ct

HI 1n*

э.эк *25DB vDa-VDS

C2

VD6 J2mk • . . N Z7B X50B

ЛИНИЯ-<

0*1 CA2411

SM RINGER OFF LOW ON

-4-

2 51.

VD6

R6 6,9k S

CS Ojmk

TI BF 1

i--- - R6 6,9k J f-Т.

Рис31

установкой переключателя в положение OFF. При отключенном звонке вызывной сигнал будет индицироваться светодиодом VD6.

32. СХЕМА "ОТБОЙ"

ic аиоаному

МОСТУ

"ОТБОЙ"- функция, осуществляющая начальную установку ИС ЭНН в режим готовности к набору, повтору номера или к работе с внутренней памятью ИС.

Следует отметить, что у всех зарубежных и отечественных ИС ЭНН функция "ОТБОЙ" осуществляется подачей высокого уровня на вход HS.

В соответствии с логикой работы ИС, схема "ОТБОЙ" обеспечивает поддержание высокого уровня (лог.1) на входе HS в дежурном режиме, т.е. когда трубка уложена на аппарат, и низкого уровня (лог.О) в разговорном режиме или при наборе (повторе) номера, т.е. когда трубка снята.

Низкий уровень на входе HS разрешает работу ИС ЭНН, при высоком уровне на входе HS набор номера невозможен.

НА СХЕМУ ТЕ 1Е«0Нк

I R2 22k

Рис32

К ДИ ОДНОМУ МОСТУ

НА СХЕМУ ТЕЛЕФОНЛ

М И К РОСХ ЕМЫ

Существуют две основные разновидности схем "ОТБОЙ" (рис3233). При двухпозиционном переключателе (Рис.32) схема "ОТБОЙ" представляет собой делитель напряжения, состоящий из двух резисторов. Если переключатель находится в положении "отбой" к делителю приложено напряжение линии - 60В. При номиналах резисторов указанных на схеме, с делителя на вход HS ИС снимается напряжение - 2.7В. Если переключатель находится в положении "разговор", через резистор R2, соединенный с нулевой шиной, на входе HS ИС поддерживается низкий уровень.

Следует отметить, что

напряжение на входе HS ИС не может превышать напряжение питания микросхемы более чем на 0.6В, так как этот вход соединен со входом питания ИС через встроенный диод, выполняющий функцию защиты ИС от перенапряжения на входе HS.

Рис.33

к пиопному„ мосту

НА СХЕМУ ТЕЛЕФОНА

R1

oak

R2 ZZk

На рисЗЗ приведена схема "ОТБОЙ", в которой используется однопозипионный переключатель. Когда переключатель разомкнут, т.е. находится в положении "отбой", база транзистора VT1 через резистор R2 подключена к нулевой шине, что обеспечивает надежное запирание транзистора.Высокий уровень на входе HS ИС поддерживается напряжением питания ИС (+ЗВ) через резистор R3.

Когда переключатель замкнут, т.е. находится в положении "разговор", ток задаваемый резистором R1 открывает транзистор VT1. Открытый транзистор подключает вход HS ИС к нулевой шине, обеспечивая на нем низкий уровень, разрешающий работу микросхемы.

На рис.34 приведена некорректная схема "Отбой", которая может встретиться в ТА низкого класса и может стать причиной неправильной работы ТА.

Рис34

33 СХЕМА ПИТАНИЯ ИС НОМЕРОНАБИРАТЕЛЯ

ал

ВВС

Питание микросхем ЭНН осуществляется от линии АТС и обеспечивает работу ИС при наборе номера, а также в разговорном режиме. В режиме "ОТБОЙ", при уложенной на рычаг трубке, схема питания ИС обеспечивает питание ОЗУ микросхемы.

Схема питания состоит из двух узлов - внутреннего и внешнего.

Внутренний узел определяется структурой построения ИС. Он может быть выполнен как с источником опорного напряжения (ИОН), в простейшем случае - внутренний стабилитрон (гл.2.2 рис.15), так и без него (гл.2.2 рис.20). Значение рабочего тока стабилитрона приведено в таблице 1 (1вн.ст.).

Внешний узел обеспечивает подачу на питающий вывод микросхемы (VDD) номинального напряжения. Построение схемы внешнего узла, как правило, зависит от наличия в ИС ИОН.

Если ИС имеет ИОН (см.рис.15) питание ее осуществляется по одной из схем, приведенных на рис.35-37. На рис.35 питание подается со входа импульсного ключа, а на рисЗб - с его выхода. Резистор R1 в обоих случаях задает ток встроенного ИОН величина которого лежит в пределах 0.1 - 1.0 тА в зависимости от типа микросхемы (см.табл.1). Конденсатор С1 поддерживает питание ИС во время следования импульсов набора. Емкость конденсатора должна быть не менее предотвращает разряд конденсатора по другим цепям схемы.

Следует отметить, что резистор R1 (Рис.35) в некоторых

3 7 VD 1

10

: С1 "lOmk. X ЮВ

Рис35 мкФ. Диод VD1

R t 4,7k

С 1 mk Х1 0В

случаях (если сопротивление его разговорный менее 68кОм) может служить у 3 Е " причиной сбоев при наборе номера, так как в этом случае будет оказывать шунтирующее воздействие при разомкнутом шлейфе линии.

В схеме, приведенной

на рис37, питание на микросхему подается как со входа, так и с выхода ИК. Это обеспечивает более устойчивую работу микросхемы за счет того, что снижение напряжения питания на ИС,

РисЗб

Я2 100k

в момент замыкания ИК, компенсируется меньшим сопротивления ограничивающего резистора R1.

Если в схеме отсутствует ИОН, ток ЭЛ1

параллельно конденсатору CII

включается стабилитрон, как показано на рис38.

Способ питания ОЗУ ИС зависит от типа используемой схемы "ОТБОЙ". Если схема "ОТБОЙ" выполнена как показано на рис.32, питание ОЗУ осуществляется через переключатель SBl,pe3HCTop R1 и внутренний диод ИС соединяющий вход HS со входом питания (VDD).

SA1

НА ДИОДНЫЙ

РАЗГОВОРНЫЙ УЗЕЛ

"Г*

: С1

юте хюв

Рис37

мост

И1

1 ом

яз

2701:

: С1 47гак

X 1 DV

ft

a.gv

НА

диодный мост

VT1 h ) КЖ101 А

РАЗ roBOPHLIPI

у эе л

Рис38

VT7 VrD1

КП322Б

При использовании схемы "отбой", приведенной иа рисЗЗ, питание ОЗУ, при уложенной на рычаг трубке, обеспечивает резистор сопротивлением порядка 10 кОм, включенный между плюсовым выводом диодного моста и выводом питания ИС, как это показано на рис.38.

В схемах питания отечественных ТА часто используется микромощный стабилитрон КС101А (рис39). Рабочий ток стабилитрона задает источник тока на полевом транзисторе КЖ101А. Режим источника тока устанавливается резистором R1.

3.4 ИМПУЛЬСНЫЙ КЛЮЧ

Импульсный ключ (ИК) - элемент схемы ТА, непосредственно формирующий при наборе номера токовые и бестоковые посылки, которые управляют работой коммутационных устройств АТС, осуществляющих соединение абонентов.

К импульсным ключам предъявляются довольно жесткие требования. Они должны обеспечивать:

-коммутацию постоянного напряжения - 70В при индуктивной нагрузке (обмотки реле АТС);

-коммутацию тока до 100 mA;

-выдерживать воздействие напряжения 220В длительностью до Юме (в случае, когда телефонная трубка снимается во

НА

д иоаный мост

22D-4TDE

НА ИК

МИКРОСХЕМЫ

НА МИКРОФОН

РАЗГОВОРНЫЙ УЗЕЛ

Рис.40

относительно большое

диодный мост

время поступления вызывного сигнала);

-требуемые параметры ТА в режиме набора номера и разговорном режиме;

-минимальное потребление мощности по управляющей цепи. В импортных ТА, как правило, применяются

две разновидности схем ИК, в которых в качестве элементов коммутации используются высоковольтные биполярные транзисторы. На рис.40 и 41 показаны схемы импульсных ключей для микросхем ЭНН, у которых выход ИК выполнен с открытым истоком.

На схеме рйс.40 транзисторы включены по схеме Дарлингтона. Основное преимущество такой схемы - большой коэффициент усиления по току, что позволяет снизить потребление тока управляющей цепью, а, следовательно, и номеронабирателем в целом. Недостаток падение напряжения иа ключе в режиме насыщения (1.5-2В).

В ряде схем ТА импульсный ключ, собранный по такой схеме, во время разговора используется в качестве усилителя сигнала микрофона, который подается через конденсатор емкостью 20н на базу первого транзистора. Эта возможность обусловлена тем, что при наличии на выходе ИК высокого уровня, что имеет место во время разговора абонентов, высокое выходное сопротивление ИС практически не оказывает влияния на передачу звукового НЧ сигнала от микрофона в линию.

На схеме рис.41 приведена двухкаскадная ключевая схема ИК, которая наиболее часто используется в аппаратах более высокого класса. Транзистор VT2 формирует импульсы набора номера (средний ток коллектора в режиме насыщения составляет порядка 35mA), a VT1 согласует выход ИК ИС со входом ключа на транзисторе VT2. Резистор R2 обеспечивает надежное запирание транзистора VT2. Резистор R1 задает начальное смещение на базу транзистора VT1, a R3 ограничивает ток базы VT2.

При использовании этой схемы, падение напряжения на ключе в режиме насыщения составляет порядка 0.1-0.2В.

Схема ИК (рис.42) работает аналогично приведенной на рис.41, но применяется при использовании ИС ЭНН с логическим выходом ИК.

В отечественных ТА в качестве элементов коммутации, как правило, используется микросхема КР 1014 КТ1А(В). Она представляет собой токовый ключ на полевом n-канальном транзисторе с индуцированным каналом и изолированным затвором (см.раздел 6) и обеспечивает: малое сопротивление в режиме насыщения, возможность работы практически ие потребляет ток цепи управления.

При подаче на исток полевого транзистора (выводы 4,5) отрицательного по

РАЗ Г ОВОРНЫЯ УЗЕП

Рис.41

НА ИК МИКРОСХЕМЫ

РАЗГОВОРНЫЙ УЗЕЛ

Рис.42

на индуктивную нагрузку

отношению к стоку (выводы 23,6Д) л и ни я 1, напряжения транзистор ведет себя как диод. Эта особенность используется в схеме ИК рис34, где ключевые элементы используются одновременно как плечи диодного моста.

Справочные данные потранзисторам, используемым в схемах ИК, и возможные микросхемы взаимозамены, а также их отечественные аналоги приведены в 6 разделе.

VT1 КР1ПМКТ1

vol

-и-

VTI КР1014КТ1

г

3.5 РАЗГОВОРНЫЙ УЗЕЛ

Рис.43

150k 1 Dink X16В

BP 1

Разговорный узел в своем составе имеет:

-усилитель сигнала микрофона;

-усилитель НЧ сигнала принимаемого с линии;

-противоместную схему;

-схему питания разговорного узла.

На рис.44 приведена одна из самых распространенных схем разговорного узла, применяемая в телефон-трубках и ТА настольного типа, в сочетании с различными микросхемами ЭНН.

В приведенной схеме импульсный ключк SB1

одновременновыполняети

функцию усилителя сигнала микрофона, что ймПУЛЬсний возможно только при ключ

микросхемы

использовании ИС ЭНН, ИК которых имеет выход с открытым стоком.

База транзистора VT1 подключена как к выходу микрофона, через разделительный конденсатор емкостью

20иФ, так и к выходу ИК ИС ЭНН. Когда на выходе ИК ИС высокий уровень, транзисторы VT1 и VT2 выполняют функцию усилителя сигнала микрофона. Это обусловлено тем, что выходной транзистор ИК ИС находится в закрытом состоянии и его сопротивление по отношению к корпусу настолько велико, что им можно пренебречь и считать, что пепь находится в разрыве, т.е. выход ИК ИС как бы отключен от базы транзистора VT1. В этом случае начальное смещение на базу VT1 задается резистором R1, а усиление каскада по току резистором R5.

Речевые колебания преобразуются в электрический НЧ сигнал электретным микрофоном, рабочий ток которого (0.25-1.0 шА) задается резистором R2. От величины рабочего тока зависит уровень сигнала микрофона.

Итак, НЧ сигнал с микрофона через разделительный конденсатор С1 поступает на

Рис.44

базу составного транзистора VTI, VT2, коллекторной нагрузкой которого является Яатс (см.гл.1 рис.4). На эмиттере VT2 НЧ сигнал повторяет входной по форме н напряжению. С коллектора VT2 усиленный по напряжению, но противофазный входному, сигнал передается в линию ко второму абоненту.

Синфазный сигнал с эмиттера и противофазный сигнал с коллектора VT2 , проходя через резисторы соответственно R3 и R4, которыми устанавливается соотношение амплитуд для наилучшего подавления местного эффекта, складываясь в точке А, взаимоподавляются. Этим достигается значительное снижение слышимости своего голоса при разговоре. Такое включение резисторов и транзистора в ТА, получило название противоместной схемы.

НЧ сигнал второго абонента, с линии, через открытый транзистор VT2 и резистор R4 поступает в точку А, где складывается с синфазным сигналом, поступающим по другой

ветви через R3, и через разделительный конденсатор С2 подается на базу транзистора VT3.

Транзистор VT3, включенный по

Рис.45

НА

РАЗГОВОРНЫЙ ключ

R 1 П Lt с1 i,6k =F ->DDmk У хюв

1

r3 360

С2 40п

. 7П 1

1R2 г, 2м

О

vt2

на i к

О

о

вм 1

vt1 сэ d 14

f R7

вг

да

22

схеме с общим эмиттером, усиливает сигнал по напряжению, а VT4, представляя собой эмиттерный повторитель, по току: С эмиттера через разделительный конденсатор СЗ усиленный сигнал подается на динамическую головку BQ1. Резистор R7, включенный в цепь отрицательной обратной связи, задает ток смещения на базу транзистора VT3. Резисторы R8

Ф 01

4

r4 220

27 0

Г

т

сз

ЭЭгпк х 10в

Рис.46

R9 являются

соответственно коллекторной и эмиттерной нагрузками транзисторов VT3 и VT4.

Напряжение питания (порядка 3 В)и

телефонного усилителя и электретного микрофона снимается с резистора R6.

При использовании электромагнитного микрофона, для вхоо с обеспечения нормальной слышимости и п роти воместнои 1. разборчивости, в схему вводится схемы дополнительный усилитель, включенный по схеме с общим эмиттером (рнс.45).

В этом случае резистор R2 (рис.44) выполняет функцию коллекторной нагрузки транзистора VT5, резистор R3 задаетРис.47

начальное смещение на базу. Конденсатор

С1 - разделительный, а резистор R1 служит для устранения возбуждения усилителя.

На рис.46 приведена еще одна разновидность разговорного узла, используемого схемах ТА, в которых ИК выполнен по одной из схем приведенных на рис.41,42,43.