Ремонт принтеров, сканнеров, факсов и остальной офисной техники


назад Оглавление вперед




[53]

m,VT5 к

2Ю055

j$ iЛ3055

Рис. 55, а, б. Транзистор 2N3055

Для рис. 55, а: рвых = 20 Вт; /?„ = 15 Ом; /о = 0.05...0.5; для рис. 55, в: рвых = 50 Вт; Я„ = 5 Ом; /0 = 0.2...2 А

1000 м"

2У36

Рис. 56. Включение транзисторов в бестрансформаторных выходных каскадах УЗЧ

Тип транзистора

2N3611, 2N3613 2N3612, 2N3614 2N3615, 2N3617,

2N3772, п-р-п 2N5034, п-р-п 2N5035, р-п-р 2N5036 п-р- 2N5037 р-п 2N5490 п-р-п 2N5492 п-р-п 2N5494 п-р-п 2N5496 п-р-п

Rh. Ом

о, А

Uo. в

<нов

М3766

М3740

Рис. 57. Включение комплементарных транзисторов

Рис. 58. Включение комплементарных транзисторов в предоконечных каскадах:

VT3 2N3703, р-п-р и VT22N3705 п-р-п

VT3 2N4234, р-п-р и VT22N4237 п-р-п

VT3 2N4235, р-п-р и VT22N4238 п-р-п

VT3 2N4403, р-п-р и КТ22N4401 п-р-п

VT3 2N5226, р-п-р и VT2"2N5225 п-р-п

VT3 2N6015, р-п-р и m2N6014 п-р-п

Тип транзистора

Я„, Ом

/о, А

2 N3766, р-2N3740, р-2N3741, р-2N3767, п-2N4918, р-2N4921, п-

Р-п-

P-

-20

2N4922,

10

3,5

0,25... 1

2N4920,

15

5

0,25... 1

-30

2N4923,

20

7

0,25...1

-40

1} 2N5193,

+ 60

1 2N5I90,

100

3

0,2...3

2N5194,

2N5191,

15

5

0,1... 1

+ 30

2N5195,

30

8

0,1.-1.2

+ 50

2N5192,

+ 30

, 2N5447,

12

6

0.06...0.6

1 2N5451,

18

8

0,08...0,8

+40

2 N6013,

20

4

0,1...1

+ 30

2N6012,

30

8

0,1...1

+ 50

р-п-,

-р-п -п-р -р-п -п-р -п

-п

20 25

10

15

20

20

25 25

0,25

1

12 15

10

12

15

4

8 16

35

25

0,2... 1 0,2...0,8

0,15...0,6

0,15...0,6

0,15...0,6

0,1...1

0,08...0,8 0,05...0,5

0,015...0,1

0,01 ...0,1

1-р-

+ 50 + 65

+ 40

+ 50

+ 65 + 30

+ 45 + 60

+ 15

+ 20


Рис. 59. Включение комплементарных транзисторов в выходных каскадах

Тип транзистора

Рвы,. Вт

RH. Ом

о. А

«о. В

VT4 2N4898, р-VT3 2N4910, п-

-п- -Р-

-п

2

15

0,025...0,2

+ 20

VT4 2N4900, р-VT3 2N4912, п-

-п--Р-

-п

7,5

50

0,025...0,2

+ 60

VT4 2N4901, р-VT3 2N 5067, п-

-п-

-р-

-п

4

8

0,05...0,4

+ 20

VT4 2N4903, р-VT3 2N5067, п-

-п-

-р-

15

25

0,05...0,4

+ 60

VT4 2N4908, р-VT3 2N3055, п-

-п-

-р-

-п

35

4

0,05...2

+ 40

VT4 2N5955, р-VT3 2N3055, л-

-п-

-р-

-п

25

8

0,3...1,1

+ 45

Рис. 60. Возможные включения транзисторов

Тип транзистора

Р вы

R». Ом

U п. В

0„. дБ

2SB27 2SB28 2SB29

0,4 0,4 0,4

25 25 25

0,2 0,2 0,2

-6 -6 -6

20 23 25

Рис. 61. Включение транзисторов в двухтактных трансформаторных оконечных УЗЧ

Тип транзистора

рвых. ВТ

R„. Ом

<У0. в

/о. А

P,v «Вт

2SB31, р-п-р

1

30

- 6

0,02.

.0,35

7

2SB51, р-п-р

0,5

240

-9

0,01.

.0,12

5

2SB52, р-п-р

0,5

240

-9

0,01.

.0,12

5

2SB62.63 р-п-р

1,5

8

-12

0,03.

.3

6

2SB64, р-п-р

25

50

-28

0,05.

.1,5

60

2SB69, р-п-р

20

8

-20

0,02.

.2,5

400

2SB142, р-п-р

4

18

-12

0,05.

.0,7

150

2SB145.146 р-п-р

4

18

-12

0,05.

.0,7

100, 30

2SB221, 222 р-п-р

0,4

500

-9

0,01.

.0,1

0,5

2SB457, р-п-р

0,3

250

-9

0,01.

.0,07

0,35

2SB494, р-п-р

0,5

220

-9

0,01.

.0,5

0,5

2S063, п-р-п

0,3

280

+ 9

0,05.

.0,07

3

44Т1, р-п-р

1 (1,5) 90 -9(-12) 0,01...0,2

15(20)

Рис. 62. Включение транзисторов УТ4, УТ5 в бестрансформаторных выходных У34

2SC245, п-р-п 2SC1030, п-р-п

20 30

+ 50 0,05...0,5 + 50 0,2...1,5


Тип транзистора

Рвых. Вт

Ян. Ом

«0. в

/о. А

2SC106, п-р-п

20

8

+ 40

0,1...1,5

2SD45, п-р-п

20

16

+ 60

0,05...0,4

2SD91, п-р-п

20

8

+ 40

0,1...1,0

2SD180, п-р-п

30

8

+ 65

0,15...1,0

180Т1А,В,С

30

8

+ 50

0,1...1,2

ПРИЛОЖЕНИЕ 5.

ПРИНЦИПИАЛЬНЫЕ СХЕМЫ ВКЛЮЧЕНИЯ МИКРОСХЕМ ЗАРУБЕЖНОГО ПРОИЗВОДСТВА

\C4270

а

1.2

1

RI В2

£2

100мн~

Вход

С3100

14

ESM231

VI М2

100

12

100

10

/ Зяеший бив МС К3100 „С5/00т

се

ТоОмк

IA

-24В

-С9

СЮ ~100

fk

СИ

~WOmk

«

Bl 4 0м

Асе \св

£5

ТоОмк

~Т~10Омк

Рис. / а, в. Схемы включения -i микро-

СО схемы ESM231 "01 (Усилитель мощ-

НОСТИ РВЫх =

= 18 Вт, диапазон частот 40 Гц ...20 кГц )

25тД\

IIП

»Ц22

Г

/?212к К

\бВОк

\\С2

2(7)

Н47

йж р

\cj Т cm \ 47о ~T~gi

С4\\3,3 *6ЮШ Clfj3

R14 5,бх

R13IOH

i

В1

ESM532

432

632

732

и, В

30

28

24

/4

8

4

4

2

Рвы,,

10

20

14

8

С,мх

1000

2200

2200

3300

W

Цб

1,1

ав

0,9

с о о

£SM432C

532С

632С

732С

1413121110 9 В

ч ESM432

532

632

732

1 2 3 4 5 б 7 8 91011

12 3 4 5 6 7

мейнь/х искажений-

Рис. 2. Схема включения микросхем ESM432, ESM532, ESM632 ESM732 (усилитель мощности Рвых = 8...20 Вт, диапазон частот 40 Гц...20 кГц)ЕЭ™-" (усилитель



[стр.Начало] [стр.1] [стр.2] [стр.3] [стр.4] [стр.5] [стр.6] [стр.7] [стр.8] [стр.9] [стр.10] [стр.11] [стр.12] [стр.13] [стр.14] [стр.15] [стр.16] [стр.17] [стр.18] [стр.19] [стр.20] [стр.21] [стр.22] [стр.23] [стр.24] [стр.25] [стр.26] [стр.27] [стр.28] [стр.29] [стр.30] [стр.31] [стр.32] [стр.33] [стр.34] [стр.35] [стр.36] [стр.37] [стр.38] [стр.39] [стр.40] [стр.41] [стр.42] [стр.43] [стр.44] [стр.45] [стр.46] [стр.47] [стр.48] [стр.49] [стр.50] [стр.51] [стр.52] [стр.53] [стр.54] [стр.55] [стр.56] [стр.57] [стр.58] [стр.59] [стр.60] [стр.61] [стр.62] [стр.63] [стр.64] [стр.65] [стр.66] [стр.67] [стр.68] [стр.69] [стр.70] [стр.71] [стр.72] [стр.73] [стр.74] [стр.75] [стр.76] [стр.77]