Таблица 4.4

Микросхема

Возможная замена

Необходимые изменения в схеме при замене

КР1008ВЖ5 КР1008ВЖ7

КР1008ВЖ1

27. Изменить параметры частотозадающей цепи генератора ИС путем уменьшения сопротивления резистора подключенного к выводу 9 в 3 раза. Вывод 6 отсоединить от других цепей схемы и соединить с плюсом питания ИС (вывод 3). Вывод 15 отсоединить от других цепей схемы и подключить в точку,где ранее был подключен вывод 6.

При замене ИС КР1008ВЖ5 на КР1008ВЖ1, Ваш телефон потеряет дополнительные сервисные возможности и будет сохранять только последний набранный номер.

Микросхемы КР1008ВЖ5 и КР1008ВЖ7 взаимозаменяемы, но при этом в ИС КР1008ВЖ7 отсутствует дополнительная память.

DD1 КР1008ВЖ1

Г 1 -Y2-

ТЭ -HS-0V-

Прежде, чем рассматривать вопросы замены импортных ИС отечественными КР1008ВЖ1, КР1008ВЖ5, КР1008ВЖ7, вернемся к диаграммам Рис.22 и сравним временные диаграммы выходов ИК и РК ряда импортных и перечисленных отечественных микросхем. Как мы видим, сигналы, формируемые на выходах ИК различных типов микросхем, имеют два основных отличия: первое - одна группа ИС сначала формирует импульсы набора, затем межсерийную паузу, другая - сначала формирует межсерийную паузу, а затем импульсы набора; второе - импульсы набора на выходе ИК ИС одних микросхем имеют положительную, а других отрицательную полярность. Так, на выходе ИК ИС КР1008ВЖ1 формируются импульсы набора положительной полярности с импульсным коэффициентом - 0.66, а на выходах ИК зарубежных ИС, импульсы набора отрицательной полярности с импульсным коэффициентом - 1.5. Первое отличие чисто схемотехническое и не оказывает какого либо влияния на работу телефона, поэтому его можно не учитывать.

По сигналам формируемым на выходах РК, микросхемы можно разделить на три основные группы. Первая группа - YQ -

формирует импульс отрицательной полярности, Y1 -а ll v , X / Y

по длительности равный периоду набора одной цифры (в таблице 1 - Л1 для ИС с логическим или ОИ1 для ИС с открытым истоком выхода РК). Вторая - импульс отрицательной полярности равный периоду набора всего номера (Л2, ОИ2). Третья - импульс положительной полярности равный периоду набора всего номера114

(ЛЗ, ОИЗ). Это отличие нельзя не учитывать при17

замене ИС в схемах ТА где задействован разговорный ключ.

Для замены импортной ИС отечественной необходимо, при помощи

дополнительных элементов, привести вСД522Б

соответствие временные параметры сигналов

формируемых на выходах ИК и РК заменяемой,РисЗб

YQ

Y2

I PS

2JL

хг

XI • XD

270

VD1 VD2

DD1 СР1008ВЖ5,7

20

хг

Х1

хо

270 300с

VD1

12

1В

"и"

VD2

КД522Б

. ns i

Рис.57

и заменяющей микросхем. Кроме того, в зависимости от типа выхода ИК (логический или с открытым стоком) заменяемой микросхемы обеспечить согласование со входом импульсного ключа.

Временные параметры приводятся в соответствие посредством двух диодов, включаемых с выходов ИК и РК (NSI и NSA2) Y0 микросхемы КР1008ВЖ1 по схеме "ИЛИ", как показано на рис.56. В результате, на выходе (в точке VD), получаем сигнал с временными параметрами, соответствующими параметрам выходных сигналов ИК импортных микросхем, достаточно, так как в точке VD мы имеем сигнал с уровнем сигнала соответствующим логическому выходу ИС КР1008ВЖ1.

На рис.57 приведена схема замены импортной ИС с открытым стоком выхода ИК.Диоды VD1 и VD2 формируют соответствующую импульсную последовательность, а транзисторы VT1 и VT2 образуя выход с открытым коллектором, моделируют выход ИК ИС с открытым стоком.

Выходы схемы Х0,Х1,Х2, Y0,Y1,Y2,Y3, 0V,+U,HS и NSI подключаем на

соответствующие контактные площадки выпаянной ИС. Вывод SB подпаивается микропереключателя со стороны транзисторов импульсного ключа (точка КТ1).

Для замены импортной микросхемы наDD1 СР1008ВЖ1

отечественную КР1008ВЖ1 можно изготовить Y0 переходную плату, разместив y i -на ней необходимые Yz-дополнительные элементы.

уз *

На рис.59,60 показан чертеж переходной платы для схемы HS" приведенной на рис.58. Форма ov -и размеры переходной платы выбраны с учетом того, чтобы ее можно было разместить в телефон- и" трубке, между основной платой и динамической головкой.

Контактные площадки переходной платы и контактные площадки выпаянной ИС соединяются

выводу

22

vq1

КС1ЭЗГ l КС1Э9А,

кд522б

Рис.58

между собой жгутом из тонких проводов. Схемы соединения контактных площадок переходной платы с контактными площадками основной платы, из которой выпаяна ИС ЭНН для различных типов ИС различны и приведены в таблице. Например, для микросхемы KS5805A, контактную площадку рядом с выводом 22 ИС 1008ВЖ1 необходимо соединить с контактной

площадкой от вывода 16 микросхемы KS5805A на основной плате.

Рис.59

Рис.60

Соответствие контактных площадок переходной платы с контактными площадками выпаянной микросхемы типа:

KS5805A KS5851 KS5805B KS58C05 KS58D05 ЕТ40992 MK50992N

BU8992 НМ9100А1

CIC9192BE WE9192E ЕТ40982 HD970040D MK5173AN LR40981A TR50981AN

CIC9104E UM9151-3 WE9104

KS5853 НМ9100В

CIC9102E UM9151 WE9102

Для того, чтобы в телефоне работал повтор последнего набранного номера, необходимо внести изменения на плате наборного поля. Нужно разорвать дорожку, которая идет от контактной площадки Х2 к кнопке "#", и подпаять разорванный конец дорожки от этой кнопки к контактной площадке ХО. В телефон трубках, если принять контактную площадку расположенную ближе к динамической головке за первую то, контактная площадка ХО - третья, а Х2 - седьмая.

Если все соединения сделаны правильно, а номер не набирается, следует проверить напряжение на стабилитроне переходной платы, оно может быть понижено (менее 25В). В этом случае необходимо увеличить ток через стабилитрон при помощи резистора в цепи питания микросхемы (раздел 3.3).

Второй вариант замены показан на рис.61. В этом случае необходимо добавить ключ на полевом п - канальном транзисторе с индуцированным каналом и изолированным затвором КР1014КТ1А,В, подключив его параллельно выходу диодного моста.

Импульсы, управляющие работой ключа, подаются на затвор транзистора с выхода ИК ИС и полностью соответствуют техническим условиям, принятым в отечественных

телефонных сетях, так как ИС КР1014КТ1, в

режиме насыщения, имеет сопротивление менее 50 Ом.

Рис.61

5.2. ЗАЩИТА И ДОРАБОТКА ТА

Амплитуда посылок сигнала индукторного вызова достигает 120В, а на некоторых станциях и 200В. Именно это напряжение представляет наибольшую опасность для электронной начинки телефона. При снятии трубки во время звонка напряжение посылок индукторного вызова может вывести из строя основные элементы схемы ТА, такие как импульсный ключ, микросхему, электретный микрофон. Прн этом разрушительное воздействие вызывает не само напряжение, а токи превышающие предельно допустимые значения при его повышении. 5.2.1 ЗАЩИТА ИС

Самым слабым местом в ИС является выход импульсного ключа. Для ИС ТА пробой выходного транзистора ИК ИС с открытым стоком наступает при напряжении от 18 вольт. Естественно напрашивается простейший способ - ограничить напряжение воздействия на выход ИК ИС, которое может появиться на нем при пробое транзисторов ИК или снятии трубки во время звонка. Итак:

1способ

Между нулевой шиной и выходом ИК ИС включается стабилитрон с напряжением стабилизации 13-15 вольт (рнс.62).

Но этот способ защиты не дает гарантий полной выход и к, вход и к

МИКРОСХЕМ

надежности, поскольку при пробитом коллекторномVD1

переходе транзистора VT1 импульсного ключа и попытке- •

набора номера через открытый выходной транзистор ИК-

ИС пойдет весь ток линии, что моментально приведет кРис.62

выходу из строя микросхемы.

2способ

Гарантированную защиту выхода ИК ИС дает использование дополнительного транзистора, включенного по схеме Приведенной на рис.63.

Транзистор VT1 включен по схеме эмиттерного повторителя. Когда открытый сток выхода ИК микросхемы находится в высоконмпендансном состоянии, переход эмиттер-коллектор транзистора заперт. При наборе номера исток ИК ИС подключается к обшей шине. Ток, протекающий через резистор R1 (рис.44) и переход база-эмиттер открывает, транзистор VT1, который подключает вход ИК на землю, запирая последний.

Если к эмиттеру транзистора VT1 (рис.61), по любой причине, будет приложен высокий потенциал, то при появлении малейшего тока в цепи: - эмиттер-база транзистора VT1;

схемы

. 14В

резистор Rl; сток выходного транзистора ИК ИС; вхо& и к

корпус, транзистор VT1 открывается и весь ток отводится на корпус. Это исключит выход из строя

микросхемы. Величина резистора R1 не должна входис 4- J ££сгзогЕ

схемы

vtJ. vt 1

превышать 0,1 величины Rl(pHc.44), так как потенциал на базе VT1 может превысить порог запирания ключевых транзисторов.

Такой способ защиты весьма эффективен иРис.63

позволяет снимать трубку даже во время междугородного звонка, если конечно защищены транзисторы ИК.

Междугородный звонок, при отсутствии описанной защиты, наиболее опасен для ТА из-за повышенной частоты следования высоковольтных посылок вызывного сигнала, что повышает вероятность снятия трубки во время прохождения последнего.

Для ИС с логическим выходом ИК,уп, сдзггв

перечисленные способы не подходят, так как выход и к,-i N вход и с

. ... МИКРОСХЕМ1-1KI 7СХЕМЫ

напряжение выхода ИК ИС не превышаетrS иг

напряжения питания ИС В этом случае, лучшеU

всего, выход ИС включить через диод, как показано на рис.64. Для обеспечения надежного запирания транзистора VT1 при напряжении низкого уровня на

выходе ИК ИС с базы последнего на корпус необходимо включить резистор сопротивлением порядка 100-300 кОм.

Микросхему ТА можно также защитить и по цепи питания. Для этого необходимо со входа питания ИС на корпус включить стабилитрон с напряжением стабилизации 3,9 - 4,7В (КС 139AJ; КС 147А,Г). В этом, как правило, нет необходимости, так как при надежно защищенном выходе ИК микросхемы практически не выходят нз строя по питанию, благодаря внутренней защите.

522 ЗАЩИТА ИК

Сравним параметры отечественных и импортных транзисторов наиболее часто используемых в схемах ИК:

предельные значения

Шэ (В)Ik max (mA)Рк max (Вт)

2N5551 2501000.2

КТ503Е 1001500.35

2N5401 1501000.2

КТ502Е 901500.35

Предельно допустимое значение напряжения импортных транзисторов значительно превышает аналогичный параметр отечественных и они кажутся на первый взгляд более надежными, однако это не так. Практика показывает, что импортные транзисторы выходят из строя довольно часто, чего нельзя сказать об указанных отечественных, успешно используемых для их замены. Причина в том, что в следствие бросков напряжения, возникающих при наборе номера, а равно воздействия высокого напряжения индукторного вызова возникает превышение предельных значений постоянного тока коллектора и предельно допустимой постоянной рассеиваемой мощности, которые несколько выше у отечественных транзисторов.

Если в линии отсутствуют броски напряжения, а трубку Вы снимаете всегда во время паузы между звонками, Ваш телефон будет длительное время работать исправно. И тем не менее не следует рисковать, тем- более, что способы защиты весьма просты и не трудоемки.

На рис.65 и 66 приведены схемы подключения защитного элемента, в качестве которого можно использовать стабилитрон или варнстор.

Основное назначение защитного элемента - ограничить броски напряжения в линии до величины, не превышающей допустимых значений параметров транзисторов ИК.

Стабилитрон необходимо использовать с напряжением стабилизации от 70 до 100В ( КС568В, КС582В, КС591А, КС596В ).

Варистор представляет собой полупроводниковый резистор сопротивление которого, изменяется в зависимости от приложенного напряжения. Вариеторы желательно использовать на напряжение 100 - 180В (СН 1-2-1).

Вариеторы с напряжением ниже 100В применять не рекомендуется, поскольку это может вызывать сбои при наборе номера. Стабилитрон илн варнстор нужно включать только после микропереключателя иначе, после первой же посылки сигнала индукторного вызова - ваш абонент услышит короткие гудки.

5.2.3 ДОРАБОТКА РАЗГОВОРНОГО УЗЛА

И 4. 71 2п„ „л

схему усиления и согласования

Если выполнена защита микросхемы и транзисторов ИК, то никаких специальных методов защиты разговорного узла применять не надо.

Цель доработки - улучшить потребительские параметры ТА исходя из принципа -хорошо слышу я, хорошо слышат меня. Эта цель достигается улучшением характеристик микрофонного и телефонного усилителей.

Качество работы микрофонного усилителя очень сильно зависит от типа применяемого микрофона. Если в Вашем телефоне установлен электромагнитный микрофон (Рис.67), то улучшить работу схемы можно лишь заменив его на электретный (Рис.68), обладающий значительно лучшими параметрами. В некоторых случаях этого бывает достаточно для того, чтобы Вас слышали хорошо.

ЕслиРие-67

уровень

сигнала микрофона остался неудовлетворительным,необходимо согласовать выходное сопротивление микрофона со входным сопротивлением микрофонного усилителя посредством эмиттерного повторителя приведенного на Рнс.69.

Эта необходимость обусловлена тем, что выход электретного микрофона, выполненный на полевом транзисторе, обладает высоким сопротивлением соизмеримым со входным сопротивлением усилителя, в результате чего, образуется как бы делитель напряжения, ослабляющий сигнал.

НА СХЕМУ "СИЛЕМИЯ И СОГ ЛАСО1А Н

Рис.68