Тип

транзистора

Цоко-левка

Крутизна, мА/В при изи, В

Со/с, пФ

Unop/отс, В

Ic, мА

Fb, дБД.Гц

1з(утечки), нА

Vmax, В

P, мВтДСС)

3N 160

L

3,5...6,5

<4

1,5...5

1(<10)нА

<0,01

25ds

360/25a

<10е

+25gs

1800/25a

3N 161

L

3,5...6,5

<4

1,5...5

5нА

<0,1

25ds

360/25a

3N 162

L

13

<5

2,5...5

ЮнА

- „

10

30ds

600/25a

3 N 163

L

2...4

<0,7

<5

-

<0,01

+125gs

375/25a

3 N 164

L

1...4

<0,7

<5

-

<0,01

+125gs

375/25a

3N167

L

-

12

2...6

0,03 НА

0,1

30ds

225/25a

3N 168

L

-

12

2...6

0,1 нА

0,4

25ds

225/25a

3 N 169,..170,..171

Q

>1

<1,3

0,5...1,5

<10нА

<0,01

25ds

300/25a

1с=2 мА

<5е

+35gs

800/25C

3N 172

L

3

0,8

2...5

0,3 нА

0,1

40ds

375/25a

3 N 173

L

3

0,8

2...5

8нА

0,3

40ds

375/25a

3N 174

L

>0,4/Т5

<0,7

-4

3...12

<3 пА

30gs

360/25a

3 N 175

Q

>1,2

<0,5

1...2

<5пА

<0,2

30ds

225/25a

3N 176

Q

>1

<0,5

1...2.5

<10нА

<0,2

25ds

225/25a

3 N 177

Q

>0,7

<0,8

1...3.5

<26нА

<0,2

20ds

225/25a

3 N 178

L

>0,8

<0,3

4,5...5,5

<1 нА

<0,5

75ds

100/25a

3N 179

L

>0,7

<0,4

4...6

<1 нА

<1

60ds

100/25a

3N 180

L

>0,7

<0,5

3...6

<1 нА

<1

40ds

100/25a

3N 181

L

>8

<8

3...4

0,5 нА

<0,3

30ds

300/25a

3 N 182

L

>8

<10

2,5...5

2,5 НА

<0,5

30ds

300/25a

3N 183

L

>8

<12

2...6

ЮнА

<1

20ds

300/25a

3N 184

L

3,5

3

2...3

0,5 нА

0,05

35ds

300/25a

3N185

L

3

4

1.5...3

1 нА

0,1

30ds

300/25a

3N 186

L

2,8

4

1...3.5

2 НА

0,2

25ds

300/25a

Тип

транзистора

Цоко-левка

Крутизна, мА/В при изи, В

Со/с, пФ

Unop/отс, В

Ic, мА

Fb, дБДГц

1з(утечки), нА

Vmax, В

P, мВт/TfC)

3N 187

S

7...18

0,02

-0.5...4

20ds

330/25a

5...30 3,5/200 МГц

+6gs

220/75а

<50

3N200

S

10...20 1с=10 мА

0,02 бе

-0,1 ...-3

0,5...12

4,5/400 МГц

<50

20ds +6gs

330/25a 220/75a

3N201

S

8...20

0,02

0.5...5

-

<4,5/200 МГц

<1

25ds

360/25a

3N202

S

8...20

0,02

0.5...5

-

-

<1

25ds

360/25a

3N203

S

7...15

0,02

0,5...5

-

<6/45 МГц

<1

25ds

360/25a

3N204

S

10...22

0,02

0,5...4

-

<3,5/200 МГц

<1

25ds

360/85a

3N205

S

10...22

0,02

0.5...4

-

-

<1

25ds

360/25a

3N206

S

7...17

0,02

0.5...4

-

<4

<1

25ds

360/253

3N207

R

-

<2,5

3...6

10 НА

0,004

25ds

600/25a

3N208

R

-

<2,5

3...6

10 НА

-

1

25ds

600/25a

3N211

S

17...40/0

0,02

0.5...6

6...40

<3,5/200 МГц

10

27ds

360/253

3N212

S

17...40/0

0,02

0.5...4

6...40

-

10

27ds

360/253

3N213

S

15...35/0

0,02

0,5...6

6...40

<4/45 МГц

10

35ds

360/253

3N214,..5,..6,.,7

Р

-

2

бе

<6

50/V3= 6 В

-

10

20ds 20dg

360/25a

3SK20

V

0.6...2/0

4е

<-3,5

0.6...2

200нВ/ Гц

<1 пА

20ds +20gs

100/253

3SK21

V

4.. 11/0

4е

<-5

4...11

<1 пА

20ds +20gs

100/253

3SK35

S

10

0,02

<4

3...24

3,5

100

20ds

300/25a

3SK44

S

13

0,04

<3,3

3...40

3,5

100

20ds

300/25a

Тип

транзистора

Цоко-левка

Крутизна, мА/В при изи, В

Со/с, пФ

Unop/отс, В

Ic, мА

Fb, дБД.Гц

1з(утечки), нА

Vmax, В

P, мВтЖС)

40 467 А

К

7,5 (>4) 1с= 5 мА

<0,2 5,5е

-5(<8)

10...50

<5/200 МГц

<1

20ds +1-8gs

400/25a 270/75a

40 468 А

К

7,5

Ic = 4 мА

<0,2 5,5е

<-8

5...25

<5/100 МГц

<1

20ds +1-8gs

375/25a 270/75a

40 559 А

К

2,8

<0,3 5,5е

<5 (<-8)

5...25

-

<1

20ds +1-8gs

375/25a 250/75a

40 600,..1,..2

S

10

1с=10мА

0,02 5,5е

-2

1с/м=50 мА

<5/200 МГц

<1

20ds +1-8gs

400/25a 270/75a

40 603,..4

S

10

1с=10мА

0,02 5,5е

-2

18

<4/100 МГц

<1

20ds +1-8gs

400/25a 270/75a

40 673

S

12

0,02 бе

-2

1см= 50 мА

<6/200 МГц

<50

20ds +1-6gs

330/25a 220/75a

40 820

S

12

0,02

-1

-

<6

<50

20ds

330/25a

40 821

S

12

0,02

-1

-

-

<50

20ds

330/25a

40 822

S

12

0,02

-2

-

2

<50

18ds

330/25a

40 823

S

12

0,02

-2

<50

18ds

330/25a