Простой блокиратор параллельного телефона можно выполнить на дискретных элементах. Его схема приведена на рис. 5.4.

Когда абонент первого аппарата снимает трубку, к аноду тиристора VS1 прикладывается напряжения линии 60 В. На управляющем электроде тиристора напряжение меньше на величину падения напряжения на стабилитроне VD1. Тиристор открывается и ТА1 подключается к линии. Если после этого второй абонент снимет трубку, к тиристору VS2

Рис. 5.4. Принципиальная электрическая схема блокиратора параллельного телефона на тиристорах КУ112А.

будет приложено остаточное напряжение линии 5у15 В, которое меньше напряжения открывания стабилитрона VD3. Напряжение на управляющий электрод не подается и тиристор останется запертым. ТА2 будет отключен до тех пор, пока первый абонент не положит трубку на рычаг аппарата. Диоды VD2 и VD4 предназначены для пропускания отрицательного полупериода переменного напряжения индукторного вызова.

Недостаток схемы состоит в том, что при снятой с рычага аппарата трубке на одном из ТА в то время, когда на другом происходит набор номера, будут создаваться помехи набору номера (происходить перекоммутация абонентов на линию). В некоторых случаях может потребоваться замена стабилитрона КС515А на стабилитрон с другим номинальным напряжением (КС512А, КС518А и т. п.). Возможно применение других диодов и тиристоров с допустимым напряжением не менее 100 В и током не менее 100 мД.

На рис. 5.5 приведена ещё одна схема достаточно простого блокиратора параллельного телефона с использованием оптрона АОТ101 Д Блокиратор работает следующий образом. Если снять трубку на пер. вом ТА, то откроется транзистор VT1, и аппарат подключится к линии. Ток подключенного к линии ТА1 будет протекать через резистор R2 и светодиод оптрона DA1.2. Транзистор оптрона DA1.2 откроется и зашунтирует переход база-эмиттер транзистора VT2.

Теперь, если снять трубку с рычага второго ТА, то он останется рычага второго ТА, то он останется неподключенным к линии до тех пор, пока абонент первого аппарата не положит на рычаг трубку. Схема имеет те же недостатки, что и схема на рис. 5.4.

Схема свободного от этих недостатков блокиратора на рис. 5.6. Блокиратор значительно сложнее приведённых выше, но

Рис. 5.5. Принципиальная электрическая схема блокиратора параллельного телефона с использованием оптрона.

параллельного телефона приведена обладает хорошими характеристиками и вносит минимальное затухание для разговорного тока.

На вывод 14 001

R4 2.7М

50¥0

С4 22п

VD3

-ft

Рис. 5.6. Принципиальная электрическая

схема блокиратора параллельного телефона

с улучшенными характеристиками .

VT6 ЮВ51А

VD4 г КД102А-

VD6 КД102А

DA1.2 АОТЮ1А

Сб 47mk к,6В

VD6 КС106А

Стабилитрон VD6 и конденсатор С5 представляют собой источник питания напряжением 3 В для ИС DD1 К561ЛН2. Стабилизатор тока VT7 задаёт тек стабилитрона VD6. На ИС DD1 построена схема задержки времени переключения телефонов для исключения перекоммутации аппаратов во время набора номера на одном и снятой в этот момент трубке на другом.

В начальный момент, когда трубки обоих телефонов уложены на рычаги аппаратов, на входах логических элементов DD1.1 и DD1.4 устанавливается "высокий" уровень. На выходах элементов DD1.2 и DD1.5 "высокий" уровень удерживает ключи VT1 и VT4 в открытом состоянии, а на выходах элементов DD1.3 и DD1.6 "низкий" уровень запирает ключи VT2 и VT3, что обеспечивает прохождение переменного напряжения сигнала индукторного вызова на оба аппарата.

После снятия трубки на одном из аппаратов через светодиод оптрона DA1-1 начинает проходить ток, открывается транзистор оптрона и на входе логического элемента DD1.4 появляется "низкий"уровень. "Низкий" уровень на выходе элемента DD1.5 запирает токовый ключ VT4 и отключает второй телефон от линии. "Высокий" уровень на выходе элемента DD1.6 открывает ключ VT3, в результате чего открывается транзистор VT6, который шунтирует второй аппарат.

Во время набора номера на одном из аппаратов интегрирующая цепочка R3, СЗ для первого ТА и R4, С4 для второго ТА удерживает заблокированный аппарат в отключенном состоянии и перекоммутация телефонов не происходит.

6. РЕМОНТ ТЕЛЕФОННЫХ АППАРАТОВ

Как правило, вопросы совершенствования схем ТА (защита и улучшение потребительских качеств) начинают волновать Вас после выхода аппарата из строя. Но если Вы предусмотрительны, то переходите сразу к главе 7, чтобы не пришлось прорабатывать раздел 6.1 в ближайшем будущем.

6.1. ПОИСК HEBCnPABHOCTEH И ИХ yCTPAHEHBE

Наиболее часто в ТА выходят из строя транзисторы импульсного ключа в микросхема номеронабирателя, что составляет примерно 90% всех неисправностей. Ещё 9% можно отнести на неисправность электретного микрофона и 1% . на все остальные. Такое соотношение весьма приблизительно, но оно даст Вам представление о характере неисправностей в ТА и поможет избежать таких ошибок, как перепайка транзисторов разговорного узла или замена электролитических конденсаторов.

Если нет схемы телефонного аппарата, который Вы собираетесь ремонтировать, не расстраивайтесь. Практически для ремонта ТА схема не нужна.

Прежде всего, необходимо определить в микросхеме номеронабирателя номер вывода её импульсного ключа (рис. 2.10 у 2.12), а также по таблице 2.8 тип выхода - с открытым стоком или логический. От типа выхода зависит построение схемы ИК телефона. На рис 6.1 приведены три основные разновидности схем импульсного ключа, применяемых в зарубежных ТА. Ключи, приведённые на рис. 6.1,а и 6.1,6, применяются с микросхемой номеронабирателя, у которой выход ИК с открытым стоком. Ключ, приведённый на рис. 6.1, в, применяется с ИС номеронабирателя с логическим выходом её импульсного ключа. Схема ИК, приведённая на рис. 6.1,а, применяется в основном в недорогих ТА с минимальным количеством функций и невысокими

А)Б)В)

Рис. 6.1. Разновидности импульсных ключей в телефонных аппаратах.

Рассмотрим алгоритм поиска неисправностей.

Прежде всего, следует проверить напряжения в контрольных точках схемы (рис. 6.1):

•на входе ИК ТА (КТ1);

•на выходе ИК микросхемы номеронабирателя (КТ2);

•на выводе питания ИС (КТЗ).

При снятой трубке напряжение в точке КТ1 должно составлять 5у15 В.

В точке КТЗ - соответствовать напряжению питания ИС (2,5у3,5 В). В точке КТЗ - для ИС с открытым

стоком выхода ИК должно быть на 1у2 В меньше чем в точке КТ1, а для ИС с логическим выходом ИК должно

быть незначительно меньше, чем в точке КТЗ.

Напряжение на выходе диодного моста (равное напряжению в точке КТ1) должно быть на 1,2 В

меньше напряжения на клеммах подключения ТА к линии АТС за счет падения на диодах.

Анализируя результаты измерений, можно дать предварительную оценку характера неисправности. Напряжение в точке КТ2 близкое к нулю может свидетельствовать о неисправности микросхемы. Если в точке КТЗ напряжение близко к нулю, можно предположить, что вышла из строя микросхема.

Чтобы убедиться в этом, необходимо проверить всю цепь питания ИС (см. раздел 3.3). Только при гарантии

исправности цепи питания можно приступать к замене микросхемы.

Напряжение в точке КТ1 менее 5 В может свидетельствовать о пробое диодов моста, что встречается

крайне редко.

Рассмотрим различные варианты: а) Если напряжение в точке КТ1 близко к 60 В, а в точке КТ2 близко к нулю (при номинальном напряжении питания ИС), это может свидетельствовать о той, что транзисторы ИК исправны. В этом случае, скорее всего, пробит выход ИК ИС, который замыкает базу первого транзистора ИК ТА на землю и держит его в закрытом состоянии. Для того чтобы убедиться в этом, отпаяйте выход ИК ИС от схемы ТА. Это можно сделать, сняв припой с вывода ИК ИС монтажным отсосом, или перерезав на плате дорожку от вывода ИК ИС. Если после этого напряжение в точке КТ1 (для схем ИК, приведённых рис. 6.1,а и 6.1,б) будет в норме, смело выпаивайте микросхему. Для схемы ИК, приведённой на рис. 6.1,в, чтобы открыть ключ, необходимо дополнительно соединить точки КТ2 и КТЗ перемычкой.