Ремонт принтеров, сканнеров, факсов и остальной офисной техники


назад Оглавление вперед




[2]

YO XZ XT XO N5AZ CV N5A.1 HS IPS М/S N5 1 -3>--5jg>--6----ф-

СХЕМА ОПРОСА КЛАВИАТУРЫ

ФОРМИРОВАТЕЛЬ ПЕРИОДА НАБОРА

КОПЕР

Ж

АНАЛИЗАТОР КЛАВИАТУРЫ

-ф-фь-н

КОДО-ВРЕМЕННОЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ

ФОРМИРОВАТЕЛЬ ВЫХОДНЫХ СИГНАЛОВ

ГЕНЕРАТОР

U1НС

Рис.20

При подаче напряжения питания все узлы ИС устанавливаются в исходное состояние. При нажатии на одну из кнопок клавиатуры включается тактовый генератор и схема опроса клавиатуры, которая формирует на выводах 19,20,21 последовательности импульсов с частотой 200 Гц и скважностью 3, которые сдвинуты по фазе (рис.19).

Рис.19

При этом одна из последовательностей через нажатую кнопку поступает на соответствующий вход микросхемы 22,1,2,5, преобразуется кодером в двоичный код и поступает на вход оперативно запоминающего устройства (ОЗУ). Анализатор при этом устраняет дребезг и устанавливает истинность нажатия кнопки. При истинном нажатии он формирует сигнал разрешения преобразования и импульс записи двоичного кода цифры в ОЗУ. Одновременно срабатывает кодо-временной преобразователь, преобразуя код поступающий со схемы программирования межсерийной паузы (в формирователе периода набора) во временной интервал, соответствующий длительности межсерийной паузы.

По окончании этого интервала кодо-временной преобразователь формирует сигнал разрешения считывания из ОЗУ кода набранного числа. Этот код, поступив в кодо-временной преобразователь, также преобразуется во временной интервал. На время этого интервала снимается удержание с триггеров формирователя выходных сигналов и на ЛОГИЧЕСКОМ выходе 12 ИС ("ИМПУЛЬСНЫЙ КЛЮЧ") появляется последовательность импульсов частотой 10 Гц. Число импульсов соответствует номеру нажатой кнопки.

После отработки набранной цифры генератор выключается. На протяжении временного интервала межсерийной паузы и временного интервала, сформированного по коду набранной цифры, на выводе 16 (РАЗГОВОРНЫЙ КЛЮЧ 1) удерживается низкий уровень.


На выводе 18 (РАЗГОВОРНЫЙ КЛЮЧ 2) низкий уровень удерживается только на период следования импульсов набора.На выводе 10 (КЛЮЧ ПОДПИТКИ) иа период следования импульсов набора устанавливается высокий уровень.обеспечивающий при необходимости подпитку ОЗУ ИС.

ИС приводится в исходное состояние подачей на вход 15 ("ОТБОЙ") напряжения высокого уровня. Временная диаграмма работы ИС приведена на рис.21.

На выводе 4 анализатор ИС формирует короткие серии импульсов частотой 2.4 Кто и длительностью 0,05 сек при каждом истинном нажатии кнопки. После 22 нажатий при нажатии любой кнопки на этом выводе появляется непрерывный сигнал с указанной частотой.

ИС КР1008ВЖ1 позволяет изменять длительность межсерийной паузы (МСП) и значение импульсного коэффициента. Изменение этих параметров осуществляет формирователь периода набора при изменении управляющих воздействий на входах программирования межсерийной паузы 14 и программирования импульсного коэффициента 13. Эти параметры могут принимать следующие значения:

Межсерийная пауза- при уровне "0" на выводе 14- 840 тс,

-при уровне "1" на выводе 14- 740 тс;

-при соединении вывода 14 с выводом 8 ИС- 640 тс. Импульсный коэффициент - при уровне "0" на выводе 13- IS;

-при уровне "1" на выводе 13- 2.0;

-при соединении вывода 13 с выводом 8 ИС- 23;

-при соединении вывода 13 с выводом 9 ИС- 1.0. Плюс питания подается на вывод 6 ИС (U1); вывод 17 - минус соединяется с общим

проводом (корпус); через вывод 3 (U2) осуществляется подпитка ОЗУ в дежурном режиме, т.е. когда трубка лежит на аппарате.

Сравнивая две структурные схемы несложно заметить, что их функциональное построение сходно. Но, вместе с тем, они имеют ряд существенных отличий в частотах тактовых генераторов, сигналах управления клавиатурой, выходных сигналах и разные функционально-сервисные возможности. Подробнее остановимся на различиях выходных сигналов, которые определяются отнюдь не страной - производителем, а принципом построения ИС для ее использованием в той или иной схеме. На диаграммах рис.22 приведены формы выходных сигналов ИК и РК для различных групп микросхем.

По сигналам формируемым выходами ИК различных микросхем их можно разделить на две группы, первая из которых формирует импульсы набора отрицательной, а вторая -положительной полярности. Это заметно сказывается на качестве работы ТА при некорректной замене ИС, так как при последней приводит к изменению импульсного коэффициента и, как следствие, частым неправильным соединениям абонентов. Различие выходных сигналов ИК определяемое положением межсерийной паузы несущественно и ии как не отражается на качестве работы ТА.

Сигналы формируемые выходами РК делятся на три группы. Первая группа - сигналы отрицательной полярности по длительности равные периоду набора одной цифры; вторая -сигнал отрицательной полярности по длительности равный периоду набора всех пифр номера и третья - сигнал положительной полярности на весь период набора. Эти различия нельзя ие учитывать при замене микросхем.

Вопросы замены микросхем детально рассмотрены в соответствующей главе справочника.

в настоящее время отечественная промышленность выпускает аналоги некоторых наиболее распространенных зарубежных микросхем. Это:

КР1008ВЖ10 - аналог KS5805AКР1008ВЖ11 - аналог KS5851

КР1008ВЖ14 - аналог WE9192E


23 ХАРАКТЕРИСТИКИ МИКРОСХЕМ ЭЛЕКТРОННОГО НАБОРА НОМЕРА

в таблицах 1.1-13 приведены основные параметры ряда импортных и отечественных наиболее часто встречающихся микросхем применяемых в ТА.

Сокращения принятые в таблицах: иик.защ. - предельное напряжение внутреннего защитного стабилитрона ИС, установленного

на выходе ИК.

"-" ИК не защищен.

Ibhxt. - средний ток внутреннего стабилитрона защищающего ИС по питанию.

"-" ИС не имеет защиты по питанию. 1ст. - ток потребляемый микросхемой в статическом режиме.

1дин. - ток потребляемый микросхемой в динамическом режиме (во время набора номера). ОЗУ-знаков - количество знаков последнего набранного номера, которое может быть сохранено. Доп ОЗУ - для ИС имеющих дополнительную память. Количество номеров которое может быть сохранено н вызвано посредством функциональных клавиш, с количеством знаков в номере, соответствующим количеству знаков запоминаемых в последнем набранном номере.

"-" дополнительная память отсутствует. Тип выхода - схемотехническое решение организации выхода импульсного н разговорного ключей.

ОС - выход с открытым стоком. Д - логический выход.

Л1 - логический выход РК формирующий низкий уровень на весь период набора номера (рис.22).

Л2 - логический выход РК формирующий ннзкнй уровень на период набора одного знака (рис.22).

ЛЗ - логический ныход КР формирующий высокий уровень на весь период набора номера (рнс.22).

M/S - значение импульсного коэффициента в зависимости от логического состояния входа M/S ("О" илн "1").

IPS - значение длительности межсерийной паузы в миллисекундах в зависимости от

логического состояния входа IPS. DRS - значение частоты набора в Герцах в зависимости от логического состояния входа

DRS

TONE - режим работы микросхемы "Р"- импульсный; Т"- частотный, в зависимости от логического состояния входа TONE.

Если в графе параметры ИК приведено одно значение, следовательно в этой ИС отсутствует вход управления данным параметром и он в микросхеме жестко определен.

Если в графе стоит значит данный режим отсутствует.

Для ИС КР10О8ВЖ2 значения M/S, IPS, DRS устанавливаются комбинацией соединения управляющих входов.

На рнс.23.1 - 233 (в приложении) приведена цоколевка микросхем как импортного так и отечественного производства. Перечень микросхем под начертанием ИС свидетельствует о полном соответствии приведенных ИС данной цоколевке.

ы

Си

й-

Си

ло:

ton:

о

си

CU

Q-

а.

а.

н

си

CU

Си

Си

Си

Сц

Н

ИК ИС при

1ХОДОВ

о о»

О СЧ

о

СЧ

о

СЧ

О СЧ

О СЧ

О СЧ

о

о

о

О

DR

о

о

о

о

о

о

о

о

параметры •остоании i

IPS

о

СЧ 00

о

СЧ 00

о о

00

о

о

чэ \п

о

О

чэ ю

о

3

о

"Ч-

о чэ ю

о

СЧ

о

о

о

00

СЧ 00

о

00

СЧ 00

00

о

00

СЧ 00

о

СЧ 00

о

со 00

о

00

о

00

СЧ

со

00

V

3

х

ьо

о

о

СЧ

о

О»

о

СЧ

о

СЧ

о

СЧ

о

СЧ

о

СЧ*

о

СЧ

Щ

р

СЧ

о

СЧ

о

СЧ

о

СЧ

ВЫХОД1

S

о

Щ

т

m

m

о

m

LO

m

о

т

m

«л

ю

л

UL 0.

ОС

ОС

ОС

ОС

ОС

ОС

ОС

ОС

СЧ

ОС

joc

X о

н S

ва

а К

ОС

ОС

ОС

ОС

ОС

ОС

ОС

ОС

ОС

ОС

ОС

ОС

ОС

ОС

g о « >>

-ров

о

о

л ва

О « >> X о

СЧ СЧ

о

СЧ

СЧ СЧ

СЧ СЧ

СЧ СЧ

СЧ СЧ

см

СЧ

X X

3

(мкА) при Еп=ЗВ

СЧ

СО

ON

о

со

о

СЧ

о о

о о

о

СЧ

СЧ

00 00

чэ о

о

On

СЧ

СЧ

00

СО

и л

в

(мкА) при Еп=ЗВ

СЧ

о

О

ю

о

о

о

СО

чэ

СЧ

СЧ

см

со

СО

О

СЧ

СЧ

см

Ibh.ct.

(шА) при Еп=ЗВ

Щ

о

Г> О

о

оо о

00

о

0.12

*

* I

D rt

И

о

СО

о

со

00 СЧ

ЧЭ

СО

СЧ СЧ

СЧ СЧ

m

С

Щ

с~

г*

m

СЧ

3 § а

3

ва

• ВЗ

8 §

ОС

00

оо

чэ

00

ОО

чэ

СО

оо

чэ

00

со

СО

00

чэ

чэ

Тип ИС

KS5805A

со

о

00 1Л

KS5851

KS5853

KS58C05

KS58C20N

ЕТ40982

ЕТ40992

UM9151

UM9151-3

UM91610A

UM91611

UM91210C

CIC9102E

С1С9104Е

CIC9192BE



[стр.Начало] [стр.1] [стр.2] [стр.3] [стр.4] [стр.5] [стр.6] [стр.7] [стр.8] [стр.9] [стр.10] [стр.11] [стр.12] [стр.13] [стр.14]