С1 1mfc«250B

VD1+VD4 1SS131

VD5 02 МА4ЭО0 10mk 278 «50В

DA1 BAB205

Рис. 3.11. Схема ВУ, применяемая в телефонах фирмы "PANASONIC".

SA1 "Ringer"

м 470 *А 2т

R64,7k

Необходимость доработки обусловлена тем, что при спаренном включении ТА уровень напряжения вызывного сигнала понижен (см. раздел 1.2) и при номиналах резистора R1 и конденсатора С2, приведённых в схеме, напряжение на входе U (вывод 1 DA1) за время посылки вызова (1 с) не успевает нарасти до значения 18,5В (напряжение включения микросхемы). Чтобы обеспечить более быстрый заряд конденсатора С2 необходимо уменьшить сопротивление резистора R1 до 3 кОм и ёмкость конденсатора С2 до 1,0у4,7 мкФ.

Следует отметить, что все микросхемы ВУ первой и второй группы взаимозаменяемы. Необходимо лишь учитывать, что сопротивление резистора R2 не должно быть менее 2,2кОм, иначе микросхема не включится.

На рис. 3.12,а,б приведены схемы вызывного устройства на ИС 34017-1Р и 34017-2Р.

CIR1

1mk»2S0B взд

»-ii-сЬ-

ЛТС

ОМ МС34017-2Р

R222*. ,

НИ

LN1

OUT1

оитг и

GN

LN2 OV RC2 RC1

С24.7МС «50В

С1 R1 1тк»250в eek

-1-сЬ-

АТС в-

DA1 НС34017-1Р

5JSM0 1

I сз

I 560

rlH""*

I » xSOfi

А)

M 12k

R3 120k

\C3

-ННп* Л11 «50В R4

U i3K

C2 10mk >50B

Рис. 3.12. Схемы вызывного устройства на ИС МС34017-1Р и МС34017-2Р.

Микросхемы генерируют три периодически переключающиеся частоты: f1, i2, f3. Переключение частот происходит в следующем порядке: fl, f2, f1, f3. Соотношение частот: F1/f2=1,05; F1/f3=1,45. Напряжение включения микросхем находится в пределах 27,7 4у28,7 В. Напряжение выключения - 9,2у10,2 В. Схема на рис. 3.12,а позволяет плавно регулировать громкость звонка переменным резистором R2. Схема на рис. 3.12,6 имеет три фиксированных уровня регулировки. Аналог этих микросхем - L8611.

ИС МС34012-1Р (рис. 3.13) также содержит диодный мост, схему защиты от переходных процессов и схему управления пьезоэлектрическим преобразователем. ИС генерирует две периодически переключающиеся частоты с соотношением 1,25. Напряжение включения микросхемы - 23,5 4у25,5 В. Напряжение выключения - 9,5 4у10,5 В.

Для ИС МС34012-2Р и МС43012-ЗР схема включения аналогична. Для ИС МС34012-2Р ёмкость

Рис. 3.13. Схема ВУ на ИС МС34012-1Р.конденсатора С2=470 пФ, а для МС4301293Р С2=2000 пФ.

И в заключение рассмотрим несколько вариантов схем ВУ на дискретных и логических элементах. Они могут представлять интерес для тех радиолюбителей, которым не удалось приобрести вышеперечисленные специализированные микросхемы ВУ.

R1 2.4k

АТС

VD6 КС191Ж

Рис. 3.14. Схема ВУ, используемого в некоторых телефонах VEF.

OD12 С6 р-Г

J7I в» D01.3

Ir

На рис. 3.14 приведена схема ВУ, которое используется в некоторых телефонах VEF. Схема работает следующим образом. Напряжение вызывного сигнала АТС частотой 25 Гц через блокировочный для постоянного тока конденсатор С1 и ограничительный резистор R1 поступает на диодный мост VD1VVD4. Здесь напряжение выпрямляется и конденсатором СЗ сглаживается. Выпрямленное напряжение стабилизируется параметрическим стабилизатором на резисторе R4, стабилитроне VD9 и конденсаторе G4. Это напряжение величиной порядка 8 В используется для питания схемы вызывного устройства.

Тональный генератор собран по схеме мультивибратора на транзисторах разной проводимости VT1 и VT2. Изменение частоты достигается переключением резисторов R14, R16 и R19 в цепи эмиттера транзистора VT1. Переключение производится подачей логического "О" с выходов мультивибратора, собранного на элементах DD1.2yDD1.4 на диоды VD 12уVD14.

Пороговое устройство собрано на диодах VD5, VD6, стабилитронах VD7, VD8, резисторах R2, R3, конденсаторе С2 и логическом элементе DD1.1. Оно предназначено для отключения вызывного устройства при пониженном напряжении питания в конце каждой посылки вызова. После окончания посылки вызова на выходе логического элемента DD1.1 появляется логическая "1". Через диоды VD10, VD11 она подаётся в цепь базы транзистора VT2 и цепи эмиттеров транзисторов VT1, VT2 и срывает генерацию тонального генератора.

С коллектора транзистора VT2 сигнал тонального генератора подаётся на транзистор VT3. Здесь происходит его усиление по мощности. Для регулировки уровня громкости вызывного сигнала в коллектор транзистора VT3 последовательно с высокомным электроакустическим преобразователем BF1 включен переменный резистор R5.

АТС

С1 1п* «260В

VD1 1СД102А

R1 2»

Рис. 3.15. Схема ВУ,

применяемого в ТА "Уфа-82" и "Уфа-301".

На рис. 3.15 приведена схема ВУ, применяемого в ТА "Уфа-82" и "Уфа-801". Диоды VD1, VD2 и стабилитроны VD3, VD4 выпрямляют переменное напряжение вызывного сигнала. Стабилитрон VD5 выполняет функцию порогового элемента. Транзистор VT2 и трансформатор Т1 образуют тональный мультивибратор. Транзистор VT1 управляет переключением частоты мультивибратора.

На рис. 3.16 приведена схема вызывного устройства на ИС К561ЛЕ5. Конденсатор С1 является блокировочным для постоянного тока линии. Резистор R1 ограничивает ток через стабилитрон VD1, который вместе с выпрямительным диодом VD2 и сглаживающим конденсатором С2 представляют собой схему питания вызывного устройства. Схема состоит из двух мультивибраторов. Мультивибратор на логических элементах DD1.1, DDI.2 генерирует частоту порядка 16Гц и управляет мультивибратором на логических элементах DD1.3 и DD1.4, с выхода которого сигнал звуковой частоты 3,6 кГц поступает на пьезоэлектрический излучатель ЗП-3.

Схема, приведённая на рис. 3.17 аналогична предыдущей. Она состоит из одного мультивибратора на микросхеме К561ЛА7. Частоту мультивибратора можно регулировать подстрочным резистором R3.

Недостаток этих схем (рис.3.16 и 3.17) заключён в том, что у них лишь одна частота тонального генератора и отсутствует пороговая схема отключения генератора при пониженном напряжении питания.

14DD1

7DD1

Рис. 3.17. Схема ВУ на ИС К561ЛА7.

3.2. СХЕМА "ОТБОЙ"

" Отбой" - функция, осуществляющая начальную установку микросхемы номеронабирателя в режим готовности к набору, повтору номера или к работе с внутренней памятью ИС.

Следует отметить, что у всех зарубежных и отечественных ИС ЭНН функция "отбой" осуществляется подачей "высокого" уровня на вход HS.

к диодному мосту

S81

. на схему телефона

Рис. 3.18. Схема "отбой " ИС НН при двухпозиционном r*i р2 переключателе SB1. М 22k

на вход "отбой микросхема

В соответствии с логикой работы ИС схема "отбой" обеспечивает поддержание "высокого" уровня на входе HS в дежурном режиме (когда трубка уложена на аппарат), и "низкого " уровня в разговорном режиме или при наборе номера (когда трубка снята).

"Низкий" уровень на входе HS разрешает работу ИС ЭНН, приТ

"высоком" уровне на входе HS набор номера невозможен.

Существуют две основные разновидности схем "отбой" (рис. 3.18, 3.19), При двухпозиционном переключателе (рис. 3.18) схема "отбой" представляй собой делитель напряжения, состоящий из двух резисторов. Если переключатель SB1 находится в положении "отбой" (нижнее по схеме), к делителю

кдиодному мосту

Рис. 3.19. Схема "отбой" ИС НН при однопозиционном переключателе SB1.

нашему телефона

на вход •отвой" микросхемы

VT1 С9014

SB1приложено напряжение линии - 60 В. При указанных на

схеме номиналах резисторов, с делителя на вход HS ИС подаётся напряжение 2,7 В, Если переключатель находится в положении "разговор", то через резистор R2, соединённый с нулевой шиной, на входе HS ИС поддерживается "низкий" уровень.

Следует отметить, что напряжение на входе HS ИС не может превышать напряжение питания микросхемы более чек на 0.6 В, так как этот вход соединен с входом питания ИС через встроенный диод, выполняющий функцию защиты ИС от перенапряжения на входе HS (см. рис. 2.2). На рис. 3.19 приведена схем " отбой", с использованием однопозиционного переключателя. Когда переключатель SBI разомкнут (находится в положении "отбой"), база транзистора VT1 через резистор R2 подключена к нулевой шине, что обеспечивает надежное запирание транзистора. Высокий уровень на входе В ИС поддерживается напряжением питания ИС (порядка 3 В) через резистор R3.

Когда переключатель SB1 замкнут (находится в положении "разговор"), ток задаваемый резистором R1 открывает транзистор VT1. Открытый транзистор подключает вход HS ИС к нулевой шине, обеспечивая на нем "низкий" уровень, разрешающий работу микросхемы.

На рис. 3.20 приведена некорректная схема "отбой", которая иногда встречается в ТА низкого класса и может стать причиной неправильной работы ТА.

к диодному мосту

SB1

на схему "телеф»*

R1

470k

Рис. 3.20.

Некорректная схема "отбой".

£3.

на вход - отвой микроскоп