомкнутым контактом, как показано на схемах рис. 6.1,а у 6.1,в пунктирной линией.

При разомкнутой кнопке SB напряжение в точке КТ1 должно быть в пределах 5у15 В, при её замыкании напряжение должно увеличиться до 60 В. При кратковременном замыкании сигнал станции (непрерывный гудок) прекращается, что свидетельствует о приеме АТС посылки набора номера и полной исправности импульсного ключа. Если при замыкании SB напряжение в точке КТ1 не изменилось, или изменилось незначительно, то пробит один из ключевых транзисторов. Если же напряжение в точке КТ1 после замыкания кнопки будет менее 60 В, но не равно номинальному, то шунтирующее воздействие оказывает какой-нибудь другой элемент схемы. Им может быть пробитый защитный стабилитрон на напряжение 100 В, который устанавливается в некоторых телефонах на выходе диодного моста.

Если в Вашем ТА задействован выход разговорного ключа, следует описанную выше проверку провести также и для этого ключа.

При выходе из строя одного из ключевых транзисторов желательно заменить оба на отечественные, как более надёжные.

Транзисторы типа 2N5551 или MPS А-42 можно заменить любым из перечисленных: КТ503Е, КТ630Б, КТ683В, КТ698 с группой Ж, И или К, КТ940А, КТ969А. Транзисторы 2N5401 или MPS А-92 можно заменить на КТ502Е, КТ698 с группой Ж, И или К, КТ9115А. Справочные данные и цоколёвка транзисторов приведены в главе 8.

Основные неисправности и способы их устранения приведены в таблице 6.1.

Табл. 6.1. Основные неисправности в ТА и способы их устранения: II

Характер неисправности

Вероятная причина

Способ выявления и устранения неисправности

Не набирается номер, гудок не прерывается.

1.Пробит один или оба транзистора в импульсном ключе.

2.Пробит транзистор импульсного ключа и выход ИК микросхемы ЭНН.

3.Пробит защитный стабилитрон.

4.Пробит диод моста.

Если при попытке набора номера трубке слышны характерные щелчка то пробит один или оба ключевых транзистора импульсного ключа ТА.

Если щелчки при наборе номера не прослушиваются, и напряжение на выходе ИК микросхемы ЭНН равно нулю, то это свидетельствует о выходе из строя микросхемы. Но сначала необходимо убедиться в исправности транзисторов импульсного ключа. Подключите базу первого транзистора ИК на землю. Если один из транзисторов пробит, то напряжение на линии изменится незначительно. При обоих исправных транзисторах ключ закроется полностью и напряжение на линии поднимется до 60 В.

Если разговорный узел при подключении базы первого ключевого транзистора на землю отключится (пропадёт гудок), но при этом напряжение на линии будет менее 60 В, то это свидетельствует о пробое защитного стабилитрона на напряжение 100 В, устанавливаемого в некоторых телефонах на выходе диодного моста или одного из диодов моста.

Для проверки диодов моста достаточно поменять местами клеммы подключения телефона к линии. Если после этого работа ТА восстановится, значит имеет место пробой диода. Следует отметить, что диоды моста выходят из строя крайне редко.

Телефон не работает, нет гудка.

1.Пробит выход ИК микросхемы ЭНН.

2.Нет контакта в цепи от клемм подключения телефона к линии.

Необходимо проверить напряжение на выходе ИК микросхемы ЭНН и на входе ключевых транзисторов. Если напряжение на входе ключевых транзисторов близко к 60 В, а на выходе ИК микросхемы близко к нулю, значит транзисторы заперты потенциалом корпуса, поступающим через пробитый выход ИК микросхемы. Убедиться в этом, можно отпаяв выход ИК микросхемы или перерезав у вы; вода микросхемы дорожку печатной платы, ведущую к базе первого транзистора импульсного ключа.

Если выход импульсного ключа ИС номеронабирателя имеет открытый сток, то транзисторы ИК откроются разговорный узел подключится к линии, и в трубке появится гудок. Если ИС ЭНН имеет логический выход импульсного ключа, то для открытия ИК необходимо подать напряжение на его вход с вывода питания (U) ИС ЭНН. Если напряжение на входе ключевых транзисторов отсутствует, то необходимо проверить цепь от клемм подключения линии до транзисторов импульсного ключа. Особое внимание следует обратить на наличие контакта в микропереключателе.


При наборе

номера

происходит

прерывание

после первого

набранного

импульса.

1. Неисправен фильтрующий конденсатор схемы питания ИС.

Измерить напряжение на выводе питания микросхемы номеронабирателя. Его значение должно быть в пределах ±1 В от номинального значения. Если при отключении телефона от линии напряжение на фильтрующем конденсаторе сразу падает до нуля, конденсатор неисправен.

При наборе номера

набираются не все цифры.

1.Обрыв в шлейфе, соединяющим плату, на которой расположена микросхема номеронабирателя с платой клавиатуры.

2.Неисправна микросхема номеронабирателя .

3.Отсутствует замыкающий контакт на резинке клавиатуры.

Проверить шлейф, соединяющий плату, на которой расположена микросхема номеронабирателя с платой клавиатуры. Если шлейф исправен и платы не имеют механических повреждений, значит отсутствует замыкающий контакт на резинке клавиатуры или неисправна микросхема.

Восстановить замыкающий контакт на резинке клавиатуры, для чего вырезать контактную площадку из тонкой фольги и приклеить её клеем типа Момент" или двухсторонним скотчем.

При

однократном

нажатии

кнопки одной

из цифр в

линию

поступает

несколько

пачек

импульсов.

1.Загрязнение контактной площадки клавиатуры.

2.Нарушен замыкающий контакт на резинке клавиатуры.

3.Напряжение питания микросхемы номеронабирателя менее 2 В.

Протереть контактные площадки клавиатуры чистой ветошью, смоченной спиртом и прочистить кисточкой поверхность кнопок на резинке.

Заменить замыкающий контакт на резинке клавиатуры, для чего вырезать контактную площадку из тонкой фольги и приклеить её клеем типа " Момент" или двухсторонним скотчем.

Проверить напряжение питания микросхемы номеронабирателя. Если оно менее 2 В, необходимо увеличить ток источника опорного напряжения ИС (встроенного стабилитрона микросхемы номеронабирателя) если он есть в данной микросхеме (см. табл. 2.1) или ток стабилитрона, установленного в схеме питания ИС ЭНН (см. раздел 3.3).

Вас не слышит абонент.

1.Неисправен микрофон.

2.Обрыв цепи схемы микрофонного усилителя.

3.Отсутствует напряжение питания электретного микрофона.

Если при касании отвёрткой или пинцетом вывода микрофона (со стороны разделительного конденсатора) в трубке телефона раздаются щелчки, то микрофон неисправен. В противном случае проверить цепь прохождения сигнала микрофона. У электретного микрофона проверить напряжение питания на положительном выводе. Оно должно быть в пределах 1у1.5 В.

Малый уровень сигнала

микрофона при

значительном

уровне

собственного

шума

микрофона.

Отсутствует контакт между общим выводом микрофона и металлическим корпусом микрофона.

Обжать ободок металлического корпуса микрофона в месте соприкосновения с выходом общего вывода микрофона.

В

динамической головке слышен фон,

усиливающийся при закрывании микрофона рукой.

1.Акустическая связь микрофона и динамической головки.

2.Несбалансированна дифференциальная схема.

Акустическая связь устраняется амортизацией микрофона и динамической головки от корпуса трубки при помощи пористой резины или поролона.

Дифференциальная схема балансируется увеличением сопротивления резистора в балансной цепи (например, R3 на рис. 3.36).


Нет вызывного 11.

сигнала.

схеме

Обрыв цепи в приёма

ин-

дукторного вызова. 2. Вышел из

строя транзистора

или

транзистор микросхема мультивибратора вызывного устройства. 3. Неисправен пьезоэлектрический излучатель.

микросхемы иди пьезоэлектрического излучателя.

Замкнуть накоротко выключатель схемы вызывного устройства и разделительный конденсатор. При этом должен появиться тональный пьезоизлучателя. Бели сигнала нет, проверить параметры

сигнал

ВУ,

также

исправность

а

6.2. ЗАМЕНА МИКРОСХЕМЫ НОМЕРОНАБИРАТЕЛЯ

Вы убедились, что микросхема вышла из строя, и перед Вами встает вопрос "чем ее заменить?". Промышленность стран СНГ производит широкий ассортимент микросхем номеронабирателей. Большинство из них имеют зарубежные аналоги. Их цоколёвки приведены на рис. 2.10 у 2.12, а характеристики в табл. 2.7 и 2.8. В большинстве случаев Вы сможете подобрать подходящий аналог для замены вышедшей из стоя микросхемы. Кроме того, многие микросхемы условно взаимозаменяемы, т.е. заменяемы с небольшими доработками.

Возможность такой замены и необходимые изменения приведены в таблице 6.2.

Табл. 6.2. Возможная замена ИС ЭНН при ремонте и необходимые изменения при замене.

-1I

Заменяемая микросхема

Возможная замена

Необходимые изменения в схеме при замене

ЕТ40992

НМ9100А1

KS5805A

LR40992

MK50992N

Т40992

КР1008ВЖ11

KS5805B

LR40993

МК50993

Т40993

FT58C51

KS5851

КР1008ВЖ10

CIC9192BE

WE9192B

КР1008ВЖ14

EТ40982 HD970040D

KS5804 LR40981A

MK8J73AN

МК60981

TR50981AN

1.Поскольку в ИС возможной замены отсутствует внутренний источник опорного напряжения, то необходимо между выводом питания (1) и корпусом (вывод в) установить стабилитрон с напряжением стабилизации 3у4 В (КС133Г, КС139А(Г) и т. п.).

2.Вывод 2 отключить от всех цепей схемы.

3.Изменить параметры частотозадающей цепи встроенного генератора путём увеличения сопротивления резистора, подключенного к выводу 9 микросхемы, в 1,8 раза.

4.Микросхемы возможной замены имеют 16 выводов и в целом, если считать от первого вывода их цоколёвка совпадает с цоколёвкой заменяемых микросхем. Для замены необходимо установить микросхему таким образом, чтобы первый вывод ИС совпадал с контактной площадкой первого вывода выпаянной ИС. 5. Контактную площадку вывода 11 выпаянной ИС отсоединить от корпусной шины и соединить перемычкой с контактной площадкой вывода 9.

Выполнить пункт 4.

6.Контактную площадку вывода 11 выпаянной ИС отсоединить от корпусной шины и соединить с плюсом питания микросхемы (вывод 1).

7.Выпаять резистор, подключенный к контактной площадке 7 и конденсатор, подключенный к контактной площадке 8.

8.От контактных площадок 7 и 8 на место выпаянных резистора и конденсатора установить конденсаторы ёмкостью по 100 пФ каждый. Противоположные выводы конденсаторов соединить с корпусной шиной (вывод 6). Между выводами 7 и 8 установить дроссель индуктивностью 1,7 мГн. Вместо дросселя можно использовать кварц частотой 480 кГц.

К858С05

ЕТ40992

НМ9100А1 KS5805A

LR40992

MK50992N Т40992

КР1008ВЖ11

FT68C61

KS5851

KР1008ВЖ10

CIC9192BE

WE9192B

КР1008ВЖ14

Микросхемы заменяются без каких-либо изменений в схеме. Обратную замену производить нельзя.

Выполнить пункт 3. Выполнить пункты 4 и 5.



[стр.Начало] [стр.1] [стр.2] [стр.3] [стр.4] [стр.5] [стр.6] [стр.7] [стр.8] [стр.9] [стр.10] [стр.11] [стр.12] [стр.13] [стр.14] [стр.15] [стр.16] [стр.17] [стр.18] [стр.19] [стр.20] [стр.21] [стр.22] [стр.23] [стр.24] [стр.25] [стр.26] [стр.27] [стр.28] [стр.29] [стр.30] [стр.31] [стр.32] [стр.33] [стр.34] [стр.35] [стр.36] [стр.37] [стр.38] [стр.39] [стр.40] [стр.41] [стр.42] [стр.43] [стр.44] [стр.45]