Ремонт принтеров, сканнеров, факсов и остальной офисной техники


назад Оглавление вперед




[51]

об

I

а ж

§ о

С1

о ш

S

сг

X

>

о

о

aim о с 3

о

ое

О с

с

га" s

-

I о.

со

со

й ш . 5,ч s

in

п< п

6 s

о ф

zr S

га о. о 1-о

S

с га

га in

C\J

о-о со

СЛ

g 8

со V

ш со

о 2

га га in in

CM C\l

"О "О О о со со

о о

V V

< < I I

о о

V V

CD

in ; in цэ v со"

in о"

V V

ОЗ 4

in

со ю о о

2 2

га in c\j

in in о

П NО

CO D) О CO

Is

О v

О V

CO

о

гао

inin

CMCM

44

inо

смin

CMCD

COCO

ТЗD)

Оо

сосо

S" v

х" о

- V

о --

о

г- in

О т-"

га in см

о о о см

~и о со

in о

V

<

X

о

о

С\1 V

см

л

га in см

4

о о со

СОСО

"ОD)

оin

сосо

о

V

V

< I о ю

V

ю см

л

- о о

о

i

см

га in см 4 ю см см

о

о

со

о ю со

со Д>

§5

со

V

<

X ю

. о

со v

in

см" со

о in см 4 ю см со

СОСО

"ОCJ

оin

сосм

<

X

со - . о

о

л

я ю см

СО(Л

"ОD)

сом-

со

о о"

<

X

ю

о

V

о

л

О

<

1-

in

г-

о

о

1-

т-

1-

см

ю

ю

ю

in

ю

ю

ю

5

2

2

ш

ш

ш

ш

ш

ш

ш

2

5

5

5

2

2

5

га in см 4 о in

СО10

"ОD)

оо

С\1см

о

V

о о см 4 ю

со

со+

см

:п

соZ3

i

V

i- т-г- ,-О 1П

л со с\Г

- +

00

Ю

ю

2

ш

2

гагагага

inюinin

смсмсмсм

4444

ооinin

ооCMCM

т-т-CMCM

СОСОСОСО

ТЗтзпи

оюоо

Ю«CN

о о

V V

г 2

2 о

8 «

см ю

V V

<

<

о

о

X

со

со

о

V

V

со

со

ю ю : : г" со со о" о"

ю г- со со о" о о" о

V V V V

со С-

d о со со

л л л л

-1 -1 * *

о

о

Ю(ОNN

и>тти>

тттт

2222

шшшш

2222


Тип

транзистора

Цоко-левка

Крутизна, мА/В при изи, В

Со/с, пФ

Unop/отс, В

1с, мА

Fb,flE/f,ru

1з(утечки), нА

Vmax, В

R мВтДСС)

MEM 560

L

>21/с=5мА

<3,5

-2

<5 нА

<0,5

35ds

300/25a

MEM 560 С

L

>2/1с=5мА

<4,5

-2,5

<10нА

-

<1

30ds

200/25a

MEM 562

К

>1/1с=2мА

<0,5

0,5...4

<10нА

-

<0,01

+20ds

225/25a

MEM 562 С

К

>1/1с=2мА

<0,6

0,5...4

<10нА

-

<0,1

+20ds

175/25a

MEM 563

к

>2/1с=2мА

<0,6

0,5...4

<10нА

-

<0,01

±20ds

225/25a

MEM 564 С

s

>8/1с=10мА

0,02

1,5...4

3...30

<5/200 МГц

<10

+20ds

225/25a

MEM 571 С

к

>8/1с=10мА

0,32

0,3...4

3...30

<4,5/200 МГц

<10

±20ds

225/25a

MEM 575

L

>10/1с=10мА <20

-2

<20 нА

-

<2

25ds

300/25a

MEM 614

s

10(>6)/1с=5мА0,02

1

1...20

<4,5/100МГц

.

20ds

225/25a

<8е

(<4)

MEM 616

s

>1,2/1с=10мА 0,02

<4

5...20

<4,5/200 МГц

<50

25ds

360/25a

MEM 617

s

4,4

бе

<4

2...15

-

<50

20ds

360/25a

MEM 618

s

>10/1с=5мА

0,02

<4

3...20

-

<50

20ds

360/25a

MEM 655

к

>6/1с=5мА

0,32

<4

1...20

<4,5/100 МГц

<100

20ds

225/25a

MEM 806

L

>2/1с=5мА

<0,3

-4,5

>1 нА

-

<ЗпА

40ds

300/25a

MEM 806 A

L

>2/1с=5мА

<0,3

-4,5

0,1 нА

-

<1 пА

40ds

300/25a

MFE 120

s

8...18/1с=10мА0,02

<4

2...18

<5/100 МГц

<20

25ds

300/25a

MFE121

s

Ю...20/1с=10мА4,5е

<4

5...30

<5/200 МГц

<20

+20gs

300/25a

MFE122

s

8...18/Ic=10mA2,5s

<4

2...20

-

<20

300/25a

MFE 2093

к

0,4/0

1,2

-1,5

0,35

-

<0,1

50ds

300/25a

MFE 2094

к

0,5/0

1,2

-3

0,7

-

<0,1

50ds

300/25a

MFE 2095

к

0,6/0

1,2

-4,5

1,5

-

<0,1

50ds

300/25a

MFE 3001

Q

0,6...3/0

1,5 5е

<-8

0,5...6

-

<0,01 +20gs

20ds

200/25a

MFE 3006,..7,..8

S

8...18

0,02 бе

<3

2...18

<5/100МГц

<1 +35gs

25ds

300/25a


Тип

транзистора

Цоко-левка

Крутизна, мА/В при изи, В

Со/с, пФ

Unop/отс, В

Ic, мА

Fb, дБ/т,Гц

1з(утечки), нА

Vmax, В

P, мВтД(С)

MPF102

I

2...7/0

<3

<8

2...20

-

<2

25dg

200/25a

MPF103

А

1...5/0

1,5

<-6

1...5

<1

25ds

200/25a

MPF104

А

4/0

1,5

<-7

2...9

-

<1

25ds

200/25a

MPF105

А

2...6/0

1,5

<-8

4...16

-

<1

25ds

200/25a

MPF108

I

2...7,5/0

<2,5

0,5...8

1,5...24

<3

<1

25dg

310/25a

MPF109

I

0,8...6/0

1,5

0,5...10

0,5...24

<2,5

<1

25dg

310/25a

MPF111

I

0,5...3/0

1,5

0,5...10

0,5...20

-

<100

20dg

200/25a

MPF112

I

1...7,5/0

3

0,5...10

1...25

-

<100

25dg

200/25a

MPF120...2

8...18/1с=10мА0,02

<4

2...18

<5/100МГц

<20

25ds

500/25a

MPF161

J

0,8...6/0

<2

0,2...8

0,5...14

<2,5/100 МГц

<10

40dg

310/25a

MPF820

I

20/0

<3,5

<5

>10

<4/100МГц

<5

25dg

625/25a

NF510

и

-

-

>5

-

<10

30dg

500/25a

NF511

и

-

-

<10

>5

-

<100

20dg

500/25a

Р 1086,..7

С

3...8/0

<45е

<10

>10

-

<2

30dg

300/25a

PF510...1

М

-

-

<10

>5

-

<10

30dg

500/25a

SU 2080, 2081

L

>1,5/0

<18е

<4

<10

-

<0,5

50dg

300/25a

SU 2098

Т

>0,7

<7е

<3

1...8

2/100

<0,4

30dg

300/25a

SU 2099

т

0,2 мА

2

SU 2365,..В

т

>1,5/0

<4

<3,5

0,5...10

-

<0,1

30dg

400/25a

SU 2366

т

>1,5/0

<4

<3,5

0,5...10

-

<0,1

30dg

400/25a

SU 2367

т

>1,5/0

<4

<3,5

0,5...10

-

<0,1

30dg

400/25a

SU 2368

т

>1,5/0

<4

<3,5

0,5...10

-

<0,1

30dg

400/25a

SU 2369

т

>1,5/0

<4

<3,5

0,5...10

-

<0,1

30dg

400/25a

SU 2365...9

А

>1,5/0

<4

<3,5

0,5...10

-

<0,05

30dg

400/25a

SU 2410,..1

т

0,5...1,5/0

<1,5

<3,5

0,1...1

<1/100

<3 пА

40dg

300/25a

SU 2412

<3е

40dg



[стр.Начало] [стр.1] [стр.2] [стр.3] [стр.4] [стр.5] [стр.6] [стр.7] [стр.8] [стр.9] [стр.10] [стр.11] [стр.12] [стр.13] [стр.14] [стр.15] [стр.16] [стр.17] [стр.18] [стр.19] [стр.20] [стр.21] [стр.22] [стр.23] [стр.24] [стр.25] [стр.26] [стр.27] [стр.28] [стр.29] [стр.30] [стр.31] [стр.32] [стр.33] [стр.34] [стр.35] [стр.36] [стр.37] [стр.38] [стр.39] [стр.40] [стр.41] [стр.42] [стр.43] [стр.44] [стр.45] [стр.46] [стр.47] [стр.48] [стр.49] [стр.50] [стр.51] [стр.52] [стр.53] [стр.54] [стр.55] [стр.56] [стр.57] [стр.58] [стр.59] [стр.60] [стр.61] [стр.62] [стр.63] [стр.64] [стр.65] [стр.66] [стр.67] [стр.68] [стр.69]