Токовые ключи группы "А" и "В" коммутируему импульсному напряжению (при Uynp = 0 В, f = 50 Гц, Q 120 В, для группы "В" UKOM = 230 В.

имеют отличие только по максимальному Допустимому 2, t - 100 мс) для группы "A" UKOM -

ЛИНИЯ 1 0

Рис. 3.32. Схема ИК вКР1014КТ1В.

наИК микросхемы

VD1 КД209А

линия 2 0

на •~ схему телефона

VD2 КД209А

При подаче на исток токового ключа (выводы 4,5 на рис. 3.31,а) отрицательного по отношению к стоку (выводы 2,3,6,7) напряжения ключ ведёт себя как диод. Это свойство используется в схеме ИК на рис. 3.32, где ключевые элементы используются одновременно как плечи диодного моста. Во время набора номера линию коммутирует тот токовый ключ, на стоке которого положительный потенциал напряжения линии АТС, а второй выполняет функцию диода. При изменении полярности напряжения линии АТС диодом будет служить другой токовый ключ. Резистор R1 предназначен для запирания транзисторов в отсутствие напряжения на ТА в качестве дополнительного в системе "директор -

ИК, в которых в качестве

KSB1

наИК микросхемы

на

разговорный узел

Рис. 3.33. Схема ИК для ИС ЭНН с открытым стоком.

выходе ИК микросхемы, например при работе секретарь".

В зарубежных ТА, как правило, применяются две разновидности схем элементов коммутации используются высоковольтные биполярные транзисторы. На рис. 3.33 и 3.34 показаны схемы импульсных ключей для микросхем ЭНН, у которых выход ИК выполнен с открытым стоком.

На схеме рис. 3.33 транзисторы включены по схеме Дарлингтона. Как и в схеме, приведённой на рис. 3.29, данная схема также обеспечивает большой коэффициент усиления по току, что позволяет снизить потребление тока управляющей цепью, а, следовательно, и номеронабирателем в целом. Но её недостаток - относительно большое падение напряжения на ключе в режиме насыщения (1,5у2 В). Во время набора номера схема ИК коммутирует разговорный узел (рис. 1.11,а и 1.15). В ряде схем ТА импульсный ключ, выполненный по такой схеме, во время разговора используется в качестве микрофонного усилителя. Сигнал при этом поступает на базу первого транзистора через конденсатор ёмкостью 20 нФ. Эта возможность обусловлена тем, что при наличии на выходе rSBltт-1ИК высокого уровня, что имеет место во время разговора абонен-

тов, высокое выходное сопротивление ИС практически не оказывает влияния на передачу звукового сигнала от микрофона в линию.

На схеме рис. 3.34 приведена двух-каскадная ключевая схема ИК, которая наиболее часто используется в аппаратах более высокого класса. Транзистор VT2 формирует импульсы набора номера (средний ток коллектора в режиме насыщения составляет порядка 35 мА), a VT1 согласует выход ИК ИС со входом ключа на транзисторе VT2. Резистор R2 обеспечивает надежное запирание транзистора VT2 при закрытом VT1. Резистор R1 задает начальное смещение на базу транзистора VT1 и служит нагрузкой выхода ИС ЭНН с открытым стоком, a R3 ограничивает ток базы транзистора VT2. При использовании этой схемы, падение напряжения на ключе в режиме насыщения составляет 0,1у0,2 В.

Схема ИК (рис. 3.35) работает аналогично приведённой на рис. 3.34, но применяется при использований ИС ЭНН с логическим выходом ИК. "Низкий" уровень на выходе микросхемы номеронабирателя запирает транзисторы VT1 и VT2.

Справочные данные по используемым в схемах ИК транзисторам и возможная их взаимозаменяемость, а также отечественные аналоги приведены в главе 7.

Рис. 3.34.

Схема ИК для ИС ЭНН с открытым стоком.

наИК микросхемы

на

разговорный узел

KSB1

Рис. 3.35. Схема ИК

для ИС ЭНН с

логическим выходом.

на ИК микросхемы

на

разговорный узел

3.5. РАЗГОВОРНЫЙ УЗЕЛ

В состав разговорного узла входят:

•усилитель сигнала микрофона;

•усилитель НЧ сигнала принимаемого с линии;

•противоместная схема;

•схема питания разговорного узла.

На рис. 3.36 приведена одна из самых распространенных схем разговорного узла, применяемая в телефонах - трубках и ТА настольного типа, в сочетании с различными микросхемами ЭНН. В ней импульсный ключ одновременно

Рис. 3.36. Схема разговорного узла, применяемого с ИС ЭНН с открытым

стоком ИК.

VT1-VT3C9Q14 тж

€=>

на

разговорный ключ

Рис. 3.37.

Усилитель электродинами ческого микрофона.

4.7IM «168

к точке А

выполняет функцию усилителя сигнала микрофона, что возможно только при использовании тех ИС ЭНН, ИК которых имеет выход с открытым стоком.

База транзистора VT1 подключена как к выходу микрофона, через разделительный конденсатор емкостью 20 нФ, так и к выходу ИК ИС ЭНН. Когда на выходе ИК ИС "высокий" уровень, транзисторы VT1 и VT2 выполняют функцию усилителя сигнала микрофона, т. к. при этом высокое сопротивление закрытого выходного транзистора ИК ИС как бы отключает выход ИК ИС от базы транзистора VT1. Начальное смещение на базу VT1 задаётся резистором R1. Резистор R5 является элементом балансной цепи для согласования с импедансом линии. Резистор R6 представляет собой нагрузку линии.

Речевые колебания преобразуются в электрический НЧ сигнал электретным микрофоном, рабочий ток которого (0,25у0,5 мА) устанавливается резистором R2. От величины рабочего тока зависит уровень сигнала микрофона.

НЧ сигнал с микрофона через разделительный конденсатор C1 поступает на базу составного транзистора VT1-=-VT2, коллекторной нагрузкой которого является RATC (см. гл. 1 рис. 1.3). На эмиттере VT2 НЧ сигнал повторяет входной по форме и напряжению. С коллектора VT2 усиленный по напряжению, но противофазный входному, сигнал передается в линию ко второму абоненту.

Синфазный сигнал с эмиттера и противофазный сигнал с коллектора транзистора VT2, проходя через резисторы R3 и R4, которыми устанавливается соотношение амплитуд для наилучшего подавления местного эффекта, складываясь в точке "В", взаимопдавляются. Этим достигается значительное снижение слышимости своего голоса при разговоре. Такое включение резисторов и транзистора в ТА, получило название противоместной схемы.

НЧ сигнал второго абонента с линии, через открытый транзистор VT2 и резистор R4 поступает в точку "В", где складывается с синфазным сигналом, поступающим по другой цепи через R3, и через разделительный конденсатор C2 подается на базу транзистора VT3. Транзистор VT3, включенный по схеме с общим эмиттером, усиливает сигнал по напряжению, а транзистор VT4, который представляет собой эмиттерный повторитель, по току. С эмиттера через разделительный конденсатор C3 усиленный сигнал подается на динамическую головку BF1. Резистор R7, включенный в цепь отрицательной обратной связи, задает ток смещения на базу транзистора VT3. Резисторы R8 и R9 являются соответственно коллекторной и эмиттерной нагрузками транзисторов VT3 и VT4.

Напряжение питания (порядка 3 В) телефонного усилителя и электретного микрофона снимается с резистора R6. При использовании электродинамического микрофона для обеспечения нормальной слышимости и разборчивости в схему вводится дополнительный усилитель, включенный по схеме с общим эмиттером (рис. 3.37).

При этом резистор R2 (рис. 3.36) выполняет функцию коллекторной нагрузки транзистора VT1 (рис.3.37), а резистор R2 (рис. 3.37) задаёт начальное смещение на базу. Конденсатор С1 - разделительный, а резистор R1 служит для устранения возбуждение усилителя.

На рис. 3.38 приведена еще одна разновидность разговорного узла, используемого в схемах ТА, в которых ИК или РК выполнен по одной из схем

VT1-VT3 С9014

на

разговорный ключ

220k

Рис. 3.38. Схема разговорного узла, применяемого с ИК или РК, приведенных на рис. 3.32, 3.34, 3.35.

С1

входе7"

противоместной -*-]

приведённых на рис. 3.32, 3.34, 3.35.

НЧ сигнал с электретного микрофона ВМ1, ток которого задается резистором R1, через

разделительный конденсатор 02 поступает на базу транзистора VT1, включенного по схеме с общим эмиттером. Коллекторной нагрузкой транзистора является резистор R3. Резистор R2 задаёт начальное смещение на базу транзистора, a R4 увеличивает входное сопротивление каскада и стабилизирует рабочую точку транзистора. Конденсатор СЗ, включенный в цепь отрицательной обратной связи, устраняет возбуждение усилителя. Питание усилителя и микрофона осуществляется с выхода разговорного ключа через резистор R5.

Кнопка "*" шунтирует сигнал микрофона при необходимости отключить его во время разговора. С коллектора VT1 усиленный по напряжению сигнал поступает на вход эмиттерного повторителя на транзисторе VT2 с противоместной схемой. С коллектора VT2 усиленный сигнал через открытый разговорный ключ подаётся в линию АТС.

НЧ сигнал второго абонента с линии через открытый РК, цепи противоместной схемы (VT2, R6, R7) и разделительный конденсатор С4 поступает на базу усилителя на транзисторе VT3, коллекторной нагрузкой которого является динамическая головка BF1.

Питание телефонного усилителя (2,5+3 В) снимается с резистора R9. Вместо резистора R9 часто используются два или три диода, включенных последовательно. Падение напряжения на каждом из диодов составляет 0,7 В. Иногда используют стабилитрон с напряжением стабилизации 3,3 В.

Телефонный усилитель может быть выполнен и по схеме эмиттерного повторителя, приведённой на рис. 3.39.

На рис. 3.40 приведена схема разговорного узла с противоместной схемой мостового типа. Эта схема наиболее часто применяется в ТА с дисковым номеронабирателем, во иногда используется и в ТА с кнопочным набором.

B схеме используется угольный микрофон, питание которого осуществляется непосредственно с линии через обмотку I трансформатора (линейная обмотка). Микрофон включается в диагональ моста состоящего из: сопротивления АТС и линии, сопротивления линейной обмотки трансформатора (I), балансной обмотки трансформатора (II) и балансного контура, на резисторах R1, R2 и конденсаторе С1, сопротивление которого

к SB1

Т1

ВИ1

км-г

i

п.

FA1

BF1

III

R1 100

R2 1.2k I

С1

0,47л*

равно эквивалентному сопротивлению линии и АТС.

на

разговорный ключ

Рис. 3.40. Притивоместная мостовая схема разговорного узла.

Элементы балансного контура подбираются таким образом, чтобы уравновесить плечи моста, выравнивая токи в линейной и балансной обмотках.

При равных величинах токов в обмотках I и II уравновешенного моста они имеют разное направление, в результате чего токи, наводимые в телефонной обмотке (III) трансформатора, взаимно компенсируются и

свой голос в телефоне трубки не прослушивается.

Рис. 3.41. Противоместная мостовая

схема разговорного узла с электретным

микрофоном.

на

разговорный ключ

Таким образом достигается подавление местного эффекта. При этом ток микрофона второго абонента не ослабляется, так как протекает в обмотках I и II в одном направлении.

Амплитудный ограничитель уровня сигнала (фриттер) выполнен на встречено включенных диодах (FA1). Он предназначен для предохранения уха разговаривающих по телефону от акустических ударов, возникающих вследствие резкого увеличения звукового давления, развиваемого телефоном при импульсах повышенного напряжения в линии. В качестве ограничителей могут использоваться варисторы и транзисторы. В общем случае, фриттер

представляет собой активное нелинейное сопротивление, шунтирующее действие которого возрастает при увеличении напряжения на зажимах аппарата.

Схема, приведенная на рис. 3.41 работает аналогично предыдущей. Отличие состоит в использовании электретного микрофона с усилителем на транзисторах VT1, VT2 и наличием светодиода в балансном контуре. Кнопкой "*" можно отключить микрофон во время разговора.

а.