 |
Литература: Программирование и ремонт Импульсные блоки питания Неисправности и замена Радиоэлектронная аппаратура Микросхема в ТА Рубрикатор ТА Кабельные линии Обмотки и изоляция Радиоаппаратура Гибкие диски часть 2 часть 3 часть 4 часть 5 Ремонт компьютера часть 2 Аналитика: Монтаж Справочник Электроника Мощные высокочастотные транзисторы 200 микросхем Полупроводники ч.1 Часть 2 Алгоритмические проблемы 500 микросхем 500 микросхем Сортировка и поиск Монады Передача сигнала Электроника Прием сигнала Телевидиние Проектирование Эвм Оптимизация Автомобильная электроника Поляковтрансиверы Форт Тензодатчик Силовые полевые транзисторы Распределение частот Резисторные и термопарные Оберон Открытые системы шифрования Удк
[7]
Характер неисправности | Вероятная причина | Способ отыскания неисправности |
Не набирается номер, гудок не прерывается | 1.Пробит один или оба транзистора в импульсном ключе. 2.Пробит транзистор импульсного ключа и выход ИК микросхемы. 3.Пробит защитный стабилитрон. 4.Пробит диод моста. | Если при попытке набора номера в трубке слышны щелчки, следовательно пробит один или оба ключевых транзистора импульсного ключа. Если щелчки при наборе не прослушиваются и напряжение в точке КТ1 равно нулю - это свидетельствует о выходе из строя микросхемы, но при этом необходимо убедиться в исправности импульсного ключа. Для проверки последнего подключите базу первого транзистора ИК на землю. Если один из транзисторов пробит напряжение на линии изменится незначительно. Исправные транзисторы при этом закроются, в результате чего напряжение на линии поднимется до 6РВ. Если разговорный узел при подключении базы первого ключевого транзистора на землю отключится (пропадет гудок), но при этом напряжении линии будет менее 60В -это свидетельствует о том, что пробит защитный стабилитрон на напряжение 100В устанавливаемый некоторыми фирмами на выходе диодного моста или один из диодов моста. Пробой диода моста легко обнаружить не выпаивая его из схемы. Для этого достаточно поменять местами клеммы подключения телефона к линии, так как при этом обратное напряжение будет держать другая пара диодов моста. Следует отметить, что диоды моста выходят из строя крайне редко. |
Таблица 3.2
Характер неисправности | Вероятная прич"г.\1а | Способ отыскания неисправности |
Телефон не работает, нет гудка. При наборе номера происходит прерывание после первого набранного импульса. При наборе номера набираются не все цифры. [ | 1.Пробит выход ИК микросхемы. 2.Нет контакта в цепи от клемм подключения телефона к линии. 1. Неисправен фильтрующий конденсатор схемы питания ИС. 1.Обрыв в шлейфе соединяющем плату микросхемы с платой клавиатуры. 2.Неисправна микросхема. | Необходимо проверить напряжение на входе ключевых транзисторов (точка КТ1) и выходе ИК микросхемы (точка КТЗ). Если напряжение ь ТОчКе КТ1 близко к 60В, а в точке КТЗ близко к нулю, значит Транзисторы заперты потенциалом корпуса, поступающим через пробитый выход ИК микросхемы. Убедиться в этом можно отпаяв выход ИК микросхемы или перерезав дорожку печатной платы, ведущую к базе первого транзистора импульсного ключа. В результате чего, при неисправной микросхеме, разговорный узел подключится к линии (появится гудок). Если напряжение на входе ключевых транзисторов отсутствует, необходимо проверить цепь от клемм подключения линии до транзисторов импульсного ключа. Особое внимание следует обратить на микропереключатель. Измерить напряжение на входе питания микросхемы. Оно должно быть в пределах плюс-минус 1В от номинального значения. Если при отключении телефона от линии напряжение сразу падает до нуля, следовательно конденсатор неисправен. Проверить шлейф соединяющий плату микросхемы с платой клавиатуры. Если шлейф исправен и платы не имеют механических повреждений значит неисправна микросхема. |
X
я
ГГ
я o. с к я
1
ОС
a
о.
* pa
X \c
<° ? ft g
a, s
о
4
с
ь
g §
сж
о£
я2
5а
я S ш
S
a с
2 S
Я Я
й е-
О. С
g 5
3 о в р,
Р Я
о о 2 sis
ю ч
В О <D
Яна о, и, 3
Ч(П
s Ы
г»
€ 2
>> с S ж
5 Я
с
8
8.
Я
я £
S со
2 я я
Я X
ья
SЧ
*ю
я.
XО,
S §*
§ § § S
О- >я И о О I X ч
я
о- с U о
2
о
X
« 2
с я
н
X
I
я н я 3 3
ч
я)
5.1.4. ЗАМЕНА МИКРОСХЕМЫ
Вы убедились, что микросхема вышла из строя и перед Вами встает вопрос, - "Чем ее заменить?". Заменить можно как зарубежными, так и отечественными ИС ЭНН, получившими широкое распространение такими, как: КР1008ВЖ1, КР1008ВЖ5, КР1008ВЖ7 и микросхемами КР1008ВЖ6, КР1008ВЖ10, КР1008ВЖ11, КР1008ВЖ14, пока не выпускаемыми серийно.
В приложении (рис.23.1,2,3) приведена поколевка микросхем ЭНН. Микросхемы, перечисленные под каждым рисунком, полностью взаимозаменяемы и явдяются практически полными аналогами. Кроме того, многие микросхемы условно взаимозаменяемы, т.е. заменяемы с небольшими доработками. Возможность такой замены, а также необходимые изменения и дополнения, приведены в таблице 4.
Таблипа 4.1
Микросхема | Возможная замена | Необходимые изменения в схеме при замене |
KS5805A KS58C05 ЕТ40992 BU8992 НМ9100А1 MK50992N | KS5805B | 1. Поскольку в ИС KS5805B отсутствует внутренний источник опорного напряжения, необходимо, между входом питания (вывод1) и корпусом (выводб) установить стабилитрон с напряжением стабилизации 3-4В (КС133Г; КС139А,Г). |
КР1008ВЖ10 | KS5851 КР1008ВЖ11 | 2. Изменить параметры частотозадающей пепи встроенного генератора путем увеличения сопротивления резистора подключенного к выводу 9 микросхемы в 1.8 раза. |
WE9192B CIC9192BE | 3. Так как ИС WE9192B и CIC9192BE имеют 16 выводов, то первый вывод микросхемы нужно припаять на первую контактную площадку выпаянной ИС. Контактную площадку 11 выпаянной ИС отсоединить от корпусной шины и соединить перемычкой с контактной площадкой 9 выпаянной ИС. | |
КР1008ВЖ14 | 4. Выполнить пункт 3. Отсоединить вывод 10 ИС КР1008ВЖ14 от других цепей и подключить его к нулевой шине (вывод 6). | |
ЕТ40982 HD970040D MK5173AN LR40981A TR50981AN | 5. а) Отсоединить контактную площадку 11 выпаянной ИС от корпусной шины и соединить ее с плюсом питания микросхемы (вывод 1). Выпаять резистор подключенный к контактной плошадке 7 и конденсатор подключенный к контактной площадке 8. б) От контактных площадок 7 и 8, на место резистора и конденсатора, установить конденсаторы емкостью по 100 пФ каждый. Между выводами 7 и 8 припаять дроссель индуктивностью 26мкГн. Противоположные выводы конденсаторов соединить с корпусной шиной (вывод 6). |
Таблица 42
Микросхема | Возможная замена | Необходимые изменения в схеме при замене |
KS5805B | KS5805A НМ9100А1 ЕТ40992 MK50992N BU8992 КР1008ВЖ10 | 6. Вывод 2 ИС подсоединить к нулевому проводу (вывод 6). |
KS5851 КР1008ВЖ11 | 7. Выполнить пункты 2 и 6. | |
WE9192B CIC9192BE | 8. Выполнить пункты 3 и 6. | |
КР1008ВЖ14 | 9. Выполнить пункты 4 и 6. | |
ЕТ40982 HD970040D MK5173AN LR40981A TR50981AN | 10. Выполнить пункты 5 и 6. | |
KS5851 КР1008ВЖ11 | KS5805A НМ9100А1 ЕТ40982 MK50992N BU8992 КР1008ВЖ10 | 11. Изменить параметры частотозадающей цепи генератора ИС путем уменьшения сопротивления резистора подключенного к выводу 9 ИС, в 1.8 раза. |
KS5805B | К. Выполнить пункты 1 и 11. | |
WE9192B CIC9192BE | 13. Выполнить пункты 3 и 11. | |
КР1008ВЖ14 | 14. Выполнить пункты 4 и 11. | |
ЕТ40982 HD970040D MK5173AN LR40981A TR50981AN | 15. Выполнить пункты 5 и 11. | |
WE9192B CIC9192BE | KS5805A НМ9100А1 ЕТ40992 MK50992N BU8992 КР1008ВЖ10 | 16. ИС WE9192B и CIC9192BE имеют 16 выводов, но как правило на платах ТА, где они установлены, предусмотрены дополнительные площадки для ИС с 18 выводами. Снять перемычку между контактными площадками 9 и 11, на плате ТА и установить перемычки с контактных площадок 10 и 11 на корпусную шину (вывод 6). |
KS5805B | 17. Выполнить пункты 1 и 16. | |
КР1018ВЖ14 | 18. Выполнить пункт 4, без пункта 3. | |
ЕТ40982 HD970040D LR40981A MK5173AN TR50981AN | 19. Выпаять резисторы подключенные к выводам 7 и 9 и конденсатор, подключенный к выводу 8. Вывод 9 соединить с плюсом питания ИС (вывод 1). Выполнить пункт 56. |
Таблица 4.3
Микросхема | Возможная замена | Необходимые изменения в схеме при замене |
ЕТ40982 HD970040D MK5173AN LR40981A TR50981AN | KS5805A НМ9100А1 ЕТ40992 MK50992N BU8992 КР1008ВЖ10 | 20. а) Заменяемые ИС ЕТ40982, HD970040D и тд. имеют 16 выводов, но как правило, на плате ТА предусмотрены дополнительные контактные площадки для ИС с 18 выводами. Отсоединить контактную площадку 11 от плюса питания ИС. Контактные площадки 10 и 11 соединить с корпусной шиной микросхемы (вывод 6). б) Выпаять конденсаторы и дроссель подключенные к контактным площадкам 7 и 8. С вывода 7, на место конденсатора, установить резистор сопротивлением 2.2мОм. С вывода 8, на место второго конденсатора, установить конденсатор емкостью 390 пФ. От вывода 9, к общей точке предыдущих элементов, установить резистор сопротивлением 240кОм. Общую точку этих трех элементов отсоединить от корпусной щины. |
KS5805B | 21. Выполнить пункты 1 и 20 | |
WE9192B CIC9192BE | 22. Отпаять вывод 9 ИС от плюса питания. Выполнить пункт 206. | |
КР1008ВЖ14 | 23. Выполнить пункты 18 и 22. | |
UM91611 VT91611 WE9110 STC2560C М2561АВ LC7350 | UM91610A | 24. Отсоединить вывод 15 микросхемы от всех других цепей схемы. |
UM91610A | UM91611 VT91611 WE9110 STC2560C М2561АВ LC7350 | 25. Соединить вывод 15 ИС с корпусной шиной (вывод 10). |
КР1008ВЖ1 | КР1008ВЖ5 КР1008ВЖ7 | 26. Изменить параметры частотозадающей цепи генератора ИС путем увеличения сопротивления резистора, подключенного к выводу 9 в 3 раза. Вывод 15 отсоединить от других цепей схемы и соединить с корпусной шиной (вывод 17). Вывод 6 отсоединить от других цепей схемы и подключить в точку, где ранее был подключен вывод 15. При замене ИС на КР1008ВЖ5 Ваш телефон будет обладать дополнительной памятью на 10 номеров. |